[發明專利]一種COB顯示模塊固晶方法有效
| 申請號： | 201910654413.4 | 申請日： | 2019-07-19 |
| 公開（公告）號： | CN110364423B | 公開（公告）日： | 2021-08-10 |
| 發明（設計）人： | 羅新房 | 申請（專利權）人： | 深圳市金翰半導體技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02;H01L21/68;H01L21/683 |
| 代理公司： | 深圳市添源知識產權代理事務所(普通合伙) 44451 | 代理人： | 羅志偉 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市寶安*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 cob 顯示 模塊 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種COB顯示模塊固晶方法，其特征在于：包括以下步驟：
S1、取晶，在單片藍膜上沿垂直芯片長邊方向取晶；
S2、固晶，以兩行兩列呈田字形分布為一個固晶單元，每一個所述固晶單元中的第一行第一列的位置為1號位，每一個所述固晶單元中的第一行第二列的位置為2號位，每一個所述固晶單元中的第二行第一列的位置為3號位，每一個所述固晶單元中的第二行第二列的位置為4號位，固晶順序如下：
第一，從左到右、從上到下完成所有所述固晶單元中的1號位的固晶，第二，從左到右、從上到下完成所有所述固晶單元中的2號位的固晶，第三，從左到右、從上到下完成所有所述固晶單元中的3號位的固晶；最后，從左到右、從上到下完成所有所述固晶單元中的4號位的固晶；
在步驟S1中，從第一行第一列的芯片開始抓取，從上到下直至該列的最底部芯片取完，再從下一列的最底部芯片開始抓取，從下至上直至該列的最頂部芯片取完，再從下一列的最頂部芯片開始抓取，從上至下直至該列的最底部芯片取完，如此循環，直至取完芯片。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
