[發明專利]一種晶圓級封裝方法和晶圓

在審

• 申請號: 201910636287.X
• 申請日: 2019-07-15
• 公開（公告）號: CN110223924A
• 公開（公告）日: 2019-09-10
• 發明（設計）人: 江偉;史波;敖利波;謝恩福;唐輝
• 申請（專利權）人: 珠海格力電器股份有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L21/78;H01L21/60;H01L23/00
• 代理公司: 北京聿宏知識產權代理有限公司 11372
• 代理人: 吳大建;何嬌

本發明提供一種晶圓級封裝方法、晶圓級芯片封裝單元和晶圓，本發明在對晶圓進行加工前直接在具有切割道的晶圓的表面覆蓋樹脂使樹脂與切割道接觸并高溫硬化，在后續對晶圓進行加工過程中，晶圓受到其表面固化的樹脂的保護，能夠防止晶圓在加工過程中易破裂的問題。通過上述方法能夠一次完成晶圓表面所有樹脂的覆蓋并高溫硬化，縮短了生產周期和降低成本。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，尤其涉及一種晶圓級封裝方法、晶圓級芯片封裝單元和晶圓。

背景技術

晶圓級芯片封裝技術是對整片晶圓進行封裝后再切割得到單個成品芯片的技術，封裝后的芯片尺寸與裸片基本一致。晶圓級芯片尺寸封裝技術改變傳統封裝如陶瓷無引線芯片載具、有機無引線芯片載具和數碼相機模塊式的模式，順應了市場對微電子產品日益輕、薄、短、小和低價化要求。經晶圓級芯片尺寸封裝技術后的芯片尺寸達到了高度微型化，芯片成本隨著芯片尺寸的減小和晶圓尺寸的增大而顯著降低。晶圓級芯片尺寸封裝技術是可以將IC設計、晶圓制造、封裝測試、基本板制造整合為一體的技術，是當前封裝領域的熱點和未來發展的趨勢。

現有晶圓級芯片封裝技術在封裝前段(晶圓切割，上芯，焊線制程)過程易導致晶圓破裂，且生產周期和成本較高；另外，晶圓級芯片到PCB之間采用焊線，如圖1、圖2所示，現有技術中，芯片3上的引出端子2通過焊線4連接引線框架5再連接到PCB等其它外接的元器件，芯片3和引出端子2被封裝在環氧樹脂1內。現有技術中通過焊線4連接的形式使得傳輸路徑長電感較大，傳輸不穩定，難以滿足電子產品薄、小的要求。

發明內容

為解決現有技術中在封裝前段過程中的晶圓破裂的技術問題，本發明提供一種日程提醒的方法、終端設備和存儲介質，具體方案如下：

一種晶圓級封裝方法，包括以下步驟：

S1：在晶圓的表面覆蓋樹脂使所述樹脂與所述晶圓的切割道接觸；

S2：加熱所述樹脂以使所述樹脂固化到預設硬度；

S3：切割所述樹脂和所述切割道以得到晶圓級芯片封裝單元。

進一步的，步驟S1中，布置在晶圓上的引出端子被覆蓋所述樹脂內。

進一步的，所述方法還包括在步驟S2和步驟S3之間的電極構造步驟，所述電極構造步驟包括：

S401：在所述樹脂上蝕刻出電極槽以使所述引出端子從所述樹脂中露出；

S402：在所述電極槽內添加焊料，所述焊料與所述引出端子接觸；

S403：形成與所述引出端子電連接的電極。

進一步的，步驟S402中，所述焊料的端面沿背離所述引出端子的方向超過所述樹脂的表面。

進一步的，在步驟S403中，所述焊料為錫膏，采用錫膏回流焊形成所述電極。

進一步的，所述晶圓的表面包括晶圓上引出端子所在的第一表面、晶圓上與所述第一表面相對布置的第二表面。

進一步的，所述樹脂為透明樹脂。

進一步的，所述樹脂為環氧樹脂膠膜。

一種應用于如上所述的晶圓級封裝方法的晶圓，其特征在于，包括晶圓級芯片和位于相鄰晶圓級芯片之間的切割道，所述切割道能夠被切割為環繞在所述晶圓級芯片周圍并用于保護所述晶圓級芯片的子切割道。

與現有技術相比，本發明在對晶圓進行加工前直接在具有切割道的晶圓的表面覆蓋樹脂使樹脂與切割道接觸并高溫硬化，在后續對晶圓進行加工(如切割或其它機械加工等)過程中，晶圓受到其表面固化的樹脂的保護，能夠防止晶圓在加工過程中易破裂的問題。通過上述方法能夠一次完成晶圓表面所有樹脂的覆蓋并高溫硬化，縮短了生產周期和降低成本。