[發明專利]光罩結構、陰極膜層的形成方法及陣列基板上的陰極膜層在審
| 申請號: | 201910631244.2 | 申請日: | 2019-07-12 |
| 公開(公告)號: | CN112216805A | 公開(公告)日: | 2021-01-12 |
| 發明(設計)人: | 孫伯彰;李旺 | 申請(專利權)人: | 陜西坤同半導體科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京國昊天誠知識產權代理有限公司 11315 | 代理人: | 鄭裕涵 |
| 地址: | 712046 陜西省咸陽市秦*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 結構 陰極 形成 方法 陣列 基板上 | ||
本發明涉及一種光罩結構、陰極膜層的形成方法及陣列基板上的陰極膜層。該光罩結構包括:第一光罩本體,具有多個第一開孔,多個第一開孔是與多列像素定義層開口間隔對應設置的,各個第一開孔的側邊還間隔設置有多個向外凸起的第三開孔,當多個第一開孔與多列像素定義層開口對應設置時,多個第三開孔位于相鄰二列像素定義層開口之間;以及第二光罩本體,具有多個第二開孔,多個第二開孔是與多列像素定義層開口間隔對應設置的,并與多個第一開孔是對應于不同列像素定義層開口。本發明通過將陰極膜層圖案化覆蓋像素定義層(PDL)開孔區域,通過部分非像素定義層(PDL)開口區裸露,提高嵌板(panel)整體透過率,有利于實現透明顯示。
技術領域
本發明涉及一種陰極膜層,特別是涉及一種光罩結構、陰極膜層的形成方法及陣列基板上的陰極膜層。
背景技術
透明顯示技術未來的發展前景非常樂觀。它突破常規,增添了產品的趣味性,帶給人們前所未有的便利和視覺沖擊,在一些創意設計、展示及互動領域開展了新的發展方向。此外,由于透明顯示屏可利用普通的環境光滿足背光需求,極大降低了能耗,充分體現了“低碳環保·綠色節能”的理念。
在實現本發明的過程中,發明人發現現有技術至少存在以下問題:
1、請參考圖9,現有技術的透明顯示屏內部的陰極(Cathode)膜層8透過率低,且其覆蓋可視區域(View Area,AA)7,導致透明顯示屏內部的有機發光二極管的出光較難穿透陰極膜層;
2、陰極膜層8整面覆蓋可視區域7,導致外界光較難穿透嵌板(panel)整個膜層,難以看到屏幕背后景象,降低透明顯示屏的透過率。
發明內容
為解決上述現有技術中存在的問題,本發明實施例提供了一種光罩結構、陰極膜層的形成方法及陣列基板上的陰極膜層。具體的技術方案如下:
第一方面,提供一種光罩結構,用于在陣列基板上蒸鍍陰極膜層,陣列基板上設置有多列像素定義層開口,其中光罩結構包括:
第一光罩本體,具有多個第一開孔,多個第一開孔是與多列像素定義層開口間隔對應設置的,各個第一開孔的側邊還間隔設置有多個向外凸起的第三開孔,當多個第一開孔與多列像素定義層開口對應設置時,多個第三開孔位于相鄰二列像素定義層開口之間;以及
第二光罩本體,具有多個第二開孔,多個第二開孔是與多列像素定義層開口間隔對應設置的,并與多個第一開孔是對應于不同列像素定義層開口,各個第二開孔的側邊還間隔設置有多個向外凸起的第四開孔,當多個第二開孔與多列像素定義層開口對應設置時,多個第四開孔位于相鄰二列像素定義層開口之間,并與第三開孔的位置相重疊。
在第一方面的第一種可能實現方式中,第一光罩本體及第二光罩本體的形狀與陣列基板的形狀相對應。
在第一方面的第二種可能實現方式中,多個第一開孔、多個第二開孔、多個第三開孔及多個第四開孔均為長方形孔。
在第一方面的第三種可能實現方式中,各個第三開孔與各個第一開孔相對應列像素定義層開口中的相鄰二個像素定義層開口之間的位置相對應;各個第四開孔與各個第二開孔相對應列像素定義層開口中的相鄰二個像素定義層開口之間的位置相對應。
第二方面,提供一種陰極膜層的形成方法,于陣列基板上形成陰極膜層,其中陰極膜層的形成方法包括以下步驟:
于陣列基板上形成第一陰極膜層,使第一陰極膜層覆蓋于陣列基板上的間隔列像素定義層開口上;以及
于陣列基板上形成第二陰極膜層,使第二陰極膜層覆蓋于陣列基板上的間隔列像素定義層開口上,并與第一陰極膜層覆蓋于不同列像素定義層開口,及使相鄰二列像素定義層開口之間,第一陰極膜層與第二陰極膜層形成間隔的重疊部。
在第二方面的第一種可能實現方式中,形成第一陰極膜層的方法還包括以下步驟:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





