[發明專利]蝕刻混切玻璃基板的方法

有效

• 申請號: 201910594360.1
• 申請日: 2019-07-03
• 公開（公告）號: CN110316971B
• 公開（公告）日: 2021-09-24
• 發明（設計）人: 袁林;晏英
• 申請（專利權）人: TCL華星光電技術有限公司
• 主分類號: C03C15/00
• 分類號: C03C15/00
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

1.一種蝕刻混切玻璃基板的方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1)獲取玻璃基板中每一蝕刻區中的蝕刻量、殘留膜厚量與對應的可控參數之間的關聯數據；可控參數包括電源功率、氣體壓力、氣體濃度比例，所述電源功率包括Source電源功率、Bias電源功率；在每一蝕刻區中，檢測區域至少具有五個，其中一個檢測區域位于這一蝕刻區的中心位置，其余檢測區域分布在這一蝕刻區的邊角；

S2)根據所述關聯數據對所述可控參數、檢測區域的蝕刻量、殘留膜厚量進行數據分析，得到膜層厚度均一性所述可控參數之間的關系函數，其中，殘留膜厚量波動區間越小，膜層厚度均一性越佳；

其中，所述步驟S2)中包括以下步驟：

S21)計算中心位置的檢測區域的蝕刻量與邊角的檢測區域的蝕刻量的差值；

S22)對所述差值進行望大分析，得到所述差值與所述氣體壓力、所述

Source電源功率、所述Bias電源功率和所述氣體濃度比例的望大分析結果；

S23)對殘留膜厚量波動區間進行望小分析，得到所述殘留膜厚量與所述氣體壓力、所述Source電源功率、所述Bias電源功率和所述氣體濃度比例的望小分析結果；

S24)根據望大分析結果、望小分析結果，分析膜層厚度均一性與所述氣體壓力、所述Source電源功率、所述Bias電源功率和所述氣體濃度比例的關系；

S3)設定殘留膜厚量的閾值，并根據所述關系函數，重新優化可控參數；根據優化后的可控參數干蝕刻混切玻璃基板。

2.根據權利要求1所述的蝕刻混切玻璃基板的方法，其特征在于，在步驟S1)中包括以下步驟：

S11)提供一實驗混切玻璃基板，所述實驗混切玻璃基板包括若干蝕刻區，每一蝕刻區具有若干檢測區域，每一檢測區域具有蝕刻前的膜層厚度；

S12)設定干蝕刻工藝中至少兩個以上可控參數，并在每一蝕刻區干蝕刻所述實驗混切玻璃基板；

S13)在所述實驗混切玻璃基板進行干蝕刻工藝后，測定每一蝕刻區中檢測區域的蝕刻后的膜層厚度以及測量每一蝕刻區中檢測區域的蝕刻后的殘留膜厚量；

S14)根據蝕刻前的膜層厚度和蝕刻后的膜層厚度，計算每一蝕刻區中檢測區域的蝕刻量；

S15)將每一蝕刻區中檢測區域的蝕刻量、殘留膜厚量與對應的可控參數關聯，得到關聯數據；

S16)重復步驟S11)至步驟S15)直至重復次數達到預設次數，得到多組關聯數據。

3.根據權利要求1所述的蝕刻混切玻璃基板的方法，其特征在于，

所述氣體濃度比例為氯氣與六氟化硫的濃度比例。

4.根據權利要求1所述的蝕刻混切玻璃基板的方法，其特征在于，在所述蝕刻區中，中心位置的檢測區域的膜層厚度小于邊角的檢測區域的膜層厚度。

5.根據權利要求1所述的蝕刻混切玻璃基板的方法，其特征在于，在蝕刻前，所有實驗混切玻璃基板的膜厚均一性均一致。

6.根據權利要求1所述的蝕刻混切玻璃基板的方法，其特征在于，所述蝕刻區分為第一蝕刻區和第二蝕刻區，所述第一蝕刻區的尺寸小于所述第二蝕刻區的尺寸。

7.根據權利要求6所述的蝕刻混切玻璃基板的方法，其特征在于，所述第一蝕刻區的檢測區域的數量少于所述第二蝕刻區的檢測區域的數量。

8.根據權利要求1所述的蝕刻混切玻璃基板的方法，其特征在于，所述殘留膜厚量的閾值為25％。