[發(fā)明專利]半導(dǎo)體放大器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910620156.2 | 申請日: | 2019-07-10 |
| 公開(公告)號(hào): | CN110719076B | 公開(公告)日: | 2023-09-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 宮澤直行 | 申請(專利權(quán))人: | 住友電工光電子器件創(chuàng)新株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H03F3/19 | 分類號(hào): | H03F3/19;H01L25/16 |
| 代理公司: | 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219 | 代理人: | 韓峰;孫志湧 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 放大器 | ||
一種半導(dǎo)體放大器。所述半導(dǎo)體放大器(1)包括晶體管(21a)和(21b),其被并排裝載在封裝體(6)中的空間中的底板(2)上;匹配電路(22a),其被裝載在底板(2)上的晶體管(21a、21b)之間;匹配電路(22b),其被裝載在晶體管(21b)的與底板(2)上的晶體管(21a)相對的一側(cè)上;輸入端子(TIN),其被安裝在布線襯底(3)的一側(cè)上;輸出端子(TOUT),其被安裝在布線襯底(3)的另一側(cè)上;以及柵極偏置端子(Tsubgt;1G/subgt;)和(Tsubgt;2G/subgt;)和漏極偏置端子(Tsubgt;1D/subgt;)和(Tsubgt;2D/subgt;),在該位置處安裝有布線襯底(3)的輸入端子(Tsubgt;IN/subgt;)和輸出端子(Tsubgt;OUT/subgt;),并且晶體管(21a)、匹配電路(22a)、晶體管(21b)和匹配電路(22b)被線性地放置在輸入端子(Tsubgt;IN/subgt;)和輸出端子(Tsubgt;OUT/subgt;)之間。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體放大器。
背景技術(shù)
作為放大高頻信號(hào)的裝置,其中在絕緣襯底上形成多個(gè)金屬化表面、一個(gè)晶體管芯片放置在一個(gè)金屬化表面上、并且輸入匹配電路放置在絕緣襯底上的另一個(gè)接地金屬化表面上的裝置是已知的(日本未審專利公開No.H5-243871)。在此裝置中,輸入端子安裝在絕緣襯底的一側(cè)上,并且輸出端子安裝在絕緣襯底的另一側(cè)上。
此外,作為其中兩個(gè)晶體管以多級(jí)連接的高頻放大器的配置,已知一種其中兩個(gè)晶體管和匹配電路放置在封裝體中的電路板上的配置(日本未審專利公開No.2016-19068)。在此放大器中,用于經(jīng)由匹配電路向第一級(jí)晶體管的柵極輸入輸入信號(hào)的端子、用于經(jīng)由匹配電路向第一級(jí)晶體管的柵極供應(yīng)偏置的端子、以及用于經(jīng)由通過匹配電路將偏置供應(yīng)到第二級(jí)晶體管的柵極的端子按照此順序被安裝在電路板的第一側(cè)上,并且用于經(jīng)由匹配電路將偏置供應(yīng)到第一級(jí)晶體管的漏極的端子、用于經(jīng)由匹配電路將偏置供應(yīng)到第二級(jí)晶體管的漏極的端子、以及用于經(jīng)由匹配電路從第二級(jí)晶體管的漏極輸出輸出信號(hào)的端子按照此順序被安裝在與電路板的第一側(cè)相對的第二側(cè)上。
在日本未審專利公開No.2016-19068中公開的高頻放大器中,發(fā)生偏置干擾,因?yàn)橛糜谙騼蓚€(gè)晶體管供應(yīng)偏置的端子彼此相鄰。因此,存在其中無法穩(wěn)定地生成輸出信號(hào)的情況。因此,需要一種半導(dǎo)體放大器,其通過防止多級(jí)晶體管中的偏置干擾來生成穩(wěn)定的輸出信號(hào)。
發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面的半導(dǎo)體放大器包括:封裝體,該封裝體包括金屬底板;絕緣電路板,該絕緣電路板放置在底板上并包括第一開口;絕緣側(cè)壁部,該絕緣側(cè)壁部放置在電路板上的外圍部上并且包括第二開口,該第二開口大于第一開口并圍繞第一開口,以及蓋部,該蓋部放置在側(cè)壁部上并密封由第一開口和第二開口形成的空間,第一和第二晶體管,該第一和第二晶體管被并排裝載在該空間中的底板上;第一匹配電路,該第一匹配電路被裝載在該空間中的底板上的第一晶體管和第二晶體管之間,該第一匹配電路被連接在第一晶體管的漏極和第二晶體管的柵極之間;第二匹配電路,該第二匹配電路被裝載在底板上的該空間中的第二晶體管附近,該第二匹配電路位于第二晶體管與第一晶體管的相對側(cè),該第二匹配電路連接到第二晶體管的漏極;輸入端子,該輸入端子被安裝在電路板一側(cè)的中心處并連接到第一晶體管的柵極;輸出端子,該輸出端子被安裝在與電路板的一側(cè)相對的另一側(cè)的中心處并且經(jīng)由第二匹配電路連接到第二晶體管的漏極;第一和第二柵極偏置端子,該第一和第二柵極偏置端子安裝于在該兩者之間夾有電路板的輸入端子或輸出端子之中的一方的位置處,該第一和第二柵極偏置端子分別連接到第一晶體管的柵極和第二晶體管的柵極;以及第一和第二漏極偏置端子,該第一和第二漏極偏置端子安裝于在該兩者之間夾有電路板的輸入端子和輸出端子之中的另一方的位置處,該第一和第二漏極偏置端子分別連接到第一晶體管的漏極和第二晶體管的漏極,并且第一晶體管、第一匹配電路、第二晶體管以及第二匹配電路線性地放置在輸入端子和輸出端子之間。
附圖說明
圖1是根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體放大器的透視圖。
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