[發明專利]半導體存儲裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 201910684441.0
• 申請日: 2019-07-26
• 公開（公告）號: CN111696995A
• 公開（公告）日: 2020-09-22
• 發明（設計）人: 坂田晃一;鈴木和貴;蘆立浩明;佐藤勝廣;中岡聡
• 申請（專利權）人: 東芝存儲器株式會社
• 主分類號: H01L27/11551
• 分類號: H01L27/11551;H01L27/11578
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 楊林勳

1.一種半導體存儲裝置，具有：

第1積層體，包含在第1方向上積層，且在與所述第1方向交叉的第2方向及與所述第2方向正交的第3方向上延伸的多個第1電極層；

第2積層體，包含在所述第1積層體的所述第1方向上積層，且在所述第2方向及所述第3方向上延伸的多個第2電極層；

半導體膜，在所述第1積層體內及所述第2積層體內在所述第1方向上延伸；

電荷儲存層，分別設置在所述多個第1電極層與所述半導體膜之間、及所述多個第2電極層與所述半導體膜之間；及

分離構造，在所述第1方向及所述第2方向上延伸，且在所述第3方向上將所述第1積層體及所述第2積層體分離；

分離構造具有：

第1分離膜，在所述第1方向上延伸，在所述第3方向上將所述第1積層體分離；

第2分離膜，所述第3方向上的位置與所述第1分離膜不同，且在所述第1方向上延伸，在所述第3方向上將所述第2積層體分離；及

膜，設置在所述第1分離膜上，包含與所述第1方向上延伸的所述第1分離膜相同的材料。

2.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其中所述第2分離膜與所述膜的總數多于所述第1分離膜的數量。

3.根據權利要求2所述的半導體存儲裝置，其中所述膜的數量多于所述第2分離膜的數量。

4.根據權利要求3所述的半導體存儲裝置，其中所述膜在俯視下散布在所述第2方向上，

所述第2分離膜在俯視下在所述第2方向上直線狀延伸。

5.根據權利要求3所述的半導體存儲裝置，其中所述第2分離膜的寬度窄于所述膜的寬度。

6.根據權利要求3所述的半導體存儲裝置，其中所述第2分離膜及所述膜在俯視下為多個圓形狀或多個楕圓狀。

7.根據權利要求6所述的半導體存儲裝置，其中所述第1分離膜在俯視下也是多個圓形狀或多個楕圓狀，且所述第2分離膜與所述膜在所述第2方向上交替地配置。

8.一種半導體存儲裝置的制造方法，形成第1積層體，該第1積層體包含在第1方向上積層且在與所述第1方向交差的第2方向及與所述第2方向正交的第3方向上延伸的多個第1層，

形成第2積層體，該第2積層體包含在所述第1積層體的所述第1方向上積層且在所述第2方向及所述第3方向上延伸的多個第2層，

形成在所述第1積層體內及所述第2積層體內在所述第1方向上延伸的半導體膜，

形成分別設置在所述多個第1層與所述半導體膜之間、及所述多個第2層與所述半導體膜之間的電荷儲存層，

形成在所述第1方向上延伸且在所述第3方向上將所述第1積層體分離的第1分離膜，

形成第2分離膜，該第2分離膜是所述第3方向上的位置與所述第1分離膜不同，在所述第1方向上延伸，且在所述第3方向上將所述第2積層體分離，

形成膜，該膜設置在所述第1分離膜上，且包含與所述第1方向上延伸的所述第1分離膜相同的材料。