[發明專利]一種串聯饋電微帶天線陣及其優化設計方法

有效

• 申請號: 201910586193.6
• 申請日: 2019-07-01
• 公開（公告）號: CN110233356B
• 公開（公告）日: 2021-08-10
• 發明（設計）人: 張峰會;趙平
• 申請（專利權）人: 武漢安智核通科技有限公司
• 主分類號: H01Q21/00
• 分類號: H01Q21/00;H01Q1/50;H01Q1/38;H01Q1/32;H01Q1/22
• 代理公司: 武漢藍寶石專利代理事務所(特殊普通合伙) 42242
• 代理人: 嚴超

1.一種串聯饋電微帶天線陣的優化設計方法，其特征在于：由若干個陣元串聯組成串聯饋電微帶天線陣；

每個陣元的陣元長度L i為：L i＝0.5×λg×(43.11562×(i/n)⁵-122.70205×(i/n)⁴+127.36018×(i/n)³-58.27373×(i/n)²+11.13284×(i/n)+0.35668)；所述陣元長度為每個陣元的軸向長度；

每個陣元的陣元寬度W i為：W i＝W 1×(4669.50705×(i/n)⁷-18224.84943×(i/n)⁶+28791.24036×(i/n)⁵-23511.83389×(i/n)⁴+10499.94636×(i/n) ³-2519.11493×(i/n)²+309.45271×(i/n)-13.15999)；所述陣元寬度為每個陣元的橫向寬度；

兩個陣元之間的陣元間距D i為：D i＝0.5×λg×(42.09026×(i/n)⁶-133.0462×(i/n)⁵-161.9231×(i/n)⁴-96.27209×(i/n)³+29.59044×(i/n)²-4.52219×(i/n)+1.23738)；所述兩個陣元之間的陣元間距為相鄰兩個陣元中心的距離；

其中，λg為微帶介質中的波長，i為陣元序號(1≤i≤n)，W 1為串聯饋電微帶天線陣第一陣元寬度，D i為第i個陣元與第i+1個陣元之間的間距，n為串聯饋電微帶天線陣的陣元個數。

2.根據權利要求1所述的串聯饋電微帶天線陣的優化設計方法，其特征在于：所述串聯饋電微帶天線陣的第n個陣元的非陣元側為串聯饋電微帶天線陣的輸入端。

3.一種串聯饋電微帶天線陣，其特征在于，由若干個陣元組成，每個陣元的陣元長度Li為：L i＝0.5×λg×(43.11562×(i/n)⁵-122.70205×(i/n)⁴+127.36018×(i/n)³-58.27373×(i/n)²+11.13284×(i/n)+0.35668)；所述陣元長度為每個陣元的軸向長度；每個陣元的陣元寬度W i為：W i＝W 1×(4669.50705×(i/n)⁷-18224.84943×(i/n)⁶+28791.24036×(i/n)⁵-23511.83389×(i/n)⁴+10499.94636×(i/n)³-2519.11493×(i/n)²+309.45271×(i/n)-13.15999)；所述陣元寬度為每個陣元的橫向寬度；兩個陣元之間的陣元間距D i為：D i＝0.5×λg×(42.09026×(i/n)⁶-133.0462×(i/n)⁵-161.9231×(i/n)⁴-96.27209×(i/n)³+29.59044×(i/n)²-4.52219×(i/n)+1.23738)；所述陣元間距為相鄰兩個陣元中心的距離。

4.根據權利要求3所述的串聯饋電微帶天線陣，其特征在于：第n個陣元的非陣元側為串聯饋電微帶天線陣的輸入端。