[發(fā)明專利]一種外延層電阻率的測試方法、系統(tǒng)及終端設備

有效

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• 申請日: 2019-07-08
• 公開（公告）號: CN110456152B
• 公開（公告）日: 2021-04-27
• 發(fā)明（設計）人: 張佳磊;薛宏偉;任麗翠
• 申請（專利權(quán)）人: 河北普興電子科技股份有限公司
• 主分類號: G01R27/02
• 分類號: G01R27/02
• 代理公司: 石家莊國為知識產(chǎn)權(quán)事務所 13120
• 代理人: 高欣

本發(fā)明提供了一種外延層電阻率的測試方法、系統(tǒng)及終端設備，方法包括：獲取待測外延片的外延層的摻雜濃度；根據(jù)所述摻雜濃度，計算所述外延層的標準電阻率；獲取外延層中外層的偏壓深度和所述外延層中內(nèi)層的偏壓深度；根據(jù)外層的偏壓深度和標準電阻率，計算測量外層電阻率時所加的外層電壓；根據(jù)內(nèi)層的偏壓深度和標準電阻率，計算測量內(nèi)層電阻率時所加的內(nèi)層電壓；利用外層電壓測試外層的實際電阻率，利用內(nèi)層電壓測試內(nèi)層的實際電阻率。本發(fā)明能分別準確測量外延層中內(nèi)層的電阻率和外層的電阻率，保證了芯片的質(zhì)量。

技術領域

本發(fā)明屬于外延片檢測技術領域，尤其涉及一種外延層電阻率的測試方法、系統(tǒng)及終端設備。

背景技術

外延工藝廣泛應用于雙極集成電路、高壓器件和CMOS集成電路。批量生產(chǎn)中的核心問題是產(chǎn)品參數(shù)控制的穩(wěn)定性，為了監(jiān)控參數(shù)的穩(wěn)定性需要定期監(jiān)控外延層的關鍵參數(shù)電阻率。對于雙層外延參數(shù)而言，由于里層電阻率也會因為生長過程中外延爐的工藝波動導致電阻率變化從而引起里層電阻率偏離，所以既要監(jiān)控外層電阻率又要監(jiān)控里層電阻率。

常規(guī)測試工藝無法測試到里層電阻率，目前為了降低生產(chǎn)成本后續(xù)只監(jiān)控和調(diào)整外層電阻率，由于里層電阻率無法監(jiān)測，里層電阻率的變化輕則引起產(chǎn)品電壓偏離，重則引起電壓超限產(chǎn)品報廢，產(chǎn)品質(zhì)量差。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明實施例提供了一種外延層電阻率的測試方法、系統(tǒng)及終端設備，以解決目前由于對外延層電阻率監(jiān)測不準確，造成芯片質(zhì)量差的問題。

本發(fā)明實施例的第一方面提供了一種外延層電阻率的測試方法，包括：

獲取待測外延片的外延層的摻雜濃度；

根據(jù)所述摻雜濃度，計算所述外延層的標準電阻率；

獲取外延層中外層的偏壓深度和所述外延層中內(nèi)層的偏壓深度，其中，所述偏壓深度為所述外延片加電壓后所測試的深度；

根據(jù)所述外層的偏壓深度和所述標準電阻率，計算測量外層電阻率時所加的外層電壓；

根據(jù)所述內(nèi)層的偏壓深度和所述標準電阻率，計算測量內(nèi)層電阻率時所加的內(nèi)層電壓；

利用所述外層電壓測試所述外層的實際電阻率，利用所述內(nèi)層電壓測試所述內(nèi)層的實際電阻率。

本發(fā)明實施例的第二方面提供了一種系統(tǒng)，包括：

第一獲取模塊，用于獲取待測外延片的外延層的摻雜濃度；

標準電阻率計算模塊，用于根據(jù)所述摻雜濃度，計算所述外延層的標準電阻率；

第二獲取模塊，用于獲取外延層中外層的偏壓深度和所述外延層中內(nèi)層的偏壓深度，其中，所述偏壓深度為所述外延片加電壓后所測試的深度；

外層電壓計算模塊，用于根據(jù)所述外層的偏壓深度和所述標準電阻率，計算測量所述外層電阻率時所加的外層電壓；

內(nèi)層電壓計算模塊，用于根據(jù)所述內(nèi)層的偏壓深度和所述標準電阻率，計算測量所述內(nèi)層電阻率時所加的內(nèi)層電壓；

實際電阻率計算模塊，用于利用所述外層電壓測試所述外層的實際電阻率，利用所述內(nèi)層電壓測試所述內(nèi)層的實際電阻率。

本發(fā)明實施例的第三方面提供了一種終端設備，包括存儲器、處理器以及存儲在所述存儲器中并可在所述處理器上運行的計算機程序，所述處理器執(zhí)行所述計算機程序時實現(xiàn)如上所述外延層電阻率的測試方法的步驟。

本發(fā)明實施例的第四方面提供了一種計算機可讀存儲介質(zhì)，所述計算機可讀存儲介質(zhì)存儲有計算機程序，所述計算機程序被處理器執(zhí)行時實現(xiàn)如上所述外延層電阻率的測試方法的步驟。