[發明專利]清潔半導體芯片的方法

在審

• 申請號: 201910666346.8
• 申請日: 2019-07-23
• 公開（公告）號: CN111162001A
• 公開（公告）日: 2020-05-15
• 發明（設計）人: 李惠卿;樸晟見
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L27/146
• 代理公司: 北京市立方律師事務所 11330
• 代理人: 李娜

1.一種清潔半導體芯片的方法，所述方法包括：

將第一極性組分施加到位于至少一個半導體芯片的表面上的保護層，以從所述至少一個半導體芯片的所述表面去除顆粒，并使所述顆粒懸浮在所述第一極性組分中；以及

將表面張力小于所述第一極性組分的表面張力的第二極性組分施加到所施加的第一極性組分的中心部分，以將所述第一極性組分和所述顆粒推向所述至少一個半導體芯片的外圍。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，將所述第一極性組分施加到所述保護層包括：使所述保護層溶解在所述第一極性組分中以從所述至少一個半導體芯片的所述表面去除所述顆粒并使所述顆粒懸浮在所述第一極性組分中。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，將所述第一極性組分施加到所述保護層包括：使所述保護層暴露于所述第一極性組分直到所述保護層溶解。

4.根據權利要求3所述的方法，其中，所述保護層暴露于所述第一極性組分10秒至300秒。

5.根據權利要求2所述的方法，其中：

所述保護層包括丙烯酸類聚合物，并且

所述第一極性組分包括二甲基亞砜、乙二醇和胺。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，所述第一極性組分包括70重量％至90重量％的二甲基亞砜、1重量％至15重量％的乙二醇和1重量％至15重量％的胺。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，將所述第一極性組分施加到所述保護層包括：向所述保護層的中心部分提供所述第一極性組分以用所述第一極性組分覆蓋所述保護層的全部表面。

8.根據權利要求7所述的方法，其中，施加到所述保護層的所述表面的所述第一極性組分的量為50ml至250ml。

9.根據權利要求7所述的方法，其中，將所述第一極性組分施加到所述保護層包括：在所述至少一個半導體芯片旋轉時將所述第一極性組分提供到所述保護層。

10.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第二極性組分的表面張力為所述第一極性組分的表面張力的10％至60％。

11.根據權利要求10所述的方法，其中，所述第二極性組分包括甲醇、乙醇、丙醇、正己烷、正辛烷、全氟己烷、全氟辛烷、氯丁烷、丙酮、氯仿、異丁基氯或它們的組合。

12.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第二極性組分的提供量小于或等于所述第一極性組分的提供量。

13.根據權利要求1所述的方法，所述方法還包括：在將所述第二極性組分施加到所述第一極性組分之后，將去離子水噴射到所述至少一個半導體芯片。

14.根據權利要求13所述的方法，其中，所述去離子水的噴射壓力為0.05MPa至1.0MPa。

15.根據權利要求13所述的方法，其中，將所述去離子水噴射到所述至少一個半導體芯片包括使所述至少一個半導體芯片旋轉。

16.根據權利要求15所述的方法，其中，所述至少一個半導體芯片以100rpm至1000rpm的速度旋轉。

17.根據權利要求13所述的方法，所述方法還包括：從所述至少一個半導體芯片的所述表面干燥所述去離子水。

18.根據權利要求17所述的方法，其中，干燥所述去離子水包括使所述至少一個半導體芯片旋轉。