[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910654902.X
• 申請日: 2019-07-19
• 公開（公告）號: CN110875276A
• 公開（公告）日: 2020-03-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 橋本千惠美;矢山浩輔;松崎智一
• 申請（專利權(quán)）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522;H03K3/011
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 李輝;傅遠(yuǎn)

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

半導(dǎo)體襯底；以及

多個布線層，形成在所述半導(dǎo)體襯底上，并且至少包括第一布線層和第二布線層，

其中在所述多個布線層中形成電阻元件，

其中所述電阻元件包括形成在所述第一布線層中的第一導(dǎo)電層、形成在所述第二布線層中的第二導(dǎo)電層、以及將所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層連接在一起的層間導(dǎo)電層的重復(fù)圖案，以及

其中所述層間導(dǎo)電層由多種材料形成，并且所述多種材料包括正溫度系數(shù)材料和負(fù)溫度系數(shù)材料中的至少一種。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，

其中電阻元件的所述重復(fù)圖案形成在第一區(qū)域和第二區(qū)域中，

其中形成在所述第一區(qū)域中的所述重復(fù)圖案和形成在所述第二區(qū)域中的所述重復(fù)圖案串聯(lián)耦合，以及

其中形成在所述第一區(qū)域中的所述層間導(dǎo)電層的材料與形成在所述第二區(qū)域中的所述層間導(dǎo)電層的材料不同。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，

其中所述電阻元件的所述重復(fù)圖案形成在第三區(qū)域中，

其中形成在所述第一區(qū)域中的所述重復(fù)圖案、形成在所述第二區(qū)域中的所述重復(fù)圖案、以及形成在所述第三區(qū)域中的所述重復(fù)圖案串聯(lián)耦合，

其中形成在所述第三區(qū)域中的所述重復(fù)圖案與旁路開關(guān)并聯(lián)設(shè)置，以及

其中形成在所述第三區(qū)域中的所述層間導(dǎo)電層的材料是形成在所述第一區(qū)域中的所述層間導(dǎo)電層的所述材料、或者是形成在所述第二區(qū)域中的所述層間導(dǎo)電層的所述材料。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，

其中所述布線層包括所述第一布線層和所述第二布線層之間的第三布線層，

其中形成在所述第一區(qū)域中的所述層間導(dǎo)電層形成在所述第一布線層和第二所述布線層之間，而不會形成在所述第二布線層和所述第三布線層之間，以及

其中形成在所述第二區(qū)域中的所述層間導(dǎo)電層形成在所述第二布線層和所述第三布線層之間，而不會形成在所述第一布線層和所述第二布線層之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，

其中所述布線層包括所述第一布線層和所述第二布線層之間的第三布線層，

其中形成在所述第三區(qū)域中的所述層間導(dǎo)電層的所述材料與形成在所述第一區(qū)域中的所述層間導(dǎo)電層的所述材料相同，并且形成在所述第三區(qū)域中的所述層間導(dǎo)電層形成在所述第一布線層和所述第二布線之間，而不會形成在所述第二布線層和所述第三布線層之間，或者其中，形成在所述第三區(qū)域中的所述層間導(dǎo)電層的所述材料與形成在所述第二區(qū)域中的所述層間導(dǎo)電層的所述材料相同，并且形成在所述第三區(qū)域中的所述層間導(dǎo)電層形成在所述第二布線層和所述第三布線層之間，而不會形成在所述第一布線層和所述第二布線層之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，

其中所述布線層包括所述第一布線層和所述第二布線層之間的第三布線層，以及

其中形成在所述第一布線層和所述第二布線層之間的所述層間導(dǎo)電層的材料與形成在所述第二布線層和所述第三布線層之間的所述層間導(dǎo)電層的材料不同。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，

其中所述電阻元件還包括具有所述第一導(dǎo)電層、形成在所述第三布線層上的第三導(dǎo)電層、以及連接到所述第一導(dǎo)電層和所述第三導(dǎo)電層的層間導(dǎo)電層的圖案，或者具有所述第二導(dǎo)電層、所述第三導(dǎo)電層、以及連接到所述第二導(dǎo)電層和所述第三導(dǎo)電層的所述層間導(dǎo)電層的圖案。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，

其中所述層間導(dǎo)電層包括形成在所述第三布線層上的接合焊盤、耦合到所述第一導(dǎo)電層和所述接合焊盤的第一過孔、耦合所述第二導(dǎo)電層和所述接合焊盤的第二過孔，以及

其中所述接合焊盤的寬度、所述第一過孔的寬度以及所述第二過孔的寬度彼此不同。