[發明專利]一種硅片清洗瀝干裝置及方法、清洗烘干裝置及方法在審
| 申請號: | 201910671677.0 | 申請日: | 2019-07-24 |
| 公開(公告)號: | CN110429021A | 公開(公告)日: | 2019-11-08 |
| 發明(設計)人: | 孫辰;姚凱同;袁黎平;張鑫 | 申請(專利權)人: | 無錫隆基硅材料有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L21/67;H01L21/673;H01L21/677 |
| 代理公司: | 南京經緯專利商標代理有限公司 32200 | 代理人: | 石艷紅 |
| 地址: | 214013 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 烘干 瀝干 硅片 烘干支架 傾斜面 工裝 清洗烘干裝置 花籃 硅片清洗 瀝干裝置 清洗槽 支架 搬運 水體 瀝水 傾斜放置 水分殘留 提升機構 支架設置 烘干槽 水殘留 殘水 產能 瀝除 升降 清洗 殘留 移動 申請 保證 | ||
本發明公開了一種硅片清洗瀝干裝置及方法、清洗烘干裝置及方法,包括花籃工裝、瀝干支架、提升機構和烘干支架;瀝干支架具有瀝干傾斜面,烘干支架具有烘干傾斜面;烘干支架設置在烘干槽的底部,瀝干支架設置在清洗槽中,且能相對清洗槽進行升降;花籃工裝底部能傾斜放置在瀝干傾斜面或烘干傾斜面上,花籃工裝用于設置硅片。通過搬運時和搬運后形態的改變,使水殘留在硅片間移動,破壞水體張力,減少水分殘留。本申請能使清洗的硅片,在烘干前,快速進行瀝水,瀝除多余殘水,節省烘干時間,在保證烘干質量的前提下,提高產能。同時,在烘干前,硅片底部無水體殘留,從而進一步節省烘干時間,提升烘干效果。
技術領域
本發明涉及硅片清洗技術領域,特別是一種硅片清洗瀝干裝置及方法、清洗烘干裝置及方法。
背景技術
隨著世界經濟的不斷發展,現代化建設對高效能源需求不斷增長。光伏發電作為綠色能源以及人類可持續發展的主要能源的一種,日益受到世界各國的重視并得到大力發展。單晶硅片作為光伏發電的一種基礎材料,有著廣泛的市場需求。
目前,硅片清洗,作為硅片制程檢測前的最后一道生產工序,較高的去污和干燥能力是硅片清洗能力的關鍵指標。現有的硅片在清洗槽中清洗時,借助花籃工裝將硅片在多個清洗槽和/或烘干箱間進行轉移。當硅片在清洗槽中完成清洗后,將花籃工裝從清洗槽中向上提升時,硅片底部有大面積的水殘留。具有大面積水殘留的硅片,轉移至烘干箱中進行烘干時,將使得烘干時間延長,烘干效率下降。另外,在產能壓力下,去污和干燥的條件越發苛刻,給予該階段的產能節拍時間越來越短,勢必會引起清洗能力會下降,烘干能力也會下降。
因此,在制程過程中充分利用節拍和動作,在產能釋放的同時,保證原有清洗質量,顯得尤為重要。
發明內容
本發明要解決的技術問題是針對上述現有技術的不足,而提供一種硅片清洗瀝干裝置,該硅片清洗瀝干裝置能使清洗的硅片,快速進行瀝水,瀝除多余殘水,提高產能。同時,在硅片離開清洗介質后,能進一步減少硅片底部水體殘留。
為解決上述技術問題,本發明采用的技術方案是:
一種硅片清洗瀝干裝置,包括清洗槽、瀝干支架和至少一個花籃工裝;清洗槽盛有清洗介質,瀝干支架和至少一個花籃工裝均位于清洗槽內,花籃工裝用于設置硅片,瀝干支架具有與清洗介質液面之間成第一夾角的至少一個瀝干傾斜面,花籃工裝與瀝干傾斜面相配合;瀝干支架能相對于清洗槽升降,瀝干支架帶動所承托的花籃工裝上升,使設置于花籃工裝的硅片靠近清洗槽底部的至少一個邊緣與清洗介質液面之間成第二夾角;第一夾角和第二夾角均大于0°且小于90°。
第一夾角和第二夾角均為1-30°。
第一夾角和第二夾角均為3-10°。
瀝干支架包括兩個相對設置的瀝干桿,瀝干傾斜面位于瀝干桿遠離清洗槽底部的一側,兩個瀝干桿的瀝干傾斜面相對應,花籃工裝承托于兩個瀝干桿之間、與兩個瀝干桿的瀝干傾斜面相配合。
每個瀝干桿均具有多個瀝干傾斜面,多個瀝干傾斜面沿瀝干桿的長度方向平行布設,花籃工裝的數量小于或等于每個瀝干桿的瀝干傾斜面的數量。
瀝干支架還包括至少一根連接側桿,連接側桿連接于兩個瀝干桿之間。
硅片清洗瀝干裝置還包括兩根相互平行的風淋管,兩根風淋管相對設置在清洗槽頂部,每根風淋管朝向花籃工裝的一側均設置有若干出風口;每根風淋管的高度均能相對清洗槽升降,每根風淋管均能在對應的豎向平面內繞自身軸線進行轉動并使自身定位。
硅片清洗瀝干裝置還包括提升機構,提升機構能將位于瀝干傾斜面上的花籃工裝,相對清洗槽進行提升與轉移。
提升機構包括兩塊掛鉤板和提拉移動裝置。
提拉移動裝置,能使兩塊掛鉤板實現橫向、縱向和豎向的三維移動。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





