[發(fā)明專利]一種全透明倒置量子點(diǎn)發(fā)光器件、其制備方法及顯示裝置

在審

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• 申請日: 2019-07-01
• 公開（公告）號: CN110165067A
• 公開（公告）日: 2019-08-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孫小衛(wèi);王愷;丁時(shí)浩;王為高;徐冰
• 申請（專利權(quán)）人: 南方科技大學(xué)
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 鞏克棟

本發(fā)明提供了一種全透明倒置量子點(diǎn)發(fā)光器件、其制備方法及顯示裝置。所述全透明倒置量子點(diǎn)發(fā)光器件包括依次層疊設(shè)置的襯底、陰極、電子傳輸層、量子點(diǎn)發(fā)光層、空穴傳輸層、保護(hù)層和陽極；或者包括依次層疊設(shè)置的襯底、陰極、電子傳輸層、量子點(diǎn)發(fā)光層、保護(hù)層、空穴傳輸層和陽極。所述保護(hù)層是通過直接蒸鍍或原子層沉積保護(hù)層材料，或者先蒸鍍保護(hù)層材料的前體，然后氧化的方法制備得到。所述顯示裝置包括陣列排布的至少兩個(gè)上述全透明倒置量子點(diǎn)發(fā)光器件。本發(fā)明提供的全透明倒置量子點(diǎn)發(fā)光器件能夠減輕制備過程中量子點(diǎn)發(fā)光層的損傷，與全透明正置量子點(diǎn)發(fā)光器件相比，可以使驅(qū)動電路的設(shè)計(jì)更加簡單高效。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于發(fā)光器件技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種全透明倒置量子點(diǎn)發(fā)光器件、其制備方法及顯示裝置。

背景技術(shù)

量子點(diǎn)發(fā)光二極管(QLED)是一種以量子點(diǎn)作為發(fā)光層材料的電致發(fā)光器件。與有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)相比，QLED具有理論發(fā)光效率更高、顏色可調(diào)、色域更廣、色彩飽和度和鮮艷度更好、能耗成本更低等優(yōu)點(diǎn)，可能成為下一代新型顯示技術(shù)的候選者。

QLED有正置和倒置兩種結(jié)構(gòu)。正置QLED器件通常包括依次層疊設(shè)置的襯底、陽極、空穴傳輸層、量子點(diǎn)發(fā)光層、電子傳輸層和陰極。CN 108269928 A公開了一種正置底發(fā)射QLED器件及其制備方法，CN 103904178A公開了一種量子點(diǎn)發(fā)光器件，CN 108155296A公開了一種量子點(diǎn)發(fā)光器件及顯示裝置，這些QLED器件均為正置底發(fā)射結(jié)構(gòu)，光從襯底一側(cè)出射，如果采用較為復(fù)雜的有源驅(qū)動矩陣，勢必會降低開口率，要達(dá)到與頂發(fā)射相等的顯示亮度，則需要增加工作電壓，這將大幅縮短器件壽命。

倒置QLED器件通常包括依次層疊設(shè)置的襯底、陰極、電子傳輸層、量子點(diǎn)發(fā)光層、空穴傳輸層和陽極。CN 108269933A公開了一種反置底發(fā)射QLED器件及其制備方法，CN108232023A公開了一種倒置結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)發(fā)光二極管及其制備方法，這些倒置QLED器件與正置QLED器件相比，具有更高的占空比，可實(shí)現(xiàn)近100﹪的開口率，從而可充分利用像素空間設(shè)計(jì)多管驅(qū)動電路。相比于LTPS(低溫多晶硅)工藝成本高、且只能小面積應(yīng)用的缺點(diǎn)，倒置QLED器件可以和成熟的n溝道a-Si基TFT驅(qū)動電路集成，低成本制備大面積顯示面板。

但是，全透明倒置QLED器件的陽極通常為銦錫氧化物，一部分空穴傳輸層為無機(jī)材料，均需要采用磁控濺射的方法制備，濺射過程中會產(chǎn)生高能粒子，導(dǎo)致下層量子點(diǎn)發(fā)光層受損，器件發(fā)光效率和亮度下降，壽命縮短，有待于解決。

發(fā)明內(nèi)容

針對現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，本發(fā)明的目的在于提供一種全透明倒置量子點(diǎn)發(fā)光器件、其制備方法及顯示裝置。本發(fā)明提供的全透明倒置量子點(diǎn)發(fā)光器件能夠減輕制備過程中量子點(diǎn)發(fā)光層的損傷，與全透明正置量子點(diǎn)發(fā)光器件相比，可以使驅(qū)動電路的設(shè)計(jì)更加簡單高效。

為達(dá)此目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案：

第一方面，本發(fā)明提供一種全透明倒置量子點(diǎn)發(fā)光器件，包括依次層疊設(shè)置的襯底、陰極、電子傳輸層、量子點(diǎn)發(fā)光層、空穴傳輸層、保護(hù)層和陽極；

或者包括依次層疊設(shè)置的襯底、陰極、電子傳輸層、量子點(diǎn)發(fā)光層、保護(hù)層、空穴傳輸層和陽極。

本發(fā)明在量子點(diǎn)發(fā)光層和陽極之間增加保護(hù)層，可以起到阻擋器件制備過程中產(chǎn)生的高能粒子的作用，從而減輕甚至避免其下層的量子點(diǎn)層或空穴傳輸層受到的損傷。得到的全透明倒置量子點(diǎn)發(fā)光器件可以更加方便地采用N型薄膜晶體管驅(qū)動，優(yōu)化像素點(diǎn)性能。

作為本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案，所述全透明倒置量子點(diǎn)發(fā)光器件還包括空穴注入層，所述空穴注入層設(shè)置在所述空穴傳輸層和所述保護(hù)層之間，或設(shè)置在所述空穴傳輸層和所述陽極之間。