[發(fā)明專利]微影投影設(shè)備

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910676800.8
• 申請(qǐng)日: 2019-07-25
• 公開（公告）號(hào): CN110780539A
• 公開（公告）日: 2020-02-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳旻政;廖啟宏
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): G03F7/20
• 分類號(hào): G03F7/20;G03F9/00
• 代理公司: 72003 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 聶慧荃;鄭特強(qiáng)

本公開涉及一種微影投影設(shè)備，本公開實(shí)施例提供一種提供具有不同波長(zhǎng)的多個(gè)光源的微影投影設(shè)備中的基板測(cè)量裝置。在一些實(shí)施例中，微影投影設(shè)備包括基板測(cè)量系統(tǒng)，設(shè)置靠近于基板載臺(tái)，基板測(cè)量系統(tǒng)包括：發(fā)射器，包括多個(gè)光源，配置以提供多束光束，所述多束光束中的至少一些光束中的每一者具有不同的波長(zhǎng)，以及至少一個(gè)光纖，其中所述至少一個(gè)光纖的部分中的每一者配置以使所述多束光束中的對(duì)應(yīng)的一者通過；以及接收器，定位以收集從發(fā)射器發(fā)出的光以及從設(shè)置在基板載臺(tái)上的基板反射的光。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及一種微影投影設(shè)備。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體集成電路(integrated circuit，IC)工業(yè)經(jīng)歷了指數(shù)增長(zhǎng)。集成電路材料及設(shè)計(jì)的技術(shù)改進(jìn)已產(chǎn)生了數(shù)個(gè)世代的集成電路，每一世代的集成電路都具有比上一世代更小及更復(fù)雜的電路。在集成電路進(jìn)化過程中，功能密度(單位芯片面積的互聯(lián)裝置數(shù)量)通常隨著幾何尺寸(使用制造工藝可以創(chuàng)建的最小元件或線)下降而增加。這種微縮化的過程通?？商岣呱a(chǎn)效率和降低相關(guān)成本。

目前已使用微影法(Photolithography)以在芯片上形成元件。隨著集成電路元件的尺寸降低，需要微影工藝將更小的特征精確地、準(zhǔn)確地、并且無(wú)損地轉(zhuǎn)移到基板上。對(duì)高分辨率微影工藝的需求會(huì)造成在前幾代幾何維度較大的微影工藝中可能未出現(xiàn)的挑戰(zhàn)。

發(fā)明內(nèi)容

在一些實(shí)施例中提供一種微影投影設(shè)備，包括基板測(cè)量系統(tǒng)，設(shè)置靠近于基板載臺(tái)，基板測(cè)量系統(tǒng)包括發(fā)射器，包括多個(gè)光源，配置以提供多束光束，多束光束中的至少一些光束中的每一者具有不同的波長(zhǎng)；以及至少一個(gè)光纖，其中至少一個(gè)光纖的多個(gè)對(duì)應(yīng)部分中的每一者配置以使光束中的對(duì)應(yīng)的一者通過；以及接收器，定位以收集從發(fā)射器發(fā)出的光以及從設(shè)置在基板載臺(tái)上的基板反射的光。

在另一些實(shí)施例中提供一種半導(dǎo)體處理方法，包括從發(fā)射器提供多束光束到基板，其中所述多束光束具有多個(gè)波長(zhǎng)；在接收器處收集所述多束光束的反射光，反射光在基板被反射；基于所收集到的反射光，基板的高度變化；以及響應(yīng)于所決定的基板的高度，使用光學(xué)聚焦模塊對(duì)準(zhǔn)基板。

在又一些實(shí)施例中提供一種半導(dǎo)體處理方法，包括從發(fā)射器的多個(gè)光源發(fā)射多束光束到基板，其中所述多束光束具有不同的波長(zhǎng)；在接收器處收集所述多束光束的反射光，反射光是在基板被反射；基于所收集的反射光，測(cè)繪(mapping)基板的高度變化；根據(jù)測(cè)繪來(lái)決定基板相對(duì)于焦平面的高度位置(leveling position)；將基板對(duì)準(zhǔn)所述高度位置；以及在對(duì)準(zhǔn)基板后在基板上進(jìn)行微影曝光工藝。

附圖說(shuō)明

以下將配合說(shuō)明書附圖詳述本公開的實(shí)施例。應(yīng)注意的是，依據(jù)在業(yè)界的標(biāo)準(zhǔn)做法，多種特征并未按照比例示出且僅用以說(shuō)明例示。事實(shí)上，可能任意地放大或縮小元件的尺寸，以清楚地表現(xiàn)出本公開的特征。

圖1示出根據(jù)一些實(shí)施例的包括基板測(cè)量裝置的示例性微影投影設(shè)備的示意圖。

圖2示出了根據(jù)一些實(shí)施例的包括基板測(cè)量裝置的微影投影設(shè)備的另一個(gè)范例的示意圖。

圖3A至圖3D示出了根據(jù)一些實(shí)施例，來(lái)自基板測(cè)量裝置的發(fā)射器的光束入射在具有不同表面形貌的基板的不同位置上。

圖4示出了根據(jù)一些實(shí)施例的光纖。

圖5示出了根據(jù)一些實(shí)施例的多個(gè)光纖。

圖6示出了根據(jù)一些實(shí)施例的入射在具有不同表面形貌的基板的不同位置上的光束。

圖7A至圖7D示出了根據(jù)一些實(shí)施例的在其中形成不同光纖和有屏蔽配置的發(fā)射器。

圖8示出了根據(jù)一些實(shí)施例的具有遮蔽件和在遮蔽件中形成的不同光纖的發(fā)射器。

圖9示出了根據(jù)一些實(shí)施例的執(zhí)行基板對(duì)準(zhǔn)工藝的流程圖。

附圖標(biāo)記說(shuō)明：