[發(fā)明專利]一種串聯(lián)饋電微帶天線陣及其優(yōu)化設計方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910586193.6 | 申請日: | 2019-07-01 |
| 公開(公告)號: | CN110233356B | 公開(公告)日: | 2021-08-10 |
| 發(fā)明(設計)人: | 張峰會;趙平 | 申請(專利權)人: | 武漢安智核通科技有限公司 |
| 主分類號: | H01Q21/00 | 分類號: | H01Q21/00;H01Q1/50;H01Q1/38;H01Q1/32;H01Q1/22 |
| 代理公司: | 武漢藍寶石專利代理事務所(特殊普通合伙) 42242 | 代理人: | 嚴超 |
| 地址: | 430000 湖北省武漢市東湖新技術開發(fā)區(qū)高新二路*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 串聯(lián) 饋電 微帶 天線陣 及其 優(yōu)化 設計 方法 | ||
本發(fā)明涉及一種串聯(lián)饋電微帶天線陣及其優(yōu)化設計方法,由若干個符合陣元長度公式和陣元寬度公式的陣元根據(jù)陣元間距公式串聯(lián)組成串聯(lián)饋電微帶天線陣。本發(fā)明從工程應用出發(fā),綜合考慮了微帶陣元的輻射特性、幅度加權、天線互耦、阻抗匹配等因素,推導了相互關聯(lián)的串饋微帶線陣的設計參數(shù)曲線;通過本串饋微帶線陣的設計參數(shù)曲線,可快速獲得了一組串饋矩形微帶加權線陣的設計參數(shù),有效地加快了設計過程,縮短了研制周期,使用本方法設計串饋微帶天線陣是簡捷、快速、有效的。
技術領域
本發(fā)明涉及微帶天線研究技術領域,具體地說是一種串聯(lián)饋電微帶天線陣及其優(yōu)化設計方法。
背景技術
微帶天線由于其具有重量輕、體積小、成本低、低剖面、結構簡單、易于制作和生產(chǎn)等優(yōu)點,是現(xiàn)代電子設備首選的天線形式,在通信、導航、雷達和電子對抗等無線領域得到廣泛應用。在各種應用,天線增益、副瓣電平、效率指標是微帶天線最重要的指標。
微帶天線陣一般以微帶線構成的饋電網(wǎng)絡對每個輻射單元進行饋電,微帶天線陣按常用的饋電方式可分為并聯(lián)饋電和串聯(lián)饋電。與微帶天線陣的并聯(lián)饋電相比,串聯(lián)饋電可以顯著減小饋電網(wǎng)絡的復雜性,縮短網(wǎng)絡中微帶傳輸線的長度,降低饋電網(wǎng)絡帶來的損耗,在并聯(lián)饋電的微帶天線陣中,從饋電點到每一個輻射單元的饋線長度一樣,所以微帶天線陣設計比較簡單。串聯(lián)饋電的微帶天線陣相對要復雜一些,推出串饋微帶陣各陣元電流計算的遞推公式,按此公式逐級計算可得到各陣元電流以及饋電點的電流及輸入阻抗,由此設計微帶天線陣。
對串饋微帶陣列天線而言,為了實現(xiàn)天線天線增益、副瓣電平、效率的特定要求,天線陣需要適當?shù)姆取⑾辔环植?這使得微帶天線陣列的設計較為復雜,特別是在高頻應用情況下,這種現(xiàn)象尤為突出。串饋微帶天線陣設計中,由于串饋微帶天線中單元的激勵、輻射和互耦相互纏繞,難以精確設計和實現(xiàn)天線陣中各單元的幅相分布要求。當串聯(lián)饋電微帶天線陣的元數(shù)較少時,設計參數(shù)較少;隨著陣元的增加,設計參數(shù)按3倍的速度增加,陣越大,設計參數(shù)越多,設計出最優(yōu)化串饋微帶天線陣也越困難。
發(fā)明內(nèi)容
針對現(xiàn)有技術的不足,本發(fā)明提供一種串聯(lián)饋電微帶天線陣及其優(yōu)化設計方法,解決由于串饋微帶天線中單元的激勵、輻射和互耦相互纏繞,難以精確設計和實現(xiàn)天線陣中各單元的幅相分布要求的問題。
本發(fā)明為實現(xiàn)上述目的所采用的技術方案是:
一種串聯(lián)饋電微帶天線陣的優(yōu)化設計方法,由若干個陣元串聯(lián)組成串聯(lián)饋電微帶天線陣;
每個陣元的陣元長度L i為:L i=0.5×λg×(43.11562×(i/n)5-122.70205×(i/n)4+127.36018×(i/n)3-58.27373×(i/n)2+11.13284×(i/n)+0.35668);所述陣元長度為每個陣元的軸向長度;
每個陣元的陣元寬度W i為:W i=W 1×(4669.50705×(i/n)7-18224.84943×(i/n)6+28791.24036×(i/n)5-23511.83389×(i/n)4+10499.94636×(i/n)3-2519.11493×(i/n)2+309.45271×(i/n)-13.15999);所述陣元寬度為每個陣元的橫向寬度;
兩個陣元之間的陣元間距D i為:D i=0.5×λg×(42.09026×(i/n)6-133.0462×(i/n)5-161.9231×(i/n)4-96.27209×(i/n)3+29.59044×(i/n)2-4.52219×(i/n)+1.23738);所述兩個陣元之間的陣元間距為相鄰兩個陣元中心的距離;
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