[發(fā)明專利]標(biāo)記的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910664807.8
• 申請(qǐng)日: 2019-07-23
• 公開（公告）號(hào): CN112185934B
• 公開（公告）日: 2022-08-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林曉江;李佳廣;顏勢(shì)锜
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 力晶積成電子制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/544
• 分類號(hào): H01L23/544;H01L21/768
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

本發(fā)明公開一種標(biāo)記的制造方法，包括以下步驟。提供基底。基底包括元件區(qū)與標(biāo)記區(qū)。在基底上形成介電層。在元件區(qū)的介電層中形成雙重金屬鑲嵌開口。雙重金屬鑲嵌開口包括彼此相連的第一開口與第二開口。第二開口的寬度大于第一開口的寬度。在標(biāo)記區(qū)的介電層中形成第三開口。第三開口與第一開口由同一道制作工藝同時(shí)形成。在雙重金屬鑲嵌開口的表面上與第三開口的表面上形成阻障材料層。阻障材料層封住第三開口，而在第三開口中形成孔洞。在阻障材料層上形成金屬材料層。移除雙重金屬鑲嵌開口外部與第三開口外部的金屬材料層與阻障材料層。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體元件的制造方法，且特別是涉及一種標(biāo)記的制造方法。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體制作工藝中，會(huì)使用各種標(biāo)記(如，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記(alignment mark)或重疊標(biāo)記(overlay mark))來協(xié)助制作工藝順利進(jìn)行。一般而言，標(biāo)記是通過段差(stepdifference)或色差(color difference)來產(chǎn)生標(biāo)記信號(hào)。然而，后續(xù)制作工藝中所形成的其他膜層可能會(huì)對(duì)標(biāo)記的功能造成阻礙，而無法獲得標(biāo)記信號(hào)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種標(biāo)記的制造方法，其可制作出能夠產(chǎn)生明顯標(biāo)記信號(hào)的標(biāo)記。

本發(fā)明提出一種標(biāo)記的制造方法，包括以下步驟。提供基底。基底包括元件區(qū)與標(biāo)記區(qū)。在基底上形成介電層。在元件區(qū)的介電層中形成雙重金屬鑲嵌開口。雙重金屬鑲嵌開口包括彼此相連的第一開口與第二開口。第二開口位于第一開口的上方。第二開口的寬度大于第一開口的寬度。在標(biāo)記區(qū)的介電層中形成第三開口。第三開口與第一開口由同一道制作工藝同時(shí)形成。在雙重金屬鑲嵌開口的表面上與第三開口的表面上形成阻障材料層。阻障材料層封住第三開口，而在第三開口中形成孔洞(void)。在阻障材料層上形成金屬材料層。金屬材料層填入雙重金屬鑲嵌開口中。移除雙重金屬鑲嵌開口外部與第三開口外部的金屬材料層與阻障材料層，而在雙重金屬鑲嵌開口中形成第一阻障層與雙重金屬鑲嵌結(jié)構(gòu)，且在第三開口中形成第二阻障層。

依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述標(biāo)記的制造方法中，第三開口的深寬比可大于雙重金屬鑲嵌開口的深寬比。

依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述標(biāo)記的制造方法中，第一開口可為介層窗開口。

依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述標(biāo)記的制造方法中，第二開口可為溝槽。

依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述標(biāo)記的制造方法中，第三開口可為介層窗開口。

依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述標(biāo)記的制造方法中，阻障材料層的材料例如是鈦(Ti)、氮化鈦(TiN)、鉭(Ta)、氮化鉭(TaN)或其組合。

依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述標(biāo)記的制造方法中，阻障材料層可共形地形成在雙重金屬鑲嵌開口的表面上與第三開口的表面上。

依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述標(biāo)記的制造方法中，阻障材料層的形成方法例如是物理氣相沉積法或化學(xué)氣相沉積法。

依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述標(biāo)記的制造方法中，阻障材料層的厚度可大于第三開口的頂部的寬度的二分之一。

依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述標(biāo)記的制造方法中，阻障材料層的厚度可小于雙重金屬鑲嵌開口的頂部的寬度的二分之一。

依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述標(biāo)記的制造方法中，金屬材料層的材料例如是銅。

依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述標(biāo)記的制造方法中，金屬材料層的形成方法例如是物理氣相沉積法或電化學(xué)鍍覆(electrochemical plating，ECP)法。

依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，在上述標(biāo)記的制造方法中，雙重金屬鑲嵌開口外部與第三開口外部的金屬材料層與阻障材料層的移除方法例如是化學(xué)機(jī)械研磨法。