[發明專利]霍山石斛組培苗培育及煉苗方法

在審

• 申請號: 201910658866.4
• 申請日: 2019-07-22
• 公開（公告）號: CN110214702A
• 公開（公告）日: 2019-09-10
• 發明（設計）人: 李靜婷;朱濤;李文建
• 申請（專利權）人: 平頂山學院
• 主分類號: A01H4/00
• 分類號: A01H4/00;A01G31/00;A01G24/28;A01G24/22;A01G24/10
• 代理公司: 鄭州金成知識產權事務所(普通合伙) 41121
• 代理人: 郭增欣

1.一種霍山石斛組培苗培育及煉苗方法，其特征在于：主要包括如下步驟：

1）無菌種子混合液制備與原球莖誘導

（1）對霍山石斛稍泛黃、未開裂的飽滿成熟果實進行常規消毒處理；

（2）將處理后的霍山石斛果實用無菌刀切開，把種子抖入適量的無菌水中搖勻，制成無菌種子混合液；

（3）配制誘導培養基：1/2M S+6-BA 0.6m g/L+NAA0.4m g/L+土豆汁20g/ L +蔗糖30g/L +瓊脂7g/ L ，PH為5.8；

（4）用無菌滴管吸適量種子混合液，逐一滴入誘導培養基中，培養18～22d，獲得小圓形顆粒狀原球莖；

2）增殖培養

（1）制備增殖培養基：M S+2，4-D 0.2m g/L+NAA0.4m g/L+土豆汁20g/ L +蔗糖30g/ L+瓊脂7g/ L，PH為5.8；

（2）將原球莖分散轉接至增殖培養基中，培養26-30天，獲得大量原球莖；

3）分化培養

（1）制備分化培養基：M S+IBA 0.8m g/L+NAA0.3m g/L+香蕉泥100g/ L +蔗糖30g/ L+瓊脂7g/ L，PH為5.8；

（2）將增殖培養獲得的原球莖，轉接在分化培養基中，培養35-40天，讓其分化形成根、莖、葉俱全的幼苗；

4）壯苗與生根培養

（1）制備壯苗與生根培養基：M S+NAA0.4m g/L+香蕉泥100g/ L +蔗糖30g/ L +瓊脂7g/ L，PH為5.8；

（2）把幼苗轉接到壯苗與生根培養基中，培養80-90天，獲得大量的健壯組培苗；

5）當霍山石斛組培苗長出 4 ～6 片真葉，苗高 5 ～7cm，每苗根數 3 根以上，且根系完好，即可進行煉苗。

2.根據權利要求1所述的霍山石斛組培苗培育及煉苗方法，其特征在于：把達到煉苗標準的組培瓶苗，移至干燥、清潔且有散射光的開放環境中，溫度設置在24～28 ℃之間，放置7～10 d，開蓋3～5d，用鑷子小心取出，洗凈附著在根部的培養基，用0.5%的高錳酸浸泡5分鐘，撈出晾至根部發白，3～5棵為一叢，栽植到已配制好并經過消毒的基質中，放置在遮光率70%、濕度80%、溫度25～28 ℃、通風良好的玻璃或塑料棚內；栽植7 d后，噴灑一次葉面營養液，以后每10 d噴一次；栽后1個月施一次花多多1號固體肥、噴甲基托布津殺菌劑；所述葉面營養液主要成分：1/2 MS的大量元素加入0.4mg/L的萘乙酸。

3.根據權利要求2所述的霍山石斛組培苗培育及煉苗方法，其特征在于：煉苗時，把達標的瓶苗移至有散射光的開放環境中馴化，及時補水，以彌補組培苗角質層不發達，表皮毛少，氣孔多而大易失水之弱點；當瓶苗葉色深綠、根系粗壯時進行移栽；栽培的植料成分配比：草炭土、細松鱗皮、碎石配比為1：2：1。

4.根據權利要求1、2或3所述的霍山石斛組培苗培育及煉苗方法，其特征在于：步驟1）中，無菌種子混合液制備與原球莖誘導時，先把霍山石斛稍泛黃、未開裂的飽滿成熟蒴果，用洗潔精清洗干凈，用75%酒精消毒30秒，用0.1%升汞消毒10分鐘，用無菌水沖洗4-5遍，然后將處理后的霍山石斛果使用無菌刀切開，將種子抖入無菌水中搖勻制成混合液。

5.根據權利要求1、2或3所述的霍山石斛組培苗培育及煉苗方法，其特征在于：誘導培養的溫度和光照條件：溫度為23～26℃、光照時間10～12 h/d、光照強度1600 Lx～2000Lx；增殖培養和分化培養的溫度和光照條件：溫度為24～26 ℃、光照時間12 h/d、光照強度2000 Lx～2500 Lx；壯苗與生根培養的溫度和光照條件：溫度為26℃、光照時間12 h/d、光照強度2200 Lx～2600 Lx。