[發(fā)明專利]納米雙晶結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910609449.0 | 申請日： | 2019-07-08 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN111463185B | 公開（公告）日： | 2022-03-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 何政恩;黃保欽;楊政憲;李承宇 | 申請（專利權(quán)）人： | 元智大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | H01L23/498 | 分類號(hào)： | H01L23/498;H01L23/373;H05K1/09;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人： | 羅英;臧建明 |
| 地址： | 中國臺(tái)灣桃*** | 國省代碼： | 臺(tái)灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 納米 雙晶 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種納米雙晶結(jié)構(gòu)，沉積于基板的表面上，其特征在于，所述納米雙晶結(jié)構(gòu)包括至少一區(qū)塊，且所述區(qū)塊含有多個(gè)納米雙晶，其中每一納米雙晶具有面心立方晶體結(jié)構(gòu)，所述多個(gè)納米雙晶沿[111]晶軸方向進(jìn)行堆疊，且所述納米雙晶結(jié)構(gòu)的少于50％的表面以(111)面作為擇優(yōu)取向。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米雙晶結(jié)構(gòu)，其中所述納米雙晶結(jié)構(gòu)包括多個(gè)所述區(qū)塊，且相鄰的所述區(qū)塊的[111]晶軸實(shí)質(zhì)上互相平行。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米雙晶結(jié)構(gòu)，其中所述納米雙晶結(jié)構(gòu)包括多個(gè)所述區(qū)塊，且相鄰的所述區(qū)塊的[111]晶軸不互相平行。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米雙晶結(jié)構(gòu)，其中所述納米雙晶的材料包括金、鈀、銀、鉑、銅、鐵、銦、鎳、鉛或上述元素的組合。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的納米雙晶結(jié)構(gòu)，其中所述納米雙晶的材料還包括鋅、鎢、鈷、磷、鈦、鉍、錫或上述元素的組合。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米雙晶結(jié)構(gòu)，其中所述區(qū)塊的形狀包括多角形、柱狀、橢圓形或其組合。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米雙晶結(jié)構(gòu)，其中所述基板包括導(dǎo)電基板。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的納米雙晶結(jié)構(gòu)，其中所述導(dǎo)電基板包括金屬基板或石墨基板。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米雙晶結(jié)構(gòu)，其中所述基板包括絕緣基板，且所述納米雙晶結(jié)構(gòu)與所述絕緣基板之間設(shè)置有導(dǎo)電層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的納米雙晶結(jié)構(gòu)，其中所述絕緣基板包括印刷電路板、硅基板、化合物半導(dǎo)體基板、玻璃基板、石英基板、塑膠基板或上述的組合。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的納米雙晶結(jié)構(gòu)，其中所述導(dǎo)電層的材料包括碳、金、鈀、銀、鉑、銅、鐵、鈷、鎳、磷、鈦、鎢、錫、鉛、鉍、銦、鋅、上述元素的組合或銦錫氧化物。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的納米雙晶結(jié)構(gòu)，還包括過渡層，設(shè)置于所述納米雙晶結(jié)構(gòu)與所述導(dǎo)電層之間，其中所述過渡層包含雜晶粒或所述納米雙晶與雜晶粒的組合。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的納米雙晶結(jié)構(gòu)，其中所述過渡層的厚度不超過500微米。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米雙晶結(jié)構(gòu)，其中所述納米雙晶結(jié)構(gòu)設(shè)置于所述基板的開孔中，且所述納米雙晶結(jié)構(gòu)與所述開孔的孔壁之間設(shè)置有導(dǎo)電層。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的納米雙晶結(jié)構(gòu)，其中所述導(dǎo)電層的材料包括碳、金、鈀、銀、鉑、銅、鐵、鈷、鎳、磷、鈦、鎢、錫、鉛、鉍、銦、鋅、上述元素的組合或銦錫氧化物。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的納米雙晶結(jié)構(gòu)，其中所述開孔包括通孔或盲孔。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的納米雙晶結(jié)構(gòu)，還包括過渡層，設(shè)置于所述納米雙晶結(jié)構(gòu)與所述導(dǎo)電層之間，其中所述過渡層包含雜晶粒或所述納米雙晶與雜晶粒的組合。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的納米雙晶結(jié)構(gòu)，其中所述過渡層的厚度不超過500微米。
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