[發(fā)明專利]芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910636279.5 | 申請(qǐng)日: | 2019-07-15 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112233987B | 公開(公告)日: | 2022-11-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 周輝星 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 矽磐微電子(重慶)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/56 | 分類號(hào): | H01L21/56;H01L21/78 |
| 代理公司: | 北京博思佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11415 | 代理人: | 張相欽 |
| 地址: | 401331 重*** | 國(guó)省代碼: | 重慶;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 芯片 封裝 結(jié)構(gòu) 制作方法 | ||
本發(fā)明提供了一種芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法,制作方法中,將第一塑封層的外表面分為第一區(qū)與第二區(qū),第一區(qū)至少為圍繞所有晶粒的一圈;在第二區(qū)設(shè)置支撐板,使用粘膠粘結(jié)支撐板與第一塑封層;粘膠包括第一區(qū)段與第二區(qū)段,第一區(qū)段位于第一區(qū),第二區(qū)段位于支撐板上。如此,第一塑封層與支撐板之間通過上述環(huán)形粘膠粘結(jié),相對(duì)于在第一塑封層與支撐板之間整面布膠的方式,可以節(jié)省粘膠用量,降低成本以及降低剝離支撐板時(shí)的難度。另外,在每一晶粒的正面至少形成外引腳工序中,可能涉及浸泡式工藝,環(huán)形粘膠至少圍繞所有晶粒設(shè)置一圈,使得浸泡式工藝中的液體不會(huì)進(jìn)入第一塑封層與支撐板之間,從而避免兩者分離。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及芯片封裝技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法。
背景技術(shù)
近年來,隨著電路集成技術(shù)的不斷發(fā)展,電子產(chǎn)品越來越向小型化、智能化、高性能以及高可靠性方向發(fā)展。封裝技術(shù)不但影響產(chǎn)品的性能,而且還制約產(chǎn)品的小型化。
然而,現(xiàn)有芯片封裝成本較高、制作難度較大。
有鑒于此,本發(fā)明提供一種新的芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法,以解決上述技術(shù)問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的發(fā)明目的是提供一種芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法,降低成本及制作難度。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供一種芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法,包括:
提供載板和多個(gè)晶粒,每一所述晶粒包括正面與背面,所述正面具有電互連結(jié)構(gòu);將所述多個(gè)晶粒的正面固定于所述載板;
在所述各個(gè)晶粒以及各個(gè)晶粒之間的載板表面形成包埋所述各個(gè)晶粒的第一塑封層;所述第一塑封層包括相對(duì)的內(nèi)表面與外表面,所述外表面分為第一區(qū)與第二區(qū),所述第一區(qū)至少為圍繞所有晶粒的一圈;
在所述第二區(qū)設(shè)置支撐板,使用粘膠粘結(jié)所述支撐板與所述第一塑封層;所述粘膠包括第一區(qū)段與第二區(qū)段,所述第一區(qū)段位于所述第一區(qū),所述第二區(qū)段位于所述支撐板上;
去除所述載板,暴露每一晶粒的正面;所述支撐板提供支撐,在所述每一晶粒的正面至少形成外引腳;
去除所述支撐板,形成多芯片封裝結(jié)構(gòu);
切割所述多芯片封裝結(jié)構(gòu)形成多個(gè)芯片封裝結(jié)構(gòu)。
可選地,所述第一區(qū)為圍繞所述所有晶粒的兩圈或兩圈以上。
可選地,所述載板劃分為若干區(qū)域,每一區(qū)域包含若干晶粒;所述第一區(qū)為圍繞所述每一區(qū)域的所有晶粒的一圈、兩圈或兩圈以上。
可選地,所述支撐板具有在厚度方向上貫通的排氣孔。
可選地,所述排氣孔為若干個(gè),在所述支撐板上均等分布。
可選地,所述第一區(qū)位于所述多芯片封裝結(jié)構(gòu)的切割道內(nèi)。
可選地,所述粘膠為熱分離膠。
可選地,在所述每一晶粒的正面形成外引腳包括:
在所述外引腳與所述第一塑封層上形成包埋所述外引腳的第二塑封層;
研磨所述第二塑封層直至暴露出所述外引腳。
可選地,在所述每一晶粒的正面形成再布線層,所述外引腳形成在所述再布線層上;或在所述每一晶粒的正面依次形成再布線層以及扇出線路,所述外引腳形成在所述扇出線路上。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的有益效果在于:
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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