[發(fā)明專利]一種引線框架結(jié)構(gòu)及其封裝結(jié)構(gòu)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910654932.0
• 申請(qǐng)日: 2019-07-19
• 公開（公告）號(hào): CN110517999A
• 公開（公告）日: 2019-11-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周青云;沈錦新;周海峰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/495
• 分類號(hào): H01L23/495;H01L23/552;H01L21/48
• 代理公司: 11429 北京中濟(jì)緯天專利代理有限公司
• 代理人: 趙海波<國(guó)際申請(qǐng)>=<國(guó)際公布>=<進(jìn)入

本發(fā)明涉及一種引線框架結(jié)構(gòu)及其封裝結(jié)構(gòu)，所述引線框架結(jié)構(gòu)包括基島、引腳，所述基島包括外基島(1)和內(nèi)基島(2)，所述引腳包括外引腳(3)和內(nèi)引腳(4)，所述內(nèi)基島(2)四角位置通過導(dǎo)電線(5)延伸到切割道金屬(6)，所述外引腳(3)延伸到切割道金屬(6)，所述內(nèi)引腳(4)設(shè)置在外引腳(3)的上方，所述內(nèi)引腳(4)通過外引腳(3)與切割道金屬(6)相連。本發(fā)明種引線框架結(jié)構(gòu)及其封裝結(jié)構(gòu)，它可使引線框架封裝體具備EMI電磁屏蔽需求，以滿足復(fù)雜電磁環(huán)境、5G市場(chǎng)下QFN類封裝體的電磁屏蔽要求。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種引線框架結(jié)構(gòu)及其封裝結(jié)構(gòu)，屬于半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)

作為已公知的引線封裝如四方扁平引線(QFN)封裝，其產(chǎn)品上的內(nèi)引線端和相對(duì)的外引線端全部通過連桿連接至切割道上的引線框，封裝切割后連桿部分殘留在塑封體側(cè)壁。

隨著5G時(shí)代的臨近，半導(dǎo)體封裝器件處于更加復(fù)雜的電磁環(huán)境中，原無(wú)需電磁屏蔽需求的器件，也需要考慮來自外界其他高頻信號(hào)的干擾或影響。

現(xiàn)業(yè)界常規(guī)EMI屏蔽技術(shù)，在塑封體正面和四個(gè)側(cè)壁形成一層金屬導(dǎo)電EMI層，并接地，從而滿足產(chǎn)品電磁屏蔽需求。然而QFN類引線封裝器件，因其側(cè)壁有導(dǎo)電線連桿殘留，若側(cè)壁覆蓋上EMI金屬層，則導(dǎo)致所有引線全部短接，造成功能失效。

如何讓引線封裝器件(如QFN封裝)滿足日益復(fù)雜的電磁環(huán)境，是需要本技術(shù)領(lǐng)域急需解決的。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)提供一種引線框架結(jié)構(gòu)及其封裝結(jié)構(gòu)，它可使引線框架封裝體具備EMI電磁屏蔽需求，以滿足復(fù)雜電磁環(huán)境、5G市場(chǎng)下QFN類封裝體的電磁屏蔽要求。

本發(fā)明解決上述問題所采用的技術(shù)方案為：一種引線框架結(jié)構(gòu)，它包括基島、引腳，所述基島包括外基島和內(nèi)基島，所述引腳包括外引腳和內(nèi)引腳，所述內(nèi)基島四角位置通過導(dǎo)電線延伸到切割道金屬，所述外引腳延伸到切割道金屬，所述內(nèi)引腳設(shè)置在外引腳的上方，所述內(nèi)引腳通過外引腳與切割道金屬相連。

一種引線框架的封裝結(jié)構(gòu)，它包括引線框架，所述引線框架包括基島和引腳，所述基島包括外基島和內(nèi)基島，所述引腳包括外引腳和內(nèi)引腳，所述內(nèi)基島上通過粘結(jié)性材料設(shè)置有芯片，所述芯片與內(nèi)引腳之間通過金屬線相連接，所述基島、引腳和芯片外圍包封有塑封料形成塑封體，所述內(nèi)基島四角位置通過導(dǎo)電線延伸至塑封體側(cè)面，所述內(nèi)引腳不露出塑封體側(cè)面，所述外引腳露出塑封體側(cè)面，所述外引腳背離基島的側(cè)面與芯片塑封體側(cè)面外圍形成有一圈臺(tái)階，所述塑封料正面和四個(gè)側(cè)面設(shè)置有屏蔽層，所述基島通過導(dǎo)電線與屏蔽層相連接。

優(yōu)選的，所述臺(tái)階高度高于外引腳高度，低于內(nèi)引腳高度。

優(yōu)選的，所述導(dǎo)電線不是整片金屬，由分散的多個(gè)導(dǎo)電線組成。

優(yōu)選的，單顆封裝結(jié)構(gòu)側(cè)面設(shè)置有一圈邊緣導(dǎo)電線，所述邊緣導(dǎo)電線與引腳不導(dǎo)通，所述邊緣導(dǎo)電線通過導(dǎo)電線與屏蔽層相連接。

優(yōu)選的，單顆封裝結(jié)構(gòu)側(cè)面露出多條單獨(dú)的導(dǎo)電線側(cè)面，多條單獨(dú)的導(dǎo)線線間隔設(shè)置于相鄰的兩個(gè)引腳之間。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于：

1、本發(fā)明可使引線框架封裝體具備電磁屏蔽需求，以滿足復(fù)雜電磁環(huán)境、5G市場(chǎng)下QFN類封裝體的電磁屏蔽要求；

2、本發(fā)明通過導(dǎo)電線外露且導(dǎo)電線可根據(jù)需要設(shè)置不同位置，同時(shí)內(nèi)引腳不裸露，外引腳內(nèi)縮，使整個(gè)封裝體四個(gè)側(cè)壁接地部分與外層屏蔽層的接觸面積增加，可降低外界電磁信號(hào)通過引腳部分缺口影響產(chǎn)品芯片性能；

3、本發(fā)明當(dāng)切割形成臺(tái)階后，外引腳外側(cè)壁可見，滿足引腳側(cè)面浸潤(rùn)需求，提高封裝體與PCB板的焊接強(qiáng)度。

附圖說明

圖1為本發(fā)明一種引線框架的示意圖。