[發明專利]半導體放大器

有效

• 申請號: 201910620156.2
• 申請日: 2019-07-10
• 公開（公告）號: CN110719076B
• 公開（公告）日: 2023-09-05
• 發明（設計）人: 宮澤直行
• 申請（專利權）人: 住友電工光電子器件創新株式會社
• 主分類號: H03F3/19
• 分類號: H03F3/19;H01L25/16
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 韓峰;孫志湧

1.一種半導體放大器，包括：

封裝體，所述封裝體包括：

金屬底板；

絕緣電路板，其被放置在所述底板上并且包括第一開口；

絕緣側壁部，其被放置在所述電路板上的外圍部上并且包括第二開口，所述第二開口大于所述第一開口并且圍繞所述第一開口，以及

蓋部，其被放置在所述側壁部上并且密封由所述第一開口和所述第二開口形成的空間，

第一晶體管和第二晶體管，所述第一晶體管和所述第二晶體管被并排裝載在所述空間中的所述底板上；

第一匹配電路，所述第一匹配電路被裝載在所述空間中的所述底板上的所述第一晶體管和所述第二晶體管之間，所述第一匹配電路被連接在所述第一晶體管的漏極和所述第二晶體管的柵極之間；

第二匹配電路，所述第二匹配電路被裝載在所述底板上的所述空間中的所述第二晶體管附近，所述第二匹配電路相對于所述第一晶體管而位于所述第二晶體管的相對側上，所述第二匹配電路被連接到所述第二晶體管的漏極；

輸入端子，所述輸入端子被安裝在所述電路板的一側的中心處并且被連接到所述第一晶體管的柵極；

輸出端子，所述輸出端子被安裝在與所述電路板的所述一側相對的另一側的中心處，并且經由所述第二匹配電路被連接到所述第二晶體管的漏極；

第一柵極偏置端子和第二柵極偏置端子，以在所述第一柵極偏置端子和所述第二柵極偏置端子之間夾著所述電路板的所述輸入端子或所述輸出端子這兩者之中的一個端子的方式來設置所述第一柵極偏置端子和所述第二柵極偏置端子的位置，所述第一柵極偏置端子和所述第二柵極偏置端子被分別連接到所述第一晶體管的柵極和所述第二晶體管的柵極；以及

第一漏極偏置端子和第二漏極偏置端子，以在所述第一漏極偏置端子和所述第二漏極偏置端子之間夾著所述電路板的所述輸入端子和所述輸出端子這兩者之中的另一個端子的方式來設置所述第一漏極偏置端子和所述第二漏極偏置端子的位置，所述第一漏極偏置端子和所述第二漏極偏置端子被分別連接到所述第一晶體管的漏極和所述第二晶體管的漏極，

其中，

所述第一晶體管、所述第一匹配電路、所述第二晶體管以及所述第二匹配電路被線性地放置在所述輸入端子和所述輸出端子之間。

2.根據權利要求1所述的半導體放大器，其中，

經由穿過所述電路板的通路孔將所述輸入端子和所述輸出端子連接到所述電路板上的輸入布線和輸出布線，所述輸入布線和所述輸出布線被連接到所述第一晶體管的柵極和所述第二匹配電路。

3.根據權利要求1或2所述的半導體放大器，其中，

經由被嵌入在所述電路板的側表面上的金屬，將所述第一柵極偏置端子、所述第二柵極偏置端子、所述第一漏極偏置端子和所述第二漏極偏置端子連接于被形成在所述電路板上的布線部。

4.根據權利要求1至3中的任一項所述的半導體放大器，其中，

在所述電路板上形成接地布線，在所述電路板的側表面以及形成所述第一開口的所述電路板的內壁上，所述接地布線被連接到所述底板，以及

在所述輸入端子或所述輸出端子與所述第一柵極偏置端子、所述第二柵極偏置端子、所述第一漏極偏置端子以及所述第二漏極偏置端子之間，所述接地布線被連接到所述底板。

5.根據權利要求1至4中的任一項所述的半導體放大器，其中，

所述電路板包括切口部，所述切口部在連接所述一側和所述另一側的兩側上形成所述第一開口。