[發(fā)明專利]半導體裝置及半導體裝置的制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910589721.3
• 申請日: 2019-07-02
• 公開（公告）號: CN111696923A
• 公開（公告）日: 2020-09-22
• 發(fā)明（設計）人: 大野天頌;藤田努;久米一平;友野章
• 申請（專利權）人: 東芝存儲器株式會社
• 主分類號: H01L23/00
• 分類號: H01L23/00;H01L21/78;B23K26/38
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 楊林勳

本發(fā)明涉及一種半導體裝置及半導體裝置的制造方法。根據(jù)一實施方式，半導體裝置具備器件層、反射率降低層及改質層。所述器件層配置在半導體襯底的第1區(qū)域的第1面上。所述反射率降低層被配置在所述半導體襯底的設置在所述第1區(qū)域周圍的第2區(qū)域的所述第1面上，且使反射率與所述第1面上配置有金屬膜時從與所述第1面對向的第2面?zhèn)热肷涞募す獾姆瓷渎氏啾冉档?。所述改質層被設置在所述第2區(qū)域的所述半導體襯底的側面。所述第2區(qū)域的所述半導體襯底的側面是在所述半導體襯底中伸展的切斷面。

相關申請的引用

本申請以基于2019年3月14日提出申請的現(xiàn)有日本專利申請第2019-047449號的優(yōu)先權的利益為基礎，且追求該利益，將其所有內容以引用的形式包含在本文中。

技術領域

本文中所說明的多種實施方式總體而言涉及一種半導體裝置及半導體裝置的制造方法。

背景技術

已知一種隱形切割技術，它是通過沿著形成有器件層的半導體襯底的切割區(qū)域將激光聚集在半導體襯底的內部來形成改質層，并使之解理而單片化成多個芯片。

但是，如果半導體襯底的厚度變薄，那么便難以使用隱形切割技術來切割半導體襯底。

發(fā)明內容

本發(fā)明的一實施方式提供一種即使半導體襯底的厚度薄，也可使用隱形切割技術來切割半導體襯底的半導體裝置及半導體裝置的制造方法。

根據(jù)本發(fā)明的一實施方式，半導體裝置具備器件層、反射率降低層及改質層。所述器件層配置在半導體襯底的第1區(qū)域的第1面上。所述反射率降低層被配置在所述半導體襯底的設置在所述第1區(qū)域周圍的第2區(qū)域的所述第1面上，使反射率與所述第1面上配置有金屬膜時從與所述第1面對向的第2面?zhèn)热肷涞募す獾姆瓷渎氏啾冉档?。所述改質層被設置在所述第2區(qū)域的所述半導體襯底的側面。所述第2區(qū)域的所述半導體襯底的側面是在所述半導體襯底中進行伸展的切斷面。

根據(jù)所述構成，可提供一種即使半導體襯底的厚度薄，也可使用隱形切割技術來切割半導體襯底的半導體裝置及半導體裝置的制造方法。

附圖說明

圖1是表示使用隱形切割的半導體裝置的制造方法的順序的一例的流程圖。

圖2-1(a)、(b)是示意性地表示使用隱形切割的半導體裝置的制造法的順序的一例的剖視圖。

圖2-2(c)、(d)是示意性地表示使用隱形切割的半導體裝置的制造法的順序的一例的剖視圖。

圖3是表示隱形切割裝置中的焦點位置的設定值與實際焦點深度的關系的一例的圖。

圖4是表示基于晶圓的結構所獲得的改質層的形成狀態(tài)的一例的圖。

圖5是說明金屬膜的存在對隱形切割的影響的圖。

圖6是示意性地表示第1實施方式的半導體裝置的構成的一例的立體圖。

圖7(a)、(b)是示意性地表示第1實施方式的半導體裝置的構成的一例的圖。

圖8是表示因晶圓的背面精加工的不同引起的背面的粗糙度與反射率的差異的圖。

圖9是表示從圖8求出的表面粗糙度與反射率的下降率的關系的一例的圖。

圖10是示意性地表示第2實施方式的半導體裝置的構成的一例的側視圖。

圖11是示意性地表示第3實施方式的半導體裝置的構成的一例的剖視圖。

圖12是表示當為由氧化硅膜與多晶硅膜積層而成的多層膜且使多晶硅膜的膜厚固定而改變氧化硅膜的膜厚時從晶圓的第2面?zhèn)热肷浼す鈺r的反射率的變化的圖。