[發明專利]正面氮氧化硅太陽電池的制作工藝

在審

• 申請號: 201910610896.8
• 申請日: 2019-07-08
• 公開（公告）號: CN110444610A
• 公開（公告）日: 2019-11-12
• 發明（設計）人: 程明;王東;朱彥斌
• 申請（專利權）人: 江蘇潤陽悅達光伏科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/18
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種正面氮氧化硅太陽電池的制作工藝，用于太陽能電池的擴散工藝，其特征在于，該方法包括以下步驟：

步驟（1）晶硅表面制絨：將多個硅片的雙面在堿液下進行表面絨面化，并在酸性條件下進行化學清洗，除去表面雜質；

步驟（2）擴散：正面P擴散，使該硅片的正面形成n＋摻雜層；

步驟（3）去PSG和單晶拋光：刻蝕工序清洗先去除該硅片表面殘留的磷硅玻璃，之后進行單晶背面拋光；

步驟（4）正面沉積減反射膜：正面單面依次沉積氮氧化硅和氮化硅疊層膜；

步驟（5）背面沉淀鈍化膜；

步驟（6）背面激光刻劃接觸區：背面局部打開薄膜，進行背面激光圖形設計；

步驟（7）印刷燒結。

2.根據權利要求1所述的正面氮氧化硅太陽電池的制作工藝，其特征在于，所述硅片為P型單晶硅片。

3.根據權利要求2所述的正面氮氧化硅太陽電池的制作工藝，其特征在于，步驟（2）中將該硅片分為兩片為一組，每組該硅片采用豎直背靠背的方式進行擴散工藝。