[發明專利]封裝結構

有效

• 申請號: 201910681796.4
• 申請日: 2019-07-26
• 公開（公告）號: CN110534502B
• 公開（公告）日: 2021-12-10
• 發明（設計）人: 陶玉娟
• 申請（專利權）人: 南通通富微電子有限公司
• 主分類號: H01L23/552
• 分類號: H01L23/552
• 代理公司: 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294
• 代理人: 高德志

1.一種封裝結構，其特征在于，包括：

預封面板，所述預封面板包括塑封層，所述塑封層中具有若干半導體芯片，每個半導體芯片包括功能面和與功能面相對的非功能面，所述功能面上具有若干焊盤，所述塑封層暴露出功能面上的若干焊盤，所述半導體芯片的功能面上還具有底部屏蔽層，所述底部屏蔽層覆蓋半導體芯片的整個功能面，所述底部屏蔽層的四周邊緣與半導體芯片的四周側壁齊平，若干焊盤貫穿底部屏蔽層，焊盤與底部屏蔽層之間通過隔離層隔離；且所述具有底部屏蔽層的半導體芯片的形成過程為：提供晶圓，所述晶圓上形成有若干半導體芯片，所述半導體芯片包括頂層介質層和位于頂層介質層中的頂層互連結構；在所述頂層介質層上形成隔離層；刻蝕所述隔離層，在所述隔離層中形成若干第一開口和包圍所述若干第一開口的第二開口，每一個第一開口相應的暴露出頂層互連結構部分表面，所述第二開口的深度小于隔離層的厚度，且剩余的隔離層僅位于第一開口和第二開口之間，將所述第一開口和第二開口隔開；在所述若干第一開口中填充金屬材料形成若干焊盤，在所述第二開口中填充金屬材料形成底部屏蔽層；形成焊盤和底部屏蔽層后，切割所述晶圓，形成若干分立具有底部屏蔽層的半導體芯片；

位于半導體芯片與塑封層之間的第一屏蔽層和第二屏蔽層，所述第一屏蔽層包覆所述半導體芯片的非功能面和側壁表面，所述第一屏蔽層與底部屏蔽層的四周邊緣連接，所述第二屏蔽層位于第一屏蔽層和塑封層之間且完全覆蓋所述半導體芯片的非功能面和側壁上的第一屏蔽層表面；

位于預封面板的背面上的與焊盤連接的外部接觸結構。

2.如權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述第一屏蔽層通過濺射工藝形成，所述第一屏蔽層至少還覆蓋半導體芯片周圍的部分載板表面，所述第二屏蔽層通過選擇性電鍍工藝、點膠工藝或網板印刷工藝形成。

3.如權利要求2所述的封裝結構，其特征在于，所述第一屏蔽層的材料為銅、鎢或鋁，所述第二屏蔽層的材料為銅、焊料或導電銀膠。

4.如權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述第一屏蔽層為磁場屏蔽層，且所述第二屏蔽層為電場屏蔽層；或者所述第一屏蔽層為電場屏蔽層，且所述第二屏蔽層為磁場屏蔽層。

5.如權利要求4所述的封裝結構，其特征在于，所述電場屏蔽層的材料為銅、鎢、鋁；所述磁場屏蔽層的材料為CoFeB合金、CoFeTa、NiFe、Co、CoFe、CoPt或者Ni、Co和Fe的合金。

6.如權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述外部接觸結構包括位于預封面板背面上與焊盤連接的再布線層以及位于再布線層上與再布線層連接的外部接觸件。

7.如權利要求6所述的封裝結構，其特征在于，所述預封面板的背面上具有絕緣層，所述絕緣層中具有暴露出焊盤表面的開口，所述再布線層位于所述開口中以及部分絕緣層表面上，所述外部接觸件位于開口外的再布線層表面上。

8.如權利要求7所述的封裝結構，其特征在于，還包括：位于絕緣層中將第一屏蔽層與部分再布線層電連接的導電接觸結構。

9.一種將如權利要求1-8所述的封裝結構進行分割后形成的獨立的封裝結構，其特征在于，包括：塑封層，所述塑封層中具有半導體芯片，所述半導體芯片包括功能面和與功能面相對的非功能面，所述功能面上具有若干焊盤，所述塑封層暴露出功能面上的若干焊盤；位于半導體芯片與塑封層之間的第一屏蔽層和第二屏蔽層，所述第一屏蔽層包覆所述半導體芯片的非功能面和側壁表面，所述第二屏蔽層位于第一屏蔽層和塑封層之間且完全覆蓋所述半導體芯片的非功能面和側壁上的第一屏蔽層表面；

位于半導體芯片的功能面上的與焊盤連接的外部接觸結構。