[發(fā)明專利]動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910664116.8
• 申請(qǐng)日: 2019-07-23
• 公開（公告）號(hào): CN112309983B
• 公開（公告）日: 2023-10-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林昶鴻;張峰榮;歐陽自明
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H10B12/00
• 分類號(hào): H10B12/00
• 代理公司: 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 羅英;臧建明

一種動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的制造方法。于襯底中形成多個(gè)開口。于各開口的上部的側(cè)壁形成硬遮罩。部分地移除襯底以及硬遮罩，以形成沿第一方向延伸且沿第二方向排列的多個(gè)隔離溝渠，并定義出多個(gè)有源區(qū)。各有源區(qū)位于隔離溝渠之間，且硬遮罩留下來的部分位于各有源區(qū)的兩側(cè)。以介電層填滿隔離溝渠與開口。介電層的材料與硬遮罩的材料不同。部分地移除襯底與介電層，以形成多個(gè)埋入式字線溝渠。各埋入式字線溝渠沿第三方向延伸，穿過有源區(qū)、開口與隔離溝渠。于埋入式字線溝渠中形成多個(gè)埋入式字線。本發(fā)明的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器可以增加工藝的裕度，降低埋入式字線與有源區(qū)短路的風(fēng)險(xiǎn)，減少結(jié)漏電的問題。此外，還提出一種動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種集成電路及其制造方法，尤其涉及一種動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器及其制造方法。

背景技術(shù)

隨著科技日新月異，為了符合消費(fèi)者對(duì)于小型化電子裝置的需求，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)的尺寸不斷縮小，并朝高積集度發(fā)展。近年來發(fā)展出埋入式字線動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(buried word line DRAM)。在埋入式字線動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的工藝中，由于元件尺寸不斷縮小，工藝裕度也隨之變小。在形成埋入式字線溝渠時(shí)，若發(fā)生錯(cuò)誤對(duì)準(zhǔn)，很容易導(dǎo)致埋入式字線與有源區(qū)發(fā)生短路，而造成結(jié)漏電(junction leakage)的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器及其制造方法，可以增加工藝的裕度，降低埋入式字線與有源區(qū)短路的風(fēng)險(xiǎn)，減少結(jié)漏電的問題。

本發(fā)明提供一種動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的制造方法，包括以下步驟。于襯底中形成多個(gè)開口。于各開口的上部的側(cè)壁形成硬遮罩。部分地移除襯底以及硬遮罩，以形成沿第一方向延伸且沿第二方向排列的多個(gè)隔離溝渠，并定義出多個(gè)有源區(qū)。各有源區(qū)位于隔離溝渠之間，且硬遮罩留下來的部分位于各有源區(qū)的兩側(cè)。以介電層填滿隔離溝渠與開口。介電層的材料與硬遮罩的材料不同。部分地移除襯底與介電層，以形成多個(gè)埋入式字線溝渠。各埋入式字線溝渠沿第三方向延伸，穿過有源區(qū)、開口與隔離溝渠，且硬遮罩留下來的部分位于各埋入式字線溝渠的兩側(cè)。于埋入式字線溝渠中形成多個(gè)埋入式字線。

在本發(fā)明實(shí)施例中，所述動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的制造方法更包括在形成所述硬遮罩之前，于各所述開口的下部填入犧牲層，其中，形成所述隔離溝渠的步驟還包括移除所述犧牲層。

在本發(fā)明實(shí)施例中，于所述襯底中形成所述開口包括于所述襯底上形成第二硬遮罩，并以所述第二硬遮罩為掩模蝕刻所述襯底，以在所述襯底中形成多個(gè)淺開口；在所述淺開口的側(cè)壁形成第三硬遮罩；以及對(duì)所述淺開口與所述第三硬遮罩下方的所述襯底進(jìn)行蝕刻工藝以形成所述開口。

在本發(fā)明實(shí)施例中，所述動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的制造方法還包括在形成所述埋入式字線溝渠之前，以所述硬遮罩留下來的部分為掩模，部分地移除所述開口下方的所述襯底，以增加所述開口的深度，其中各所述開口的增加部分的寬度小于各所述開口的下部的寬度。

在本發(fā)明實(shí)施例中，形成所述埋入式字線的步驟包括：于所述埋入式字線溝渠中形成襯層與導(dǎo)電層；部分地移除所述襯層與所述導(dǎo)電層，使所述埋入式字線的頂面低于所述襯底的頂面；移除所述硬遮罩留下來的部分；以及將第二介電層填入于所述開口與所述埋入式字線溝渠中，使所述第二介電層覆蓋所述埋入式字線。

在本發(fā)明實(shí)施例中，各所述埋入式字線具有第一寬度與第二寬度，其中所述埋入式字線位于所述開口中的部分具有所述第一寬度，所述埋入式字線穿過所述有源區(qū)的部分具有所述第二寬度，且所述第一寬度小于所述第二寬度。

在本發(fā)明實(shí)施例中，所述第一方向與所述第三方向的夾角為鈍角。

在本發(fā)明實(shí)施例中，所述硬遮罩的寬度至少為2納米(nm)。