[發明專利]標記的制造方法

有效

• 申請號: 201910664807.8
• 申請日: 2019-07-23
• 公開（公告）號: CN112185934B
• 公開（公告）日: 2022-08-16
• 發明（設計）人: 林曉江;李佳廣;顏勢锜
• 申請（專利權）人: 力晶積成電子制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;H01L21/768
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種標記的制造方法，包括：

提供基底，其中所述基底包括元件區與標記區；

在所述基底上形成介電層；

在所述元件區的所述介電層中形成雙重金屬鑲嵌開口，其中所述雙重金屬鑲嵌開口包括彼此相連的第一開口與第二開口，所述第二開口位于所述第一開口的上方，且所述第二開口的寬度大于所述第一開口的寬度；

在所述標記區的所述介電層中形成第三開口，其中所述第三開口與所述第一開口由同一道制作工藝同時形成；

在所述雙重金屬鑲嵌開口的表面上與所述第三開口的表面上形成阻障材料層，其中所述阻障材料層封住所述第三開口，而在所述第三開口中形成孔洞；

在所述阻障材料層上形成金屬材料層，其中所述金屬材料層填入所述雙重金屬鑲嵌開口中；以及

移除所述雙重金屬鑲嵌開口外部與所述第三開口外部的所述金屬材料層與所述阻障材料層，而在所述雙重金屬鑲嵌開口中形成第一阻障層與雙重金屬鑲嵌結構，且在所述第三開口中形成第二阻障層。

2.如權利要求1所述的標記的制造方法，其中所述第三開口的深寬比大于所述雙重金屬鑲嵌開口的深寬比。

3.如權利要求1所述的標記的制造方法，其中所述第一開口包括介層窗開口。

4.如權利要求1所述的標記的制造方法，其中所述第二開口包括溝槽。

5.如權利要求1所述的標記的制造方法，其中所述第三開口包括介層窗開口。

6.如權利要求1所述的標記的制造方法，其中所述阻障材料層的材料包括鈦、氮化鈦、鉭、氮化鉭或其組合。

7.如權利要求1所述的標記的制造方法，其中所述阻障材料層共形地形成在所述雙重金屬鑲嵌開口的表面上與所述第三開口的表面上。

8.如權利要求1所述的標記的制造方法，其中所述阻障材料層的形成方法包括物理氣相沉積法或化學氣相沉積法。

9.如權利要求1所述的標記的制造方法，其中所述阻障材料層的厚度大于所述第三開口的頂部的寬度的二分之一。

10.如權利要求1所述的標記的制造方法，其中所述阻障材料層的厚度小于所述雙重金屬鑲嵌開口的頂部的寬度的二分之一。

11.如權利要求1所述的標記的制造方法，其中所述金屬材料層的材料包括銅。

12.如權利要求1所述的標記的制造方法，其中所述金屬材料層的形成方法包括物理氣相沉積法或電化學鍍覆法。

13.如權利要求1所述的標記的制造方法，其中所述雙重金屬鑲嵌開口外部與所述第三開口外部的所述金屬材料層與所述阻障材料層的移除方法包括化學機械研磨法。

14.如權利要求1所述的標記的制造方法，其中在移除所述雙重金屬鑲嵌開口外部與所述第三開口外部的所述金屬材料層與所述阻障材料層的步驟中，部分所述介電層被移除，而增大所述第三開口的頂部的寬度。

15.如權利要求1所述的標記的制造方法，其中所述雙重金屬鑲嵌結構的形成方法包括介層窗優先雙重金屬鑲嵌法或溝槽優先雙重金屬鑲嵌法。

16.如權利要求1所述的標記的制造方法，還包括：

在所述第二阻障層上形成不透光層。

17.如權利要求16所述的標記的制造方法，其中所述不透光層的材料包括鉭、氮化鉭、鈦、氮化鈦、鋁、銅、鎢或其組合。

18.如權利要求16所述的標記的制造方法，其中所述不透光層在所述第三開口的位置具有段差。