[發明專利]蝕刻混切玻璃基板的方法

有效

• 申請號: 201910594360.1
• 申請日: 2019-07-03
• 公開（公告）號: CN110316971B
• 公開（公告）日: 2021-09-24
• 發明（設計）人: 袁林;晏英
• 申請（專利權）人: TCL華星光電技術有限公司
• 主分類號: C03C15/00
• 分類號: C03C15/00
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

本發明公開了一種蝕刻混切玻璃基板的方法以改善膜層厚度的均一性，包括以下步驟：S1)獲取玻璃基板中每一蝕刻區中的蝕刻量、殘留膜厚量與對應的可控參數之間的關聯數據；S2)根據關聯數據對可控參數、檢測區域的蝕刻量、殘留膜厚量進行數據分析，得到膜層厚度均一性所述可控參數之間的關系函數；S3)設定殘留膜厚量的閾值，并根據所述關系函數，重新優化可控參數；根據優化后的可控參數干蝕刻混切玻璃基板。

技術領域

本發明涉及顯示器等領域，具體為一種蝕刻混切玻璃基板的方法，以改善膜厚的均一性。

背景技術

對于玻璃混切基板(MMG)而言，玻璃混切基板(MMG)能夠通過混切技術混切成兩個不同尺寸產品。由于每英寸像素數量(PPI)、膜層的金屬密度及產品顯示區(AA區)與外圍圖形分布均存在差異，會使玻璃混切基板(MMG)關鍵特性差異化加大，如蝕刻前后的線條變化量(CD loss)、無定形硅的殘留膜厚均勻性(As Remain U％)等。

以43+22吋玻璃混切基板(MMG)為例，如下圖1中所示，22吋產品的圖形密度較43吋產品的圖形密度大，在相同蝕刻環境下，22吋產品的蝕刻速度慢，蝕刻后的膜厚偏厚，而43吋產品的蝕刻速率快，蝕刻后的膜厚偏薄。在行業內，這種因暴露在等離子體中的膜層面積較大的蝕刻速率，要小于面積較小的蝕刻速率的現象稱之為負載效應(Loading effect)。玻璃混切基板(MMG)中不同尺寸產品的膜厚不一致，產品的膜厚均勻性不佳，蝕刻圖形差異最終表現為產品的電性和光學特性差異，嚴重的將影響產品的品質。因此，實際生產中需要控制干蝕刻的殘留膜厚均勻性(As Remain U％)。

發明內容

為解決上述技術問題：本發明提供一種蝕刻混切玻璃基板的方法，減小了玻璃混切基板(MMG)的產品的圖形在干蝕刻制程中的差異性，保證了經蝕刻工藝后，產品的膜層厚度均一性較好，產品的電性和光學特性較佳。

解決上述問題的技術方案是：本發明提供一種蝕刻混切玻璃基板的方法，包括以下步驟：S1)獲取玻璃基板中每一蝕刻區中的蝕刻量、殘留膜厚量與對應的可控參數之間的關聯數據；S2)根據所述關聯數據對所述可控參數、所述檢測區域的蝕刻量、殘留膜厚量進行數據分析，得到膜層厚度均一性所述可控參數之間的關系函數，其中，殘留膜厚量波動區間越小，膜層厚度均一性越佳；S3)設定殘留膜厚量的閾值，并根據所述關系函數，重新優化可控參數；根據優化后的可控參數干蝕刻混切玻璃基板。

在本發明一實施例中，在步驟S1)中包括以下步驟：S11)提供一實驗混切玻璃基板，所述實驗混切玻璃基板包括若干蝕刻區，每一蝕刻區具有若干檢測區域，每一檢測區域具有蝕刻前的膜層厚度；S12)設定干蝕刻工藝中至少兩個以上可控參數，并在每一蝕刻區干蝕刻所述實驗混切玻璃基板；S13)在所述實驗混切玻璃基板進行干蝕刻工藝后，測定每一蝕刻區中檢測區域的蝕刻后的膜層厚度以及測量每一蝕刻區中檢測區域的蝕刻后的殘留膜厚量；S14)根據蝕刻前的膜層厚度和蝕刻后的膜層厚度，計算每一蝕刻區中檢測區域的蝕刻量；S15)將每一蝕刻區中檢測區域的蝕刻量、殘留膜厚量與對應的可控參數關聯，得到關聯數據；S16)重復步驟S11)至步驟S15)直至重復次數達到預設次數，得到多組關聯數據；所述可控參數包括電源功率、氣體壓力、氣體濃度比例。

在本發明一實施例中，所述電源功率包括Source電源功率、Bias電源功率；所述氣體濃度比例為氯氣與六氟化硫的濃度比例。

在本發明一實施例中，在每一蝕刻區中，所述檢測區域至少具有五個，其中一個檢測區域位于這一蝕刻區的中心位置，其余檢測區域分布在這一蝕刻區的邊角。

在本發明一實施例中，在所述蝕刻區中，中心位置的檢測區域的膜層厚度小于邊角的檢測區域的膜層厚度。

在本發明一實施例中，在蝕刻前，所有實驗混切玻璃基板的膜厚均一性均一致。