[發明專利]亞像素級邊緣效應的修正方法及終端設備

有效

• 申請號: 201910584992.X
• 申請日: 2019-07-01
• 公開（公告）號: CN110207842B
• 公開（公告）日: 2020-09-01
• 發明（設計）人: 翟玉衛;劉巖;梁法國;韓偉;鄒學鋒;李灝;喬玉娥;丁晨
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第十三研究所
• 主分類號: G01K11/00
• 分類號: G01K11/00
• 代理公司: 石家莊國為知識產權事務所 13120
• 代理人: 付曉娣

本發明適用于微電子器件溫度檢測技術領域，提供了一種亞像素級邊緣效應的修正方法及終端設備，該方法包括：通過獲取不同材料構成的被測件的多張圖像，當不同圖像上預設線段上相同位置的像素點讀數不同時，控制熱反射成像測溫裝置上的納米位移臺向像素點移動方向的反方向以預設距離移動，直到不同圖像上預設線段上相同位置的像素點讀數誤差值小于或等于預設誤差閾值時，確定完成亞像素級邊緣效應的修正，從而可以通過圖像處理的方式使得X、Y兩個方向的亞像素級位置變化引起的邊緣效應得到修正，從而使被測件位置變化造成高溫誤差和低溫誤差得到了修正，可以提高的熱反射測溫準確度。

技術領域

本發明屬于微電子器件溫度檢測技術領域，尤其涉及一種亞像素級邊緣效應的修正方法及終端設備。

背景技術

當可見光照射在某種材料表面時，材料對可見光的反射率隨材料溫度變化而變化。材料對可見光的反射率變化量與材料表面的溫度變化量呈線性關系，如公式其中，所述ΔR為反射率變化量；R_average為反射率的均值；ΔT為被測材料溫度變化量，單位為K；C_TR為熱反射率校準系數，單位為K^-1。由此可見，C_TR不同時即使測得相同的反射率變化量ΔR，計算得到的ΔT也必然不同。

一般熱反射成像測溫裝置采用科研級CCD相機作為探測器，CCD相機是由很多成像單元組成的陣列式探測器。對于陣列式探測器的熱反射成像測溫裝置會由于熱膨脹、振動等原因造成該成像單元對應的材料及C_TR發生變化，熱膨脹或振動引起的被測件表面不同材料交界處出現的異常結果一般稱為邊緣效應，然而現有技術并未給出如何修正邊緣效應的方法，導致對被測件的測溫結果造成很大影響。

發明內容

有鑒于此，本發明實施例提供了一種亞像素級邊緣效應的修正方法及終端設備，以解決現有技術中被測件的測溫結果準確度較低的問題。

本發明實施例的第一方面提供了一種亞像素級邊緣效應的修正方法，包括：

獲取不同材料構成的被測件的多張圖像；所述多張圖像為給所述被測件施加固定光強時熱反射成像測溫裝置上的探測器拍攝的所述被測件的圖像；

當不同圖像上預設線段上相同位置的像素點讀數不同時，控制熱反射成像測溫裝置上的納米位移臺向像素點移動方向的反方向以預設距離移動，直到不同圖像上預設線段上相同位置的像素點讀數誤差值小于或等于預設誤差閾值時，確定完成亞像素級邊緣效應的修正，其中，預設距離為小于一個像素點的長度的距離。

在一實施例中，所述獲取不同材料構成的被測件的多張圖像，包括：

獲取不同材料構成的被測件的第一張圖像，并將所述第一張圖像作為參考圖像；

繼續獲取所述被測件的多張后續圖像，并將所述后續圖像作為對比圖像。

在一實施例中，所述預設線段為預設直線段，所述預設直線段與圖像上不同材料的邊界線相交。

在一實施例中，在所述獲取不同材料構成的被測件的多張圖像之后，還包括：

提取所述參考圖像上所述預設直線段上的各個像素點；以及提取所述對比圖像上所述預設直線段上的各個像素點。

在一實施例中，所述當不同圖像上預設線段上相同位置的像素點讀數不同時，控制熱反射成像測溫裝置上的納米位移臺向像素點移動方向的反方向以預設距離移動，包括：

當所述參考圖像上所述預設直線段上的第一像素點的讀數與所述對比圖像上所述預設直線段上相同位置的第二像素點的讀數不同時，確定所述被測件相對于所述探測器的移動方向；

根據所述被測件相對于所述探測器的移動方向，控制熱反射成像測溫裝置上的納米位移臺向反方向移動預設距離；