[發(fā)明專利]亞像素級(jí)邊緣效應(yīng)的修正方法及終端設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910584992.X
• 申請(qǐng)日: 2019-07-01
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110207842B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-09-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 翟玉衛(wèi);劉巖;梁法國(guó);韓偉;鄒學(xué)鋒;李灝;喬玉娥;丁晨
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所
• 主分類號(hào): G01K11/00
• 分類號(hào): G01K11/00
• 代理公司: 石家莊國(guó)為知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所 13120
• 代理人: 付曉娣

1.一種亞像素級(jí)邊緣效應(yīng)的修正方法，其特征在于，包括：

獲取不同材料構(gòu)成的被測(cè)件的多張圖像；所述多張圖像為給所述被測(cè)件施加固定光強(qiáng)時(shí)熱反射成像測(cè)溫裝置上的探測(cè)器拍攝的所述被測(cè)件的圖像；

當(dāng)不同圖像上預(yù)設(shè)線段上相同位置的像素點(diǎn)讀數(shù)不同時(shí)，控制熱反射成像測(cè)溫裝置上的納米位移臺(tái)向像素點(diǎn)移動(dòng)方向的反方向移動(dòng)預(yù)設(shè)距離，所述預(yù)設(shè)線段為預(yù)設(shè)直線段，所述預(yù)設(shè)直線段與圖像上不同材料的邊界線相交；獲取所述納米位移臺(tái)位置移動(dòng)后所述被測(cè)件的新對(duì)比圖像，并提取所述新對(duì)比圖像上所述預(yù)設(shè)直線段上第三像素點(diǎn)的讀數(shù)，所述第三像素點(diǎn)為與第一像素點(diǎn)位置相同的像素點(diǎn)；當(dāng)所述第三像素點(diǎn)的讀數(shù)在[第一像素點(diǎn)讀數(shù)，第二像素點(diǎn)的讀數(shù)]或者[第二像素點(diǎn)的讀數(shù)，第一像素點(diǎn)讀數(shù)]范圍內(nèi)時(shí)，繼續(xù)控制熱反射成像測(cè)溫裝置上的納米位移臺(tái)繼續(xù)向相同的方向移動(dòng)；當(dāng)所述第三像素點(diǎn)的讀數(shù)在[第一像素點(diǎn)讀數(shù)，第二像素點(diǎn)的讀數(shù)]或者[第二像素點(diǎn)的讀數(shù)，第一像素點(diǎn)讀數(shù)]范圍之外時(shí)，繼續(xù)控制熱反射成像測(cè)溫裝置上的納米位移臺(tái)繼續(xù)向相反的方向移動(dòng)，直到不同圖像上預(yù)設(shè)線段上相同位置的像素點(diǎn)讀數(shù)誤差值小于或等于預(yù)設(shè)誤差閾值時(shí)，確定完成亞像素級(jí)邊緣效應(yīng)的修正，其中，預(yù)設(shè)距離為小于一個(gè)像素點(diǎn)的長(zhǎng)度的距離，所述第一像素點(diǎn)和所述第二像素點(diǎn)為不同圖像上預(yù)設(shè)線段上相同位置的像素點(diǎn)。

2.如權(quán)利要求1所述的亞像素級(jí)邊緣效應(yīng)的修正方法，其特征在于，所述獲取不同材料構(gòu)成的被測(cè)件的多張圖像，包括：

獲取不同材料構(gòu)成的被測(cè)件的第一張圖像，并將所述第一張圖像作為參考圖像；

繼續(xù)獲取所述被測(cè)件的多張后續(xù)圖像，并將所述后續(xù)圖像作為對(duì)比圖像。

3.如權(quán)利要求2所述的亞像素級(jí)邊緣效應(yīng)的修正方法，其特征在于，在所述獲取不同材料構(gòu)成的被測(cè)件的多張圖像之后，還包括：

提取所述參考圖像上所述預(yù)設(shè)直線段上的各個(gè)像素點(diǎn)；以及提取所述對(duì)比圖像上所述預(yù)設(shè)直線段上的各個(gè)像素點(diǎn)。

4.如權(quán)利要求3所述的亞像素級(jí)邊緣效應(yīng)的修正方法，其特征在于，所述當(dāng)不同圖像上預(yù)設(shè)線段上相同位置的像素點(diǎn)讀數(shù)不同時(shí)，控制熱反射成像測(cè)溫裝置上的納米位移臺(tái)向像素點(diǎn)移動(dòng)方向的反方向以預(yù)設(shè)距離移動(dòng)，包括：

當(dāng)所述參考圖像上所述預(yù)設(shè)直線段上的第一像素點(diǎn)的讀數(shù)與所述對(duì)比圖像上所述預(yù)設(shè)直線段上相同位置的第二像素點(diǎn)的讀數(shù)不同時(shí)，確定所述被測(cè)件相對(duì)于所述探測(cè)器的移動(dòng)方向；

根據(jù)所述被測(cè)件相對(duì)于所述探測(cè)器的移動(dòng)方向，控制熱反射成像測(cè)溫裝置上的納米位移臺(tái)向反方向移動(dòng)預(yù)設(shè)距離；

其中，所述第二像素點(diǎn)為與所述第一像素點(diǎn)位置相同的像素點(diǎn)。

5.如權(quán)利要求4所述的亞像素級(jí)邊緣效應(yīng)的修正方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)距離根據(jù)L＝K*l確定，其中，所述L表示所述預(yù)設(shè)距離，所述K表示調(diào)節(jié)系數(shù)，且0K1，所述l表示一個(gè)像素點(diǎn)的長(zhǎng)度的距離。

6.如權(quán)利要求5所述的亞像素級(jí)邊緣效應(yīng)的修正方法，其特征在于，所述直到不同圖像上預(yù)設(shè)線段上相同位置的像素點(diǎn)讀數(shù)的誤差值小于或等于預(yù)設(shè)誤差閾值時(shí)，確定完成亞像素級(jí)邊緣效應(yīng)的修正，包括：

當(dāng)所述第三像素點(diǎn)的讀數(shù)與所述第一像素點(diǎn)的讀數(shù)的差值小于或等于預(yù)設(shè)誤差閾值時(shí)，確定完成亞像素級(jí)邊緣效應(yīng)的修正。