[發明專利]一種外延層電阻率的測試方法、系統及終端設備

有效

• 申請號: 201910611206.0
• 申請日: 2019-07-08
• 公開（公告）號: CN110456152B
• 公開（公告）日: 2021-04-27
• 發明（設計）人: 張佳磊;薛宏偉;任麗翠
• 申請（專利權）人: 河北普興電子科技股份有限公司
• 主分類號: G01R27/02
• 分類號: G01R27/02
• 代理公司: 石家莊國為知識產權事務所 13120
• 代理人: 高欣

1.一種外延層電阻率的測試方法，其特征在于，包括：

獲取待測外延片的外延層的摻雜濃度；

根據所述摻雜濃度，計算所述外延層的標準電阻率；

獲取外延層中外層的偏壓深度和所述外延層中內層的偏壓深度，其中，所述偏壓深度為所述外延片加電壓后所測試的深度；

根據所述外層的偏壓深度和所述標準電阻率，計算測量外層電阻率時所加的外層電壓；

根據所述內層的偏壓深度和所述標準電阻率，計算測量內層電阻率時所加的內層電壓；

利用所述外層電壓測試所述外層的實際電阻率，利用所述內層電壓測試所述內層的實際電阻率；

其中，在所述根據所述摻雜濃度，計算所述外延層的標準電阻率之前還包括：

獲取所述外延層的摻雜材料信息；

相應的，所述根據所述摻雜濃度，計算所述外延層的標準電阻率為：

根據所述摻雜濃度和所述摻雜材料信息，計算所述外延層的標準電阻率；

若所述外延層為摻硼硅片，則所述外延層的標準電阻率為：

其中，N為所述標準電阻率；ρ₁為硼的摻雜濃度；

若所述外延層為摻磷硅片，則所述外延層的標準電阻率為：

其中：ρ₂為磷的摻雜濃度；A₀、A₁、A₂、A₃、B₁、B₂和B₃分別為常數。

2.如權利要求1所述的外延層電阻率的測試方法，其特征在于，所述獲取外延層中外層的偏壓深度和所述外延層中內層的偏壓深度，包括：

獲取外延層中外層的厚度和內層的厚度；

根據所述外層的厚度，確定外層的偏壓深度；

根據所述外層的厚度和所述內層的厚度，確定內層的偏壓深度。

3.如權利要求2所述的外延層電阻率的測試方法，其特征在于，所述外層的偏壓深度為：

X_外≤h_外×40％；

其中，X_外為外層的偏壓深度；h_外為外層的厚度；

所述內層的偏壓深度為：

h_外＜X_內＜(h_外+h_內)×40％；

其中，X_內為內層的偏壓深度；h_內為內層的厚度。

4.如權利要求1所述的外延層電阻率的測試方法，其特征在于，所述外層電壓為：

其中，V_外為所述外層電壓；X_外為所述外層的偏壓深度；N為所述標準電阻率；q為元電荷所帶電量；ε_s為相對介電常量；ε₀為真空中的電介質常量；

所述內層電壓為：

其中，V_內為所述內層電壓；X_內為所述內層的偏壓深度。

5.如權利要求1所述的外延層電阻率的測試方法，其特征在于，所述利用所述外層電壓測試所述外層的實際電阻率，利用所述內層電壓測試所述內層的實際電阻率，包括：

采用汞探針機臺，利用所述外層電壓測試所述外層的實際電阻率，利用所述內層電壓測試所述內層的實際電阻率。