[發明專利]半導體封裝件在審
| 申請號： | 201910605600.3 | 申請日： | 2019-07-05 |
| 公開（公告）號： | CN110718513A | 公開（公告）日： | 2020-01-21 |
| 發明（設計）人： | 金熙正;柳周鉉;姜蕓炳;李種昊 | 申請（專利權）人： | 三星電子株式會社 |
| 主分類號： | H01L23/31 | 分類號： | H01L23/31 |
| 代理公司： | 11112 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 | 代理人： | 趙南;張青 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體結構 熱界面材料 襯底 散熱器 熱界面材料層 第二側壁 第一側壁 頂表面 半導體封裝件 互相隔開 覆蓋 | ||
1.一種半導體封裝件，包括：
第一襯底；
安裝在所述第一襯底上的第一半導體結構，所述第一半導體結構包括第一側壁和與所述第一側壁相對的第二側壁；
第二半導體結構，其安裝在所述第一襯底上并與所述第一半導體結構隔開，所述第二半導體結構與所述第一半導體結構的第一側壁相鄰；
散熱器，其覆蓋所述第一半導體結構、所述第二半導體結構和所述第一襯底的至少部分；以及
熱界面材料層，其在所述第一半導體結構與所述散熱器之間和在所述第二半導體結構與所述散熱器之間，所述熱界面材料層包括在所述第一半導體結構和所述第二半導體結構之間的第一熱界面材料部分以及突出超過所述第二側壁的第二熱界面材料部分，從所述第一襯底的頂表面到所述第一熱界面材料部分的底表面的最低點的第一距離小于從所述第一襯底的頂表面到所述第二熱界面材料部分的底表面的最低點的第二距離。
2.根據權利要求1所述的半導體封裝件，還包括：
在所述第一襯底和所述第一半導體結構之間的第一下填充層，
其中所述第一下填充層包括突出超過所述第一側壁的第一下填充突出部，并且
其中所述第一熱界面材料部分與所述第一下填充突出部隔開。
3.根據權利要求2所述的半導體封裝件，其中從所述第一襯底的頂表面到所述第一下填充突出部的上表面的最高點的第三距離等于或小于從所述第一襯底的頂表面到所述第一半導體結構的頂表面的第四距離的50％。
4.根據權利要求2所述的半導體封裝件，其中
所述第二半導體結構包括，
與所述第一半導體結構相鄰的第三側壁，和
與所述第三側壁相對的第四側壁，
所述熱界面材料層還包括突出超過所述第四側壁的第三熱界面材料部分，并且
從所述第一襯底的頂表面到所述第三熱界面材料部分的底表面的最低點的第五距離大于所述第一距離。
5.根據權利要求4所述的半導體封裝件，還包括：
在所述第一襯底和所述第二半導體結構之間的第二下填充層，
其中所述第二下填充層包括突出超過所述第三側壁的第二下填充突出部，并且
其中所述第一熱界面材料部分與所述第二下填充突出部隔開。
6.根據權利要求5所述的半導體封裝件，其中所述第二下填充突出部與所述第一下填充突出部相接觸。
7.根據權利要求5所述的半導體封裝件，其中從所述第一襯底的頂表面到所述第二下填充突出部的上表面的最高點的第六距離等于或小于從所述第一襯底的頂表面到所述第二半導體結構的頂表面的第七距離的50％。
8.根據權利要求5所述的半導體封裝件，其中
所述第一半導體結構和所述第二半導體結構限定了位于所述第一半導體結構和所述第二半導體結構之間的間隙區域，
所述間隙區域的上端對應于所述第一半導體結構的頂表面的高度和所述第二半導體結構的頂表面的高度中更低的那個，
所述間隙區域的下端對應于所述第一襯底的頂表面，
所述間隙區域的第一側對應于所述第一側壁，
所述間隙區域的與所述間隙區域的第一側相對的第二側對應于所述第三側壁，并且
位于所述間隙區域中的所述第一熱界面材料部分、所述第一下填充突出部和所述第二下填充突出部的體積之和等于或小于所述間隙區域的總體積的90％。
9.根據權利要求8所述的半導體封裝件，其中
所述間隙區域包括未被所述第一熱界面材料部分、所述第一下填充突出部和所述第二下填充突出部占據的空的空間，并且
所述空的空間的體積等于或大于所述間隙區域的總體積的10％。
10.根據權利要求1所述的半導體封裝件，還包括：
在所述第一襯底下的第二襯底，
其中所述散熱器附接到所述第二襯底。
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