[發(fā)明專利]玻璃面板及其制備方法、包含該玻璃面板的顯示屏和終端有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910583822.X | 申請日: | 2019-06-28 |
| 公開(公告)號: | CN110372222B | 公開(公告)日: | 2022-07-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 龐歡;黃義宏 | 申請(專利權(quán))人: | 華為技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | C03C15/00 | 分類號: | C03C15/00;C03C17/30;C03C17/42;G09F9/00 |
| 代理公司: | 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝傳鑫;熊永強 |
| 地址: | 518129 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 玻璃 面板 及其 制備 方法 包含 顯示屏 終端 | ||
本發(fā)明實施例提供一種玻璃面板,包括玻璃面板本體和設(shè)置在所述玻璃面板本體一側(cè)表面的AF防指紋膜,所述玻璃面板本體靠近所述AF防指紋膜的一側(cè)表面具有腐蝕坑,所述玻璃面板設(shè)置有所述AF防指紋膜一側(cè)的表面粗糙度Ra為8nm?50nm,Rz為20nm?100nm。該玻璃面板通過在玻璃面板本體表面形成腐蝕坑,提高了玻璃面板本體表面粗糙度,同時提高了AF鍍膜后的玻璃面板表面粗糙度,從而大幅度抑制了撕膜操作中靜電的產(chǎn)生。本發(fā)明實施例還提供了該玻璃面板的制備方法,及包含該玻璃面板的顯示屏和終端。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明實施例涉及觸摸屏技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及玻璃面板及其制備方法、以及包含該玻璃面板的顯示屏和終端。
背景技術(shù)
手機等電子產(chǎn)品觸摸屏在組裝與運輸過程中,為避免觸摸屏表面玻璃面板被劃傷,需采用保護膜對玻璃面板表面進(jìn)行保護。而為了提高玻璃面板抗臟污與爽滑性能,通常在玻璃面板表面形成有一層抗指紋(Anti-Fingerprint,AF)膜層,AF膜層材料包括全氟聚醚硅氧烷,主要含碳、氧、氟、硅元素,其中氟原子吸電子能力強,且AF材料阻抗>1013Ω,其絕緣性導(dǎo)致電荷轉(zhuǎn)移率低。因此當(dāng)AF膜層上設(shè)置有保護膜,在將保護膜從觸摸屏表面撕除時,容易產(chǎn)生較高靜電壓,且靜電荷短時間內(nèi)難以耗散。在智能手機等電子產(chǎn)品組裝產(chǎn)線的來料檢驗、點膠壓合等工序中都存在撕膜操作。撕膜產(chǎn)生的靜電荷可能會從玻璃表面向下傳導(dǎo)到觸摸屏BTB(Button to Button,板對板)管腳端,組裝過程中BTB管腳觸碰金屬中框或其他金屬材料時會形成放電回路,產(chǎn)生電流瀉放可能損傷IC芯片,導(dǎo)致觸摸屏黑屏、花屏、靜電橫紋等顯示不良問題。因此,為避免觸摸屏組裝生產(chǎn)時撕膜產(chǎn)生的靜電導(dǎo)致的顯示不良,急需開發(fā)一種降低觸摸屏玻璃面板撕膜靜電的方法。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于此,本發(fā)明實施例提供一種玻璃面板,其玻璃面板本體表面經(jīng)活化處理形成有腐蝕坑,從而提高了AF鍍膜后玻璃面板表面粗糙度,降低了玻璃面板在撕膜過程中產(chǎn)生的靜電,以在一定程度上解決現(xiàn)有手機等電子產(chǎn)品組裝過程中,因撕膜產(chǎn)生的靜電導(dǎo)致的黑屏、花屏、靜電橫紋等顯示不良問題。
具體地,本發(fā)明實施例第一方面提供一種玻璃面板,包括玻璃面板本體和設(shè)置在所述玻璃面板本體一側(cè)表面的AF防指紋膜,所述玻璃面板本體靠近所述AF防指紋膜的一側(cè)表面具有腐蝕坑,所述玻璃面板設(shè)置有所述AF防指紋膜一側(cè)的表面粗糙度Ra為8nm-50nm,Rz為20nm-100nm。
本發(fā)明實施方式中,所述玻璃面板設(shè)置有所述AF防指紋膜一側(cè)的表面粗糙度Ra為10nm-30nm,Rz為20nm-60nm。
本發(fā)明實施方式中,所述玻璃面板本體具有腐蝕坑的一側(cè)表面的粗糙度Ra為5nm-100nm,Rz為10nm-500nm。
本發(fā)明實施方式中,所述玻璃面板本體具有腐蝕坑的一側(cè)表面的羥基親水基團的摩爾含量為0.001%-0.1%。所述羥基[OH]含量的計算方法為[OH]={[10-2·(1/d)·lg(T3845/T3500)·MOH]/ερ}×100%,其中d為玻璃面板本體厚度,T3845和T3500分別為玻璃面板本體3845cm-1與3500cm-1處的紅外透過率,MOH為羥基的摩爾質(zhì)量,ρ為玻璃面板本體密度,ε為玻璃面板本體在3500cm-1處的消光系數(shù)。
本發(fā)明實施方式中,所述玻璃面板本體具有腐蝕坑的一側(cè)表面的電阻率為1.0×109Ω-9.9×1012Ω。
本發(fā)明實施方式中,所述玻璃面板本體和所述AF防指紋膜之間設(shè)置有二氧化硅層。
本發(fā)明實施方式中,所述二氧化硅層的厚度在0.1nm-500nm的范圍內(nèi)。
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