[發明專利]光伏器件互連件、含其的光伏器件及形成互連件的方法在審
| 申請號: | 201910657450.0 | 申請日: | 2019-07-19 |
| 公開(公告)號: | CN110808306A | 公開(公告)日: | 2020-02-18 |
| 發明(設計)人: | 羅貝爾·費薩齊安;約亨·泰特斯 | 申請(專利權)人: | 北京鉑陽頂榮光伏科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/05 | 分類號: | H01L31/05 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 100176 北京市大興區北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 器件 互連 形成 方法 | ||
一種光伏器件互連件包含第一連接區域、第二連接區域和設置在第一連接區域和第二連接區域之間的重疊區域。該互連件包括設置在該第一區域、該第二區域和該重疊區域中的導電層。該導電層包括納米線導電網。第一介電層設置在該第一連接區域和該重疊區域中的導電層的下表面上,第二介電層設置在該第二連接區域和該重疊區域中的導電層的上表面上。
領域
本披露總體上涉及光伏器件互連件、含其的器件、及形成其的方法背景
目前正在開發光伏電池(例如,太陽能電池)作為“綠色”能源的一種來源。然而,太陽能電池的根本缺陷是以陣列的方式安裝和連接太陽能電池所涉及的困難和費用。
發明內容
根據本披露的不同實施方式,提供了一種光伏器件互連件,該光伏器件互連件具有第一連接區域、第二連接區域和設置在該第一和第二連接區域之間的重疊區域,該互連件包括:導電層,設置在該第一、第二和重疊區域中,該導電層包括納米線導電網;第一介電層,設置在該第一連接區域和該重疊區域中的導電層的下表面上;第二介電層,設置在該第二連接區域和該重疊區域中的導電層的上表面上。
根據本披露的不同實施方式,提供了一種制造光伏器件互連件的方法,該方法包括:將納米線溶液涂敷到透明的第一介電層,以在該第一介電層上形成導電的第一子層;將該納米線溶液涂敷到透明的第二介電層上,以在該第二介電層上形成導電的第二子層;將該第一和第二介電層部分地重疊;并且將該第一和第二介電層的重疊部分彼此粘附,使得該第一子層的一部分與該第二子層的一部分電接觸。
附圖說明
圖1A是根據本披露的不同實施方式的光伏器件的垂直截面圖,并且圖1B是圖1A的器件的俯視圖。
圖2A-2C是根據本披露的不同實施方式示出了制造互連件的方法的垂直截面圖。
圖3A和3B是根據本披露的不同實施方式的兩個連接的光伏器件100A,100B的垂直截面圖。
圖4示出了用于形成如圖1A所示的太陽能電池的示例性裝置。
詳細說明
附圖未按比例繪制。一個元件的多個實例可以在對該元件的單個實例做出展示的地方進行重復,除非另外明確地描述或清楚地指出元件的重復不存在。諸如“第一”,“第二”和“第三”之類的序數詞僅用于標識類似的元件,并且在本披露的說明書和權利要求書中可能采用不同的序數詞。如本文所用的,位于一個第二元件“上”的一個第一元件可位于該第二元件表面的外側上或該第二元件的內側上。如本文所用的,一個第一元件“直接”位于一個第二元件“上”,如果在該第一元件的表面和第二元件的表面之間存在一個直接的物理接觸的話。如本文所使用的,如果元件的結構部件由于其物理和/或電特性而本質上(inherently)能夠執行一種功能,則該元件“構造”為執行該功能。
同樣將理解的是,當元件或層被稱為在另一元件或層“上”或“連接到”另一元件或層時,它可以直接在另一元件或層上或直接連接到另一元件或層,或者可以存在多個中間元件或層。相反,當元件被稱為“直接在…上”或“直接連接到”另一元件或層時,沒有中間元件或層存在。將理解的是,出于本披露的目的,“X,Y和Z中的至少一個”可以被解釋為僅X,僅Y,僅Z,或者兩個或更多個項X,Y和Z的任意組合。(例如,XYZ,XYY、YZ、ZZ)。
本文中的范圍可以表示為從“約”一個特定值,和/或到“約”另一個特定值。當表示為這樣的范圍時,示例包括從該一個特定值和/或到該另一個特定值。類似地,當通過使用先行詞“約”將值表示為近似值時,將理解該特定值形成另一情況。在一些實施方式中,“約X”的值可以包括+/-1%X的多個值。將進一步理解,這些范圍每個的端點既在與另一個端點有關的方面,又在獨立于另一個端點的方面是顯著的。在本文中,元素的“基本上所有”可以指范圍為該元素總量從98-100%的元素的量。另外,當組分被稱為“基本上不含”某元素時,該組分可以完全不含該元素,或者可以包括痕量(例如,1%或更少)的元素。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





