[發明專利]存儲器及其形成方法

有效

• 申請號: 201910582851.4
• 申請日: 2019-06-28
• 公開（公告）號: CN110265398B
• 公開（公告）日: 2023-04-18
• 發明（設計）人: 余興
• 申請（專利權）人: 芯盟科技有限公司
• 主分類號: H10B12/00
• 分類號: H10B12/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣

1.一種存儲器，其特征在于，包括：

襯底，所述襯底包括相對的第一面和第二面，所述襯底包括有源區，所述有源區周圍的襯底內具有隔離結構；

位于襯底第一面表面的柵極結構，所述柵極結構位于所述有源區表面；

分別位于所述柵極結構兩側襯底內的源摻雜區和漏摻雜區，所述源摻雜區和漏摻雜區位于所述有源區內，所述漏摻雜區的部分側壁與所述隔離結構的部分側壁相接觸，所述源摻雜區的部分側壁與所述隔離結構的部分側壁相接觸；

與所述源摻雜區電連接的字線結構；

與所述柵極結構頂部電連接的位線結構；

位于所述襯底內的電容結構，所述電容結構位于所述有源區內，所述第二面暴露出所述電容結構，所述電容結構與所述隔離結構的部分底部相接觸，所述電容結構與所述漏摻雜區電連接，且所述電容結構與所述漏摻雜區底部相接觸。

2.如權利要求1所述的存儲器，其特征在于，所述字線結構包括位于源摻雜區表面的第一導電插塞以及位于第一導電插塞表面的字線層。

3.如權利要求2所述的存儲器，其特征在于，所述第一導電插塞和所述字線層的材料包括金屬；所述金屬包括銅、鎢、鋁、鈦、氮化鈦和鉭中的一種或多種組合。

4.如權利要求1所述的存儲器，其特征在于，所述位線結構包括位于柵極結構頂部表面的第二導電插塞以及位于第二導電插塞表面的位線層。

5.如權利要求4所述的存儲器，其特征在于，所述第二導電插塞和所述位線層的材料包括金屬；所述金屬包括銅、鎢、鋁、鈦、氮化鈦和鉭中的一種或多種組合。

6.如權利要求1所述的存儲器，其特征在于，還包括：位于所述襯底內的第一開口，所述第一開口頂部暴露出部分所述漏摻雜區表面，且所述襯底第二面暴露出所述第一開口頂部；所述電容結構包括位于第一開口側壁和底部表面的絕緣層和位于絕緣層上的電極層。

7.如權利要求6所述的存儲器，其特征在于，還包括：位于所述第一開口底部的襯底內和漏摻雜區內的第三導電插塞，所述第三導電插塞與所述電容結構電連接。

8.如權利要求6所述的存儲器，其特征在于，所述電極層的材料包括金屬，所述金屬包括銅、鎢、鋁、鈦、氮化鈦和鉭中的一種或多種組合；

所述絕緣層材料的介電常數大于3.9，所述絕緣層的材料包括氧化鉿或氧化鋁。

9.如權利要求1所述的存儲器，其特征在于，所述電容結構在襯底第一面的投影與所述柵極結構在襯底第一面的投影部分重合；或者，所述電容結構在襯底第一面的投影與所述漏摻雜區在襯底第一面的投影部分重合；或者，所述電容結構在襯底第一面的投影與所述源摻雜區在襯底第一面的投影部分重合。

10.如權利要求1所述的存儲器，其特征在于，所述柵極結構包括：位于襯底第一面表面的柵介質層、以及位于柵介質層表面的柵極層；所述位線結構與所述柵極層頂部電連接。

11.如權利要求1所述的存儲器，其特征在于，還包括：位于所述襯底第一面表面的介質層；所述柵極結構、字線結構和位線結構位于所述介質層內。

12.如權利要求11所述的存儲器，其特征在于，所述介質層材料包括氧化硅。