[發明專利]半導體器件

在審

• 申請號: 201910654902.X
• 申請日: 2019-07-19
• 公開（公告）號: CN110875276A
• 公開（公告）日: 2020-03-10
• 發明（設計）人: 橋本千惠美;矢山浩輔;松崎智一
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522;H03K3/011
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 李輝;傅遠

本公開的實施例涉及半導體器件。在模塑封裝過程結束后，多晶硅電阻具有大電阻變化率。為了實現高精度微調，期望實現幾乎不受通過模塑封裝過程在襯底中生成的應力和溫度波動影響的電阻。電阻元件形成在多個布線層中，并且具有形成在第一布線層中的第一導電層、形成在第二布線層中的第二導電層、以及連接第一導電層和第二導電層的層間導電層的重復圖案，并且層間導電層由多種材料形成。

相關申請的交叉引用

于2018年8月30日提交的包括說明書、附圖和摘要在內的日本專利申請號2018-161311的公開內容通過引用整體并入本文。

技術領域

本公開涉及一種具有形成在布線層中的電阻元件的半導體器件。

背景技術

在振蕩電路設置在半導體器件中的情況下，通常提供用于微調振蕩電路的頻率特性的微調電路。微調電路具有電阻器，并且通過調整電阻器的電阻值，可以將振蕩電路的振蕩頻率設置為每個半導體器件的期望值。作為用于微調電路的電阻元件，用于形成諸如晶體管之類的電路元件的多晶硅電阻器是已知的。多晶硅電阻器的優點在于可以形成多晶硅電阻器而不會使半導體器件的制造工藝復雜化，并且可以在高電阻率和小面積的情況下實現高電阻，但是已知電阻值在模塑封裝過程之后波動。這是因為硅芯片上的電阻元件(多晶硅電阻)受到來自模塑樹脂的應力，并且電阻值由于形狀改變、壓電效應等而改變。日本未審專利申請公開2013-229509規定了布置多晶硅電阻器以使多晶硅電阻器從模塑樹脂接收的應力最小化的位置。

發明內容

根據日本未審專利申請公開2013-229509，目的是在模塑封裝過程結束之后將多晶硅電阻器的電阻變化率從多晶硅電阻器的晶片狀態(即，微調完成狀態)抑制到大約±0.5％之內。然而，近年來，微調電路所需的精度已經很高，并且希望盡可能地降低電阻變化率。進一步地，在于日本未審專利申請公開2013-229509中公開的技術中，由于可以布置多晶硅電阻器的位置受到約束，所以布局的自由度不可避免地低。另外，由溫度變化引起的特性變化也影響振蕩電路的振蕩頻率的精度。為此，傳統上已經提供了用于控制振蕩頻率的溫度依賴性的控制電路，但是這增加了電路面積并且還導致芯片的功耗增加。

根據本說明書的描述和附圖，其他目的和新穎特征將變得顯而易見。

實現了電阻元件，其形成在多個布線層上，在垂直于半導體襯底表面的方向上具有主電阻，并且具有由多種類型的材料構成的主電阻?？梢詫崿F在模塑封裝過程結束之后具有小電阻變化率以及小溫度特性變化的電阻器。

可以實現在模塑封裝過程結束之后具有小電阻變化率以及小溫度特性變化的電阻器。

附圖說明

圖1是半導體器件的鎖定圖。

圖2是振蕩器電路的電路圖。

圖3是電阻元件的概念圖。

圖4是示出了抑制振蕩器頻率的溫度依賴性的原理的圖。

圖5是電阻元件的示例。

圖6是電阻元件的電路圖。

圖7是使用電阻元件的可變電阻的電路圖。

圖8是示出了電阻元件的示例的圖。

圖9是示出了電阻元件的示例的圖。

圖10是示出了電阻元件的示例的圖。

圖11是示出了電阻元件的示例的圖。

圖12是示出了電阻元件的示例的圖。

圖13是示出了電阻元件的示例的圖。

圖14是示出了電阻元件的示例的圖。