[發(fā)明專利]一種晶圓級封裝方法和晶圓在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910636287.X | 申請日： | 2019-07-15 |
| 公開（公告）號： | CN110223924A | 公開（公告）日： | 2019-09-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 江偉;史波;敖利波;謝恩福;唐輝 | 申請（專利權(quán)）人： | 珠海格力電器股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/56 | 分類號： | H01L21/56;H01L21/78;H01L21/60;H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京聿宏知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11372 | 代理人： | 吳大建;何嬌 |
| 地址： | 519000*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 晶圓 樹脂 切割道 種晶 封裝 硬化 晶圓級芯片封裝 生產(chǎn)周期 表面覆蓋 表面固化 晶圓表面 一次完成 破裂 覆蓋 加工 | ||
1.一種晶圓級封裝方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1：在晶圓的表面覆蓋樹脂使所述樹脂與所述晶圓的切割道接觸；
S2：加熱所述樹脂以使所述樹脂固化到預(yù)設(shè)硬度；
S3：切割所述樹脂和所述切割道以得到晶圓級芯片封裝單元。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓級封裝方法，其特征在于，步驟S1中，布置在晶圓上的引出端子被覆蓋所述樹脂內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓級封裝方法，其特征在于，所述方法還包括在步驟S2和步驟S3之間的電極構(gòu)造步驟，所述電極構(gòu)造步驟包括：
S401：在所述樹脂上蝕刻出電極槽以使所述引出端子從所述樹脂中露出；
S402：在所述電極槽內(nèi)添加焊料，所述焊料與所述引出端子接觸；
S403：形成與所述引出端子電連接的電極。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶圓級封裝方法，其特征在于，步驟S402中，所述焊料的端面沿背離所述引出端子的方向超過所述樹脂的表面。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶圓級封裝方法，其特征在于，在步驟S403中，所述焊料為錫膏，采用錫膏回流焊形成所述電極。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的晶圓級封裝方法，其特征在于，所述晶圓的表面包括晶圓上引出端子所在的第一表面、晶圓上與所述第一表面相對布置的第二表面。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的晶圓級封裝方法，其特征在于，所述樹脂為透明樹脂。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的晶圓級封裝方法，其特征在于，所述樹脂為環(huán)氧樹脂膠膜。
9.一種應(yīng)用于如權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的晶圓級封裝方法的晶圓，其特征在于，包括晶圓級芯片和位于相鄰晶圓級芯片之間的切割道，所述切割道能夠被切割為環(huán)繞在所述晶圓級芯片周圍并用于保護(hù)所述晶圓級芯片的子切割道。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
