[發明專利]光伏器件互連件、含其的光伏器件及形成互連件的方法在審
| 申請號: | 201910657450.0 | 申請日: | 2019-07-19 |
| 公開(公告)號: | CN110808306A | 公開(公告)日: | 2020-02-18 |
| 發明(設計)人: | 羅貝爾·費薩齊安;約亨·泰特斯 | 申請(專利權)人: | 北京鉑陽頂榮光伏科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/05 | 分類號: | H01L31/05 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 100176 北京市大興區北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 器件 互連 形成 方法 | ||
1.一種光伏器件互連件,具有第一連接區域、第二連接區域和設置在所述第一連接區域和所述第二連接區域之間的重疊區域,所述互連件包括:
導電層,設置在所述第一連接區域、所述第二連接區域和所述重疊區域中,所述導電層包括納米線導電網;
第一介電層,設置在所述第一連接區域和所述重疊區域中的所述導電層的下表面上;以及
第二介電層,設置在所述第二連接區域和所述重疊區域中的所述導電層的上表面上。
2.如權利要求1所述的互連件,其中所述第一介電層和所述第二介電層包括一種柔性透明介電材料。
3.如權利要求2所述的互連件,其中所述第一介電層和所述第二介電層各自包括:透明聚合物膜、透明非聚合物膜、透明低聚物膜、或其組合。
4.如權利要求1所述的互連件,其中所述納米線包括:導電金屬氧化物納米線、金屬納米線、或碳納米管。
5.如權利要求1所述的互連件,其中所述納米線包括:銀、鎳、或銅、或其組合。
6.如權利要求1所述的互連件,其中:
所述納米線具有的平均長寬比的范圍是從約10至約1000;并且
所述納米線具有的平均直徑的范圍是從約10nm至約500nm。
7.如權利要求1所述的互連件,其中
在所述第一連接區域中,所述導電層的上表面暴露在所述第二介電層的外部;并且
在所述第二連接區域中,所述導電層的下表面暴露在所述第二介電層的外部。
8.如權利要求1所述的互連件,其中所述導電層在所述重疊區域中比在所述第一連接區域和第二連接區域的任一連接區域中具有的納米線濃度更高。
9.如權利要求1所述的互連件,其中所述導電層具有至少85%的光學透明度。
10.如權利要求1所述的互連件,其中所述納米線覆蓋所述第一介電層的上表面和所述第二介電層的下表面的表面積的至少12%。
11.如權利要求1所述的互連件,其中所述第一介電層的所述表面積小于所述第二介電層的所述表面積。
12.一種光伏器件,包括:
如權利要求1所述的互連件;
導電襯底;
第一太陽能電池,設置在所述襯底的上表面上,所述第一太陽能電池包括設置在陰極和陽極之間的吸收層;并且
其中,在所述第二連接區域中,所述導電層是電連接到所述第一太陽能電池的上表面的。
13.如權利要求12所述的光伏器件,其中所述第一介電層是使用粘合劑而附著到所述第一太陽能電池并且附著到所述第二介電層。
14.如權利要求12所述的光伏器件,其中:
所述吸收層包括p型摻雜銅銦鎵硒材料;
所述陰極包括透明導電材料;
所述陽極包括金屬;并且
所述太陽能電池還包括緩沖層,所述緩沖層包括n摻雜的半導體材料,所述緩沖層設置在所述吸收層和所述陰極之間。
15.如權利要求12所述的光伏器件,進一步包括設置在導電襯底的上表面上的第二太陽能電池,所述第二太陽能電池包括設置在陽極和陰極之間的吸收層,
其中所述導電層在所述第一連接區域中是電連接到所述襯底的下表面的。
16.如權利要求15所述的光伏器件,其中所述導電層是經由所述第二太陽能電池的所述襯底電連接到所述第二太陽能電池的所述陽極的。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





