[發(fā)明專利]玻璃面板及其制備方法、包含該玻璃面板的顯示屏和終端

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910583822.X
• 申請日: 2019-06-28
• 公開（公告）號: CN110372222B
• 公開（公告）日: 2022-07-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 龐歡;黃義宏
• 申請（專利權(quán)）人: 華為技術(shù)有限公司
• 主分類號: C03C15/00
• 分類號: C03C15/00;C03C17/30;C03C17/42;G09F9/00
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強(qiáng)

1.一種玻璃面板，其特征在于，包括玻璃面板本體和設(shè)置在所述玻璃面板本體一側(cè)表面上的AF防指紋膜，所述玻璃面板本體靠近所述AF防指紋膜的一側(cè)表面具有腐蝕坑，所述玻璃面板設(shè)置有所述AF防指紋膜的一側(cè)的表面粗糙度Ra為8nm-50nm，Rz為20nm-100nm，所述玻璃面板本體具有腐蝕坑的一側(cè)表面的電阻率為1.0×10⁹Ω-9.9×10¹²Ω，所述玻璃面板本體具有腐蝕坑的一側(cè)表面的羥基親水基團(tuán)的摩爾含量為0.001％-0.1％。

2.如權(quán)利要求1所述的玻璃面板，其特征在于，所述玻璃面板設(shè)置有所述AF防指紋膜的一側(cè)的表面粗糙度Ra為10nm-30nm，Rz為20nm-60nm。

3.如權(quán)利要求1所述的玻璃面板，其特征在于，所述玻璃面板本體具有腐蝕坑的一側(cè)表面的粗糙度Ra為5nm-100nm，Rz為10nm-500nm。

4.如權(quán)利要求1所述的玻璃面板，其特征在于，所述玻璃面板本體和所述AF防指紋膜之間設(shè)置有二氧化硅層。

5.如權(quán)利要求4所述的玻璃面板，其特征在于，所述二氧化硅層的厚度在0.1nm-500nm的范圍內(nèi)。

6.一種玻璃面板的制備方法，其特征在于，包括：

玻璃面板本體經(jīng)化學(xué)強(qiáng)化后，采用化學(xué)刻蝕法進(jìn)行表面活化，使所述玻璃面板本體的表面形成腐蝕坑，所述玻璃面板本體的表面粗糙度Ra控制在5nm-100nm的范圍內(nèi)，Rz控制在10nm-500nm的范圍內(nèi)；

在活化后的所述玻璃面板本體形成有腐蝕坑的表面制備AF防指紋膜，制備AF防指紋膜后的所述玻璃面板的表面粗糙度Ra為8nm-50nm，Rz為20nm-100nm，所述玻璃面板本體具有腐蝕坑的一側(cè)表面的電阻率為1.0×10⁹Ω-9.9×10¹²Ω，所述玻璃面板本體具有腐蝕坑的一側(cè)表面的羥基親水基團(tuán)的摩爾含量為0.001％-0.1％。

7.如權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述化學(xué)刻蝕法包括堿刻蝕和/或酸刻蝕，刻蝕溫度為23℃-99℃，刻蝕時(shí)間為1min-24h。

8.如權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述堿刻蝕采用堿性活化液進(jìn)行浸泡，所述堿性活化液包括堿金屬氫氧化物和/或堿金屬弱酸鹽，以及水和/或有機(jī)溶劑，所述堿性活化液的pH值范圍為8-14。

9.如權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述酸刻蝕采用酸性活化液進(jìn)行浸泡，所述酸性活化液包括氫氟酸或氟化銨類改性溶劑，所述酸性活化液的pH值范圍為1-6。

10.如權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，采用熱蒸發(fā)或噴涂的方式制備所述AF防指紋膜。

11.如權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，進(jìn)一步包括，在制備所述AF防指紋膜之前，先在所述玻璃面板本體表面制備二氧化硅層。

12.如權(quán)利要求11所述的制備方法，其特征在于，所述二氧化硅層的厚度在0.1nm-500nm的范圍內(nèi)。

13.一種顯示屏，其特征在于，包括顯示屏模組和覆蓋在所述顯示屏模組上的玻璃面板，所述玻璃面板為權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的玻璃面板。