[發明專利]鍺銻碲粉體、靶材的制備方法在審
| 申請號: | 201910664915.5 | 申請日: | 2019-07-23 |
| 公開(公告)號: | CN110342473A | 公開(公告)日: | 2019-10-18 |
| 發明(設計)人: | 沈文興;白平平;朱劉;童培云;肖翀 | 申請(專利權)人: | 先導薄膜材料(廣東)有限公司 |
| 主分類號: | C01B19/00 | 分類號: | C01B19/00;C23C14/34 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 511517 廣東省清*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 制備 靶材 鍺銻碲 粉體 鍺銻碲合金 合成 靶材純度 二元合金 粉碎制粉 三元合金 微觀缺陷 混料 均質 收率 | ||
1.一種鍺銻碲粉體的制備方法,其特征在于:其包括如下步驟:
S1、二元合金合成:在保護氣體保護作用下,取一定比例的Ge粉和Te粉、Sb粒和Te粉分別放入第一石英舟、第二石英舟內,將第一石英舟、第二石英舟分別放入管式爐中,采用階梯升溫保溫方式進行加熱,分別反應形成GeTe合金和Sb2Te3合金;
S2、粉碎制粉:在保護氣體保護作用下,將GeTe合金和Sb2Te3合金采用粉碎機破碎,得到GeTe和Sb2Te3合金粉體;
S3、均質混料:按比例分別取S2所破碎得到的GeTe合金粉體和Sb2Te3合金粉體于PV桶中混合,再放入一定量的鋯球于PV桶中,然后通入保護氣體以排除PV桶中的空氣,采用電工膠帶密封PV桶,之后將PV桶放到球磨機上均質6~8h;
S4、三元合金粉體合成:取S3中的均質粉體放入第三石英舟內,放入管式爐中采用階梯升溫保溫方式進行加熱,加熱反應形成Ge2Sb2Te5合金,然后打粉、篩分得到Ge2Sb2Te5合金粉體。
2.根據權利要求1所述的鍺銻碲粉體的制備方法,其特征在于:第一石英舟中的Ge和Te之間的化學計量比小于1:1,Te過量0.25%~0.5%;第二石英舟中的Sb和Te之間的化學計量比小于2:3,Te過量0.25%~0.5%。
3.根據權利要求1所述的鍺銻碲粉體的制備方法,其特征在于:S1中,第一石英舟在管式爐中的階梯升溫保溫方式具體為:自室溫以第一升溫速率升溫至450~500℃,保溫時間T1為30~120min ,之后以第二升溫速率升溫至700~800℃,保溫時間T2為120~300min。
4.根據權利要求1所述的鍺銻碲粉體的制備方法,其特征在于:S1中,第二石英舟在管式爐中的階梯升溫保溫方式具體為:自室溫以第三升溫速率升溫至450~500℃,保溫時間T3為30~120min,之后以第四升溫速率升溫至800~900℃,保溫時間T4為120~300min。
5.根據權利要求1所述的鍺銻碲粉體的制備方法,其特征在于:S4中,第三石英舟在管式爐中的階梯升溫保溫方式具體為:自室溫以第五升溫速率升溫至630~670℃,保溫時間T5為30~120min ,之后以第六升溫速率升溫至800~900℃,保溫時間T6為120~300min。
6.根據權利要求1所述的鍺銻碲粉體的制備方法,其特征在于:第一升溫速率~第六升溫速率均在2~10℃/min之間。
7.一種鍺銻碲靶材的制備方法,其特征在于:其包括權利要求1-6任一所述的鍺銻碲粉體的制備方法,還包括S5:將S4得到的Ge2Sb2Te5合金粉體放入石墨模具中進行真空熱壓燒結,得到鍺銻碲濺射靶材。
8.根據權利要求7所述的鍺銻碲靶材的制備方法,其特征在于:S5具體為:將打粉、篩分后所得的細小鍺銻碲合金粉體放入一石墨模具中,并將石墨模具放入一真空爐后進行預壓,關閉真空爐的爐門后開粗抽閥至真空爐爐腔內絕對真空度小于600Pa,然后開機械泵使真空爐爐腔內的絕對真空度小于10Pa時,開加熱電源使得真空爐以第七升溫速率升溫至500~600℃,緩慢加壓使真空爐爐內壓力達到30~45MPa,開始保溫保壓30~60min,隨后關閉加熱電源,當溫度小于450℃時開始卸壓至預壓壓力,待爐腔內溫度小于300℃時,開爐門對其吹風進行冷卻,隨后把石墨模具拿出冷卻至室溫后,取出鍺銻碲靶坯,進行機加工后得到鍺銻碲靶材。
9.根據權利要求8所述的鍺銻碲靶材的制備方法,其特征在于:預壓壓力為20MPa。
10.根據權利要求8所述的鍺銻碲靶材的制備方法,其特征在于:第七升溫速率為2~10℃/min。
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