[發(fā)明專利]光罩結(jié)構(gòu)、陰極膜層的形成方法及陣列基板上的陰極膜層在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910631244.2 | 申請日: | 2019-07-12 |
| 公開(公告)號: | CN112216805A | 公開(公告)日: | 2021-01-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 孫伯彰;李旺 | 申請(專利權(quán))人: | 陜西坤同半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京國昊天誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11315 | 代理人: | 鄭裕涵 |
| 地址: | 712046 陜西省咸陽市秦*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 結(jié)構(gòu) 陰極 形成 方法 陣列 基板上 | ||
1.一種光罩結(jié)構(gòu),用于在陣列基板上蒸鍍陰極膜層,所述陣列基板上設(shè)置有多列像素定義層開口,其特征在于,所述光罩結(jié)構(gòu)包括:
第一光罩本體,具有多個第一開孔,所述多個第一開孔是與所述多列像素定義層開口間隔對應(yīng)設(shè)置的,所述各個第一開孔的側(cè)邊還間隔設(shè)置有多個向外凸起的第三開孔,當(dāng)所述多個第一開孔與所述多列像素定義層開口對應(yīng)設(shè)置時,所述多個第三開孔位于所述相鄰二列像素定義層開口之間;以及
第二光罩本體,具有多個第二開孔,所述多個第二開孔是與所述多列像素定義層開口間隔對應(yīng)設(shè)置的,并與所述多個第一開孔是對應(yīng)于不同列像素定義層開口,所述各個第二開孔的側(cè)邊還間隔設(shè)置有多個向外凸起的第四開孔,當(dāng)所述多個第二開孔與所述多列像素定義層開口對應(yīng)設(shè)置時,所述多個第四開孔位于所述相鄰二列像素定義層開口之間,并與所述第三開孔的位置相重疊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光罩結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一光罩本體及所述第二光罩本體的形狀與所述陣列基板的形狀相對應(yīng)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光罩結(jié)構(gòu),其特征在于,所述多個第一開孔、所述多個第二開孔、所述多個第三開孔及所述多個第四開孔均為長方形孔。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光罩結(jié)構(gòu),其特征在于,所述各個第三開孔與所述各個第一開孔相對應(yīng)所述列像素定義層開口中的相鄰二個像素定義層開口之間的位置相對應(yīng);所述各個第四開孔與所述各個第二開孔相對應(yīng)所述列像素定義層開口中的相鄰二個像素定義層開口之間的位置相對應(yīng)。
5.一種陰極膜層的形成方法,于陣列基板上形成陰極膜層,其特征在于,所述陰極膜層的形成方法包括以下步驟:
于陣列基板上形成第一陰極膜層,使所述第一陰極膜層覆蓋于所述陣列基板上的間隔列像素定義層開口上;以及
于所述陣列基板上形成第二陰極膜層,使所述第二陰極膜層覆蓋于所述陣列基板上的間隔列像素定義層開口上,并與所述第一陰極膜層覆蓋于不同列像素定義層開口,及使相鄰二列像素定義層開口之間,所述第一陰極膜層與所述第二陰極膜層形成間隔的重疊部。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陰極膜層的形成方法,其特征在于,所述形成第一陰極膜層的方法還包括以下步驟:
將第一光罩本體遮擋于所述陣列基板上,使多個第一開孔與所述多列像素定義層開口間隔對應(yīng),及所述多個第三開孔位于所述相鄰二列像素定義層開口之間;以及
第一次蒸鍍,于所述陣列基板上蒸鍍所述第一陰極膜層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陰極膜層的形成方法,其特征在于,所述形成第二陰極膜層的方法還包括以下步驟:
將第二光罩本體遮擋于所述陣列基板上,使多個第二開孔與所述多列像素定義層開口間隔對應(yīng),并與所述多個第一開孔對應(yīng)于不同列像素定義層開口,多個第四開孔位于所述相鄰二列像素定義層開口之間,并與所述第三開孔的位置相重疊;以及
第二次蒸鍍,于所述陣列基板上蒸鍍所述第二陰極膜層。
8.一種陣列基板上的陰極膜層,于陣列基板上形成的陰極膜層,其特征在于,所述陣列基板上的陰極膜層包括:
單層陰極膜層區(qū),包括第一陰極膜層及第二陰極膜層,所述第一陰極膜層及所述第二陰極膜層設(shè)置于所述陣列基板上,并覆蓋于不同列像素定義層開口上;
雙層陰極膜層區(qū),為所述第一陰極膜層與所述第二陰極膜層的多個重疊部,所述多個重疊部間隔設(shè)置于所述相鄰列像素定義層開口之間;以及
無陰極膜層區(qū),為所述第一陰極膜層及所述第二陰極膜層的多個未覆蓋部,所述多個未覆蓋部間隔設(shè)置于所述相鄰列像素定義層開口之間,并與所述多個重疊部對應(yīng)間隔設(shè)置。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板上的陰極膜層,其特征在于,所述各個重疊部對應(yīng)設(shè)置于各列像素定義層開口中的相鄰二個像素定義層開口之間,所述各個未覆蓋部對應(yīng)設(shè)置于各列像素定義層開口中的像素定義層開口的側(cè)邊。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板上的陰極膜層,其特征在于,所述第一陰極膜層為多個側(cè)邊具有多個第一凸起的長方形結(jié)構(gòu),所述多個第一長方形結(jié)構(gòu)間隔覆蓋于所述多列像素定義層開口上,所述第一凸起位于相鄰列像素定義層開口之間,所述第二陰極膜層為多個側(cè)邊具有多個第二凸起的長方形結(jié)構(gòu),所述多個第二長方形結(jié)構(gòu)間隔覆蓋于所述多列像素定義層開口上,所述第二凸起位于相鄰列像素定義層開口之間,并與所述第一凸起相重疊。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
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