[發明專利]一種D觸發器、非線性相位檢測器和數據恢復電路

在審

• 申請號: 201910590714.5
• 申請日: 2019-07-02
• 公開（公告）號: CN112187217A
• 公開（公告）日: 2021-01-05
• 發明（設計）人: 鄔成;湯小虎
• 申請（專利權）人: 無錫有容微電子有限公司
• 主分類號: H03K3/012
• 分類號: H03K3/012;H03K3/3562;H03K19/00;H03K19/0185
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 陳麗

1.一種D觸發器，其特征在于，包括依次連接的電流模鎖存器、敏感放大器和RS鎖存器；所述電流模鎖存器低電平有效；

所述電流模鎖存器的正相輸入端、反相輸入端分別作為所述D觸發器的正相輸入端、反相輸入端；所述RS鎖存器的正相輸出端、反相輸出端分別作為所述D觸發器的正相輸出端、反相輸出端；所述電流模鎖存器的時鐘輸入端與所述敏感放大器的時鐘輸入端連接，作為所述D觸發器的時鐘輸入端。

2.根據權利要求1所述的D觸發器，其特征在于，所述電流模鎖存器包括第一電阻、第二電阻、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管和電流源；

所述第一電阻的第一端和所述第二電阻的第一端與電源連接；所述第一電阻的第二端、所述第一NMOS管的第一端、所述第三NMOS管的柵極、所述第四NMOS管的第一端均相互連接；所述第二電阻的第二端、所述第二NMOS管的第一端、所述第三NMOS管的第一端、所述第四NMOS管的柵極均相互連接；所述第一NMOS管的第二端、所述第二NMOS管的第二端、所述第五NMOS管的第一端均相互連接；所述第三NMOS管的第二端、所述第四NMOS管的第二端、所述第六NMOS管的第一端均相互連接；所述第五NMOS管的第二端、所述第六NMOS管的第二端均與所述電流源的輸入端連接，所述電流源的輸出端接地；

所述第一NMOS管的柵極作為所述電流模鎖存器的正相輸入端；所述第二NMOS管的柵極作為所述電流模鎖存器的反相輸入端；所述第五NMOS管的柵極作為所述電流模鎖存器的時鐘輸入端。

3.根據權利要求1所述的D觸發器，其特征在于，所述敏感放大器包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管、第十NMOS管、第十一NMOS管和第十二NMOS管；

所述第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管的第一端均與電源連接；所述第一PMOS管的第二端、所述第二PMOS管的第二端、所述第三PMOS管的柵極、所述第五PMOS管的第二端、所述第七NMOS管的第一端、所述第八NMOS管的柵極均相互連接；所述第二PMOS管的柵極、所述第五PMOS管的第一端、所述第三PMOS管的第二端、所述第四PMOS管的第二端、所述第七NMOS管的柵極、所述第八NMOS管的第一端均相互連接；所述第七NMOS管的第二端、所述第九NMOS管的第一端、所述第十NMOS管的第一端均相互連接；所述第八NMOS管的第二端、所述第九NMOS管的第二端、所述第十一NMOS管的第一端均相互連接；所述第十NMOS管的第二端、所述第十一NMOS管的第二端、所述第十二NMOS管的第一端均相互連接；所述第十二NMOS管的第二端接地；

所述第十NMOS管的柵極作為所述敏感放大器的正相輸入端；所述第十一NMOS管的柵極作為所述敏感放大器的反相輸入端；所述第一PMOS管的柵極、所述第四PMOS管的柵極、所述第五PMOS管的柵極均相互連接，作為所述敏感放大器的時鐘輸入端。

4.一種非線性相位檢測器，其特征在于，包括如權利要求1至3任一項所述的D觸發器。

5.根據權利要求4所述的非線性相位檢測器，其特征在于，包括四個所述D觸發器和兩個異或門；

第一D觸發器的正相輸入端與第三D觸發器的正相輸入端連接，并作為所述非線性相位檢測器的正相輸入端；所述第一D觸發器的正相輸出端分別與第二D觸發器的正相輸入端和第一異或門的第一輸入端連接；所述第二D觸發器的正相輸出端與第二異或門的第一輸出端連接；所述第三D觸發器的正相輸出端與第四D觸發器的正相輸入端連接；所述第四D觸發器的輸出端分別與所述第一異或門的第二輸入端和所述第二異或門的第二輸入端連接；各個所述D觸發器的時鐘輸入端均相互連接，作為所述非線性相位檢測器的時鐘輸入端。

6.一種數據恢復電路，其特征在于，包括如權利要求4或者5所述的非線性相位檢測器。