[發明專利]一種全透明倒置量子點發光器件、其制備方法及顯示裝置

在審

• 申請號: 201910584879.1
• 申請日: 2019-07-01
• 公開（公告）號: CN110165067A
• 公開（公告）日: 2019-08-23
• 發明（設計）人: 孫小衛;王愷;丁時浩;王為高;徐冰
• 申請（專利權）人: 南方科技大學
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 鞏克棟

1.一種全透明倒置量子點發光器件，其特征在于，所述全透明倒置量子點發光器件包括依次層疊設置的襯底、陰極、電子傳輸層、量子點發光層、空穴傳輸層、保護層和陽極；

或者包括依次層疊設置的襯底、陰極、電子傳輸層、量子點發光層、保護層、空穴傳輸層和陽極。

2.根據權利要求1所述的全透明倒置量子點發光器件，其特征在于，所述全透明倒置量子點發光器件還包括空穴注入層，所述空穴注入層設置在所述空穴傳輸層和所述保護層之間，或設置在所述空穴傳輸層和所述陽極之間；

優選地，所述空穴注入層的材料為PEDOT:PSS、HAT-CN或MoO₃。

3.根據權利要求1或2所述的全透明倒置量子點發光器件，其特征在于，所述陰極和所述陽極的材料均為ITO。

4.根據權利要求1-3任一項所述的全透明倒置量子點發光器件，其特征在于，所述電子傳輸層的材料為ZnO、ZnMgO、TPBi或Alq₃；

優選地，所述量子點發光層的材料為CdSe或InP。

5.根據權利要求1-4任一項所述的全透明倒置量子點發光器件，其特征在于，所述保護層的材料選自絕緣無機氧化物或絕緣無機氮化物中的一種或至少兩種的組合；

優選地，所述絕緣無機氧化物為氧化鋁、二氧化鉿、二氧化鋯或二氧化硅；

優選地，所述絕緣無機氮化物為氮化鋁或氮化硅；

優選地，所述保護層的厚度為1-3nm。

6.根據權利要求1-5任一項所述的全透明倒置量子點發光器件，其特征在于，所述空穴傳輸層的材料為有機空穴傳輸材料或無機空穴傳輸材料，所述有機空穴傳輸材料為TFB、poly-TPD、PVK、NPB或CBP，所述無機空穴傳輸材料為NiO_x。

7.根據權利要求1-6任一項所述的全透明倒置量子點發光器件，其特征在于，所述全透明倒置量子點發光器件包括依次層疊設置的襯底、陰極、電子傳輸層、量子點發光層、空穴傳輸層、空穴注入層、保護層和陽極，且所述空穴傳輸層的材料為有機空穴傳輸材料；

或者包括依次層疊設置的襯底、陰極、電子傳輸層、量子點發光層、保護層、空穴傳輸層、空穴注入層和陽極，且所述空穴傳輸層的材料為無機空穴傳輸材料。

8.一種如權利要求1-7任一項所述的全透明倒置量子點發光器件的制備方法，其特征在于，所述制備方法為：在襯底上依次逐層制備陰極、電子傳輸層、量子點發光層、空穴傳輸層、任選地空穴注入層、保護層和陽極，或者在襯底上依次逐層制備陰極、電子傳輸層、量子點發光層、保護層、空穴傳輸層、任選地空穴注入層和陽極；

所述保護層的制備方法為直接蒸鍍或原子層沉積保護層材料，或者先蒸鍍保護層材料的前體，然后氧化。

9.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述陽極的制備方法為濺射沉積，且濺射的功率在濺射過程中從30W到50W遞增。

10.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括陣列排布的至少兩個如權利要求1-7任一項所述的全透明倒置量子點發光器件。