[發明專利]清潔半導體芯片的方法

在審

• 申請號: 201910666346.8
• 申請日: 2019-07-23
• 公開（公告）號: CN111162001A
• 公開（公告）日: 2020-05-15
• 發明（設計）人: 李惠卿;樸晟見
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L27/146
• 代理公司: 北京市立方律師事務所 11330
• 代理人: 李娜

提供了一種清潔半導體芯片的方法，所述方法包括：將第一極性組分施加到位于至少一個半導體芯片的表面上的保護層，以從所述至少一個半導體芯片的所述表面去除顆粒，并使所述顆粒懸浮在所述第一極性組分中；以及將表面張力小于所述第一極性組分的表面張力的第二極性組分施加到所施加的第一極性組分的中心部分，以將所述第一極性組分和所述顆粒推向所述至少一個半導體芯片的外圍。

相關申請的交叉引用

于2018年11月8日在韓國知識產權局提交的標題為“Method of Cleaning aSemiconductor Chip and Apparatus for Performing the Same”的韓國專利申請No.10-2018-0136259通過引用整體并入本文。

技術領域

實施例涉及清潔半導體芯片的方法及用于執行該方法的裝置。

背景技術

半導體襯底上可能形成有多個CMOS(互補金屬氧化物半導體)圖像傳感器。可以沿劃片道切割半導體襯底以分割或分離開這些CMOS圖像傳感器。

發明內容

可以通過提供一種清潔半導體芯片的方法來實現實施例，所述方法包括：將第一極性組分施加到位于至少一個半導體芯片的表面上的保護層，以從所述至少一個半導體芯片的所述表面去除顆粒，并使所述顆粒懸浮在所述第一極性組分中；以及將表面張力小于所述第一極性組分的表面張力的第二極性組分施加到所施加的第一極性組分的中心部分，以將所述第一極性組分和所述顆粒推向所述至少一個半導體芯片的外圍。

可以通過提供一種清潔CMOS圖像傳感器的方法來實現實施例，所述方法包括：通過將第一極性組分施加到至少一個CMOS圖像傳感器的表面上來溶解其上的丙烯酸類聚合物層，使得可以從所述至少一個CMOS圖像傳感器的所述表面去除顆粒并使所述顆粒懸浮在所述第一極性組分中；將表面張力可以小于所述第一極性組分的表面張力的第二極性組分施加到所施加的第一極性組分的中心部分，以將所述第一極性組分和所述顆粒推向所述至少一個CMOS圖像傳感器的外圍；將去離子水噴射到所述至少一個CMOS圖像傳感器；以及從所述至少一個CMOS圖像傳感器的所述表面干燥所述去離子水。

可以通過提供一種用于清潔半導體芯片的裝置來實現實施例，所述半導體芯片包括位于其表面上的保護層，所述裝置包括：第一噴嘴，所述第一噴嘴布置為在位于所述半導體芯片的表面上的所述保護層上方，并且將第一極性組分施加到所述保護層以從所述半導體芯片的所述表面去除顆粒并使所述顆粒懸浮在所述第一極性組分中；以及第二噴嘴，所述第二噴嘴布置為在所述保護層上方并將表面張力小于所述第一極性組分的表面張力的第二極性組分施加到所施加的第一極性組分的中心部分，以將所述第一極性組分和所述顆粒推向所述半導體芯片的外圍。

附圖說明

通過參照附圖詳細描述示例性實施例，特征對于本領域技術人員將是顯而易見的，在附圖中：

圖1至圖6示出了在使用根據示例實施例的清潔裝置清潔半導體芯片的方法中的各階段的截面圖；以及

圖7示出了根據示例實施例的清潔半導體芯片的方法的流程圖。

具體實施方式

圖1至圖6示出了在使用根據示例實施例的清潔裝置清潔半導體芯片的方法中的各階段的截面圖，圖7示出了根據示例實施例的清潔半導體芯片的方法的流程圖。

參照圖1和圖7，在操作ST210中，可以在卡盤110的上表面上設置半導體芯片C。在一種實施方式中，可以在卡盤的上表面上設置帶T(半導體芯片C可以附著到該帶T)。可以通過切割半導體襯底來形成半導體芯片C。半導體芯片C可以包括CMOS圖像傳感器。