[發(fā)明專利]動態(tài)隨機(jī)存取存儲器及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910664116.8
• 申請日: 2019-07-23
• 公開（公告）號: CN112309983B
• 公開（公告）日: 2023-10-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 林昶鴻;張峰榮;歐陽自明
• 申請（專利權(quán)）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: H10B12/00
• 分類號: H10B12/00
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 羅英;臧建明

1.一種動態(tài)隨機(jī)存取存儲器的制造方法，其特征在于，包括：

于襯底中形成多個開口；

于各所述開口的上部的側(cè)壁形成硬遮罩；

部分地移除所述襯底以及所述硬遮罩，以形成沿第一方向延伸且沿第二方向排列的多個隔離溝渠，并定義出多個有源區(qū)，各所述有源區(qū)位于所述多個隔離溝渠之間，且所述硬遮罩留下來的部分位于各所述有源區(qū)的兩側(cè)；

以介電層填滿所述多個隔離溝渠與所述多個開口，所述介電層的材料與所述硬遮罩的材料不同；

部分地移除所述襯底與所述介電層，以形成多個埋入式字線溝渠，其中各所述埋入式字線溝渠沿第三方向延伸穿過所述多個有源區(qū)、所述多個開口與所述多個隔離溝渠，且所述硬遮罩留下來的部分位于各所述埋入式字線溝渠的兩側(cè)；以及

于所述多個埋入式字線溝渠中形成多個埋入式字線。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述動態(tài)隨機(jī)存取存儲器的制造方法，還包括：

在形成所述硬遮罩之前，于各所述開口的下部填入犧牲層，

其中，形成所述多個隔離溝渠的步驟還包括移除所述犧牲層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述動態(tài)隨機(jī)存取存儲器的制造方法，其中，于所述襯底中形成所述多個開口包括：

于所述襯底上形成第二硬遮罩，并以所述第二硬遮罩為掩模蝕刻所述襯底，以在所述襯底中形成多個淺開口；

在所述多個淺開口的側(cè)壁形成第三硬遮罩；以及

對所述多個淺開口與所述第三硬遮罩下方的所述襯底進(jìn)行蝕刻工藝以形成所述多個開口。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述動態(tài)隨機(jī)存取存儲器的制造方法，還包括：

在形成所述多個埋入式字線溝渠之前，以所述硬遮罩留下來的部分為掩模，部分地移除所述多個開口下方的所述襯底，以增加所述多個開口的深度，其中各所述開口的增加部分的寬度小于各所述開口的下部的寬度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述動態(tài)隨機(jī)存取存儲器的制造方法，其中形成所述多個埋入式字線的步驟包括：

于所述多個埋入式字線溝渠中形成襯層與導(dǎo)電層；

部分地移除所述襯層與所述導(dǎo)電層，使所述多個埋入式字線的頂面低于所述襯底的頂面；

移除所述硬遮罩留下來的部分；以及

將第二介電層填入于所述多個開口與所述多個埋入式字線溝渠中，使所述第二介電層覆蓋所述多個埋入式字線。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述動態(tài)隨機(jī)存取存儲器的制造方法，其中各所述埋入式字線具有第一寬度與第二寬度，其中各所述埋入式字線位于各所述開口中的部分具有所述第一寬度，各所述埋入式字線穿過各所述有源區(qū)的部分具有所述第二寬度，且所述第一寬度小于所述第二寬度。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述動態(tài)隨機(jī)存取存儲器的制造方法，其中所述第一方向與所述第三方向的夾角為鈍角。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述動態(tài)隨機(jī)存取存儲器的制造方法，其中所述硬遮罩的寬度至少為2納米。

9.一種動態(tài)隨機(jī)存取存儲器，其特征在于，包括：

襯底；

多個分隔結(jié)構(gòu)，位于所述襯底中，各所述分隔結(jié)構(gòu)包括第一部分與第二部分，所述第一部分位于所述第二部分的上方，且所述第二部分的寬度小于所述第一部分的寬度；

多個隔離結(jié)構(gòu)，位于所述襯底中，所述多個隔離結(jié)構(gòu)沿第一方向延伸且沿第二方向排列，其中各所述分隔結(jié)構(gòu)位于相鄰兩個所述隔離結(jié)構(gòu)之間；

多個有源區(qū)，沿所述第一方向延伸，各所述有源區(qū)位于相鄰兩個所述隔離結(jié)構(gòu)以及相鄰兩個所述分隔結(jié)構(gòu)之間；以及

多個埋入式字線，位于多個埋入式字線溝渠的底部，所述多個埋入式字線溝渠沿第三方向延伸且沿第四方向排列，各所述埋入式字線溝渠穿過所述多個隔離結(jié)構(gòu)、所述多個分隔結(jié)構(gòu)與所述多個有源區(qū)，其中，所述多個埋入式字線穿過所述多個分隔結(jié)構(gòu)的部分與所述多個有源區(qū)之間具有間隔。