[發明專利]芯片、輸入輸出結構和墊層

在審

• 申請號: 201910652078.4
• 申請日: 2019-07-18
• 公開（公告）號: CN110491849A
• 公開（公告）日: 2019-11-22
• 發明（設計）人: 謝育樺;殷慧萍;張永光;王聰;聶玉慶
• 申請（專利權）人: 珠海格力電器股份有限公司
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L23/488;H01L23/60
• 代理公司: 11662 北京華夏泰和知識產權代理有限公司
• 代理人: 孟德棟<國際申請>=<國際公布>=<進入

1.一種芯片輸入輸出結構的墊層，其特征在于，包括沿靠近芯片器件的方向依次設置的第一金屬層(1)、第二金屬層組(2)和第三金屬層組(3)；

所述第二金屬層組(2)包括相互獨立的導通區(5)、輸入輸出電源區(7)和輸入輸出地區(6)，所述導通區(5)分別通過通孔層(4)與所述第一金屬層(1)和所述第三金屬層組(3)連接，所述第一金屬層(1)與封裝框架連接，所述第三金屬層組(3)、所述輸入輸出電源區(7)和所述輸入輸出地區(6)分別與芯片內的防靜電MOS場效應管連通。

2.根據權利要求1所述的芯片輸入輸出結構的墊層，其特征在于，所述第二金屬層組(2)按其厚度方向包括依次通過通孔層(4)連接的至少兩層金屬層(11)，所述通孔層(4)和至少兩層所述金屬層(11)均包括相互獨立的導通區(5)、輸入輸出電源區(7)和輸入輸出地區(6)，所述通孔層(4)的導通區(5)和至少兩層所述金屬層(11)的導通區(5)組成所述第二金屬層組(2)的導通區(5)，所述通孔層(4)的輸入輸出電源區(7)和至少兩層所述金屬層(11)的輸入輸出電源區(7)組成所述第二金屬層組(2)的輸入輸出電源區(7)，所述通孔層(4)的輸入輸出地區(6)和至少兩層所述金屬層(11)的輸入輸出地區(6)組成所述第二金屬層組(2)的輸入輸出地區(6)。

3.根據權利要求1所述的芯片輸入輸出結構的墊層，其特征在于，所述第三金屬層組(3)分別與N型防靜電MOS場效應管(16)的D端和P型防靜電MOS場效應管(17)的D端連接。

4.根據權利要求1所述的芯片輸入輸出結構的墊層，其特征在于，所述輸入輸出電源區(7)與P型防靜電MOS場效應管(17)的S端連接。

5.根據權利要求1所述的芯片輸入輸出結構的墊層，其特征在于，所述輸入輸出地區(6)與N型防靜電MOS場效應管(16)的S端連接。

6.根據權利要求2所述的芯片輸入輸出結構的墊層，其特征在于，所述第二金屬層組(2)還包括與所述導通區(5)、所述輸入輸出電源區(7)和所述輸入輸出地區(6)相互獨立的邏輯電源區(9)和邏輯地區(8)，所述邏輯電源區(9)和所述邏輯地區(8)也相互獨立；

所述邏輯電源區(9)和所述邏輯地區(8)分別與芯片內的邏輯區(18)連接。

7.根據權利要求6所述的芯片輸入輸出結構的墊層，其特征在于，所述通孔層(4)和至少兩層所述金屬層均包括分別與所述導通區(5)、所述輸入輸出電源區(7)和所述輸入輸出地區(6)相互獨立的邏輯電源區(9)和邏輯地區(8)，所述通孔層(4)的邏輯電源區(9)和至少兩層所述金屬層(11)的邏輯電源區(9)組成所述第二金屬層組(2)的邏輯電源區(9)，所述通孔層(4)的邏輯地區(8)和至少兩層所述金屬層(11)的邏輯地區(8)組成所述第二金屬層組(2)的邏輯地區(8)。

8.根據權利要求2所述的芯片輸入輸出結構的墊層，其特征在于，所述第三金屬層組(3)按其厚度方向包括一層金屬層(11)或依次通過通孔層(4)連接的至少兩層金屬層(11)。

9.根據權利要求8所述的芯片輸入輸出結構的墊層，其特征在于，所述第一金屬層(1)的厚度分別大于所述第二金屬層組(2)的金屬層(11)的厚度和所述第三金屬層組(3)的金屬層(11)的厚度。

10.根據權利要求9所述的芯片輸入輸出結構的墊層，其特征在于，所述第一金屬層(1)的遠離所述第二金屬層組(2)的一側還設有鈍化層(12)。

11.根據權利要求10所述的芯片輸入輸出結構的墊層，其特征在于，所述鈍化層(12)設有接線窗口(13)，所述接線窗口(13)處暴露出所述第一金屬層(1)，暴露出的所述第一金屬層(1)通過焊線(15)與封裝框架連接。