[發(fā)明專利]正面氮氧化硅太陽電池的制作工藝

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910610896.8
• 申請(qǐng)日: 2019-07-08
• 公開（公告）號(hào): CN110444610A
• 公開（公告）日: 2019-11-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 程明;王東;朱彥斌
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 江蘇潤(rùn)陽悅達(dá)光伏科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/0216
• 分類號(hào): H01L31/0216;H01L31/18
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發(fā)明晶硅太陽能電池制造領(lǐng)域，尤其涉及一種正面氮氧化硅太陽電池的制作工藝，該方法包括晶硅表面制絨、擴(kuò)散、去PSG和單晶拋光、正面沉積減反射膜、背面沉淀鈍化膜、背面激光刻劃接觸區(qū)以及印刷燒結(jié)步驟，實(shí)現(xiàn)在正面均勻沉積的氮氧化硅薄膜層，有利于降低反射率提高轉(zhuǎn)換效率，提高太陽光的利用率，增加太陽電池的閉路電流，達(dá)到提高效率的目的。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于晶硅太陽能電池制造領(lǐng)域，尤其涉及一種正面氮氧化硅太陽電池的制作工藝。

背景技術(shù)

晶硅太陽能電池是一種可以將太陽光能轉(zhuǎn)化成為電能的電子元器件。晶體硅類太陽能電池的制備一般經(jīng)過制絨、擴(kuò)散、鍍膜、絲網(wǎng)印刷、燒結(jié)等工序。制絨分為單晶、多晶制絨，單晶電池是使用堿制絨的方法在硅片表面形成金字塔絨面，多晶電池使用酸刻蝕的方法在硅片表面形成凹坑絨面，硅表面的絨面可以增加太陽光在電池表面的吸收，達(dá)到陷光作用；擴(kuò)散工序是通過熱擴(kuò)散的方式向硅片內(nèi)部形成P-N結(jié)，這樣當(dāng)有光照射時(shí)，硅片內(nèi)部就可以形成電壓，是太陽電池發(fā)電的基礎(chǔ)；鍍膜工藝是為了減少少數(shù)載流子在電池表面的復(fù)合，可以提高晶體硅太陽能電池片的轉(zhuǎn)換效率；絲網(wǎng)印刷工序就是制作太陽能電池的電極，這樣當(dāng)光照射時(shí)就可以把電流導(dǎo)出。絲網(wǎng)印刷是現(xiàn)在晶硅電池制備中應(yīng)用最廣泛的一種工藝，工藝順序?yàn)橄冗M(jìn)行背面電極印刷和烘干，然后進(jìn)行鋁背場(chǎng)的印刷和烘干，最后進(jìn)行正面電極的印刷、烘干，再進(jìn)行燒結(jié)，讓制備電極使用的銀漿和電池形成接觸。

從現(xiàn)在太陽電池發(fā)展環(huán)境上來說，隨著太陽電池的發(fā)展，設(shè)備折舊和效率提升是越來越多的生產(chǎn)企業(yè)必須關(guān)注的重點(diǎn)問題，在不改變現(xiàn)有設(shè)備或者經(jīng)過設(shè)備改造的方法提高現(xiàn)有產(chǎn)線的效率、提高產(chǎn)能是企業(yè)生存發(fā)展的動(dòng)力；設(shè)備的整合和再利用也是減少固定資產(chǎn)浪費(fèi)、提高企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)的一種方法。PERC太陽能電池由于跟常規(guī)電池生產(chǎn)線切合度高、投入相對(duì)較少，效率增益高，目前行業(yè)亟待在不改動(dòng)原有設(shè)備情況下，更改工藝配方，提高光電轉(zhuǎn)換效率。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是解決上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種提高光伏電池轉(zhuǎn)換效率的正面氮氧化硅太陽電池的制作工藝。

本發(fā)明解決上述現(xiàn)有技術(shù)的不足所采用的技術(shù)方案是：一種正面氮氧化硅太陽電池的制作工藝，包括以下步驟：

步驟（1）晶硅表面制絨：將多個(gè)硅片的雙面在堿液下進(jìn)行表面絨面化，并在酸性條件下進(jìn)行化學(xué)清洗，除去表面雜質(zhì)；

步驟（2）擴(kuò)散：正面P擴(kuò)散，使該硅片的正面形成n＋摻雜層；

步驟（3）去PSG和單晶拋光：刻蝕工序清洗先去除該硅片表面殘留的磷硅玻璃，之后進(jìn)行單晶背面拋光；

步驟（4）正面沉積減反射膜：正面單面依次沉積氮氧化硅和氮化硅疊層膜；

步驟（5）背面沉淀鈍化膜；

步驟（6）背面激光刻劃接觸區(qū)：背面局部打開薄膜，進(jìn)行背面激光圖形設(shè)計(jì)；

步驟（7）印刷燒結(jié)。

進(jìn)一步的，所述硅片為P型單晶硅片。

進(jìn)一步的，將該硅片分為兩片為一組，每組該硅片采用豎直背靠背的方式進(jìn)行擴(kuò)散工藝。

相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的正面氮氧化硅太陽電池的制作工藝，對(duì)傳統(tǒng)工藝進(jìn)行升級(jí)，實(shí)現(xiàn)在正面均勻沉積的氮氧化硅薄膜層，有利于降低反射率提高轉(zhuǎn)換效率，提高太陽光的利用率，增加太陽電池的閉路電流，達(dá)到提高效率的目的。

具體實(shí)施方式

以下描述用于揭露本發(fā)明以使本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)本發(fā)明。以下描述中的優(yōu)選實(shí)施例只作為舉例，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以想到其他顯而易見的變型。在以下描述中界定的本發(fā)明的基本原理可以應(yīng)用于其他實(shí)施方案、變形方案、改進(jìn)方案、等同方案以及沒有背離本發(fā)明的精神和范圍的其他技術(shù)方案。

本實(shí)施例的正面增加氮氧化硅太陽電池的制作方法，包括以下步驟：