[發(fā)明專利]薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板、顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910579865.0 | 申請日: | 2019-06-28 |
| 公開(公告)號: | CN110289308B | 公開(公告)日: | 2022-08-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 朱夏明 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L29/41 | 分類號: | H01L29/41;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;張?zhí)焓?/td> |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 薄膜晶體管 及其 制備 方法 陣列 顯示裝置 | ||
本發(fā)明提供一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板、顯示裝置,屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域,其可解決現(xiàn)有的薄膜晶體管容易因?yàn)閺澱鄱a(chǎn)生裂紋或者斷裂的問題。本發(fā)明的薄膜晶體管,包括:基底和設(shè)于所述基底上的有源層,所述有源層背離所述基底的表面上設(shè)有凹槽。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,具體地,涉及一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板、顯示裝置。
背景技術(shù)
可彎折基板作為顯示領(lǐng)域的一種新型基板因其可彎折的性能受到了廣泛的關(guān)注,被應(yīng)用于可彎折手機(jī)、可穿戴設(shè)備等技術(shù)領(lǐng)域。
目前,可彎折基板的可彎折程度有所限制,例如,彎折的曲率半徑不能小于1mm,造成上述限制的原因之一是在可彎折基板彎折過程中,可彎折基板內(nèi)位于彎折區(qū)域的驅(qū)動電路的各種結(jié)構(gòu)的膜層會產(chǎn)生應(yīng)力,可彎折基板的彎折程度越大,則膜層產(chǎn)生的應(yīng)力也越大,因此,當(dāng)可彎折基板進(jìn)行較大程度的彎折時容易造成膜層(尤其是無機(jī)膜層)產(chǎn)生裂紋或者斷裂,從而造成驅(qū)動電路的電學(xué)性能的劣化或者失效。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明至少部分解決現(xiàn)有的驅(qū)動電路的膜層容易因?yàn)閺澱鄱a(chǎn)生裂紋或者斷裂的問題,提供了一種提升了耐彎折性能的薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板、顯示裝置。
本發(fā)明實(shí)施例提供一種薄膜晶體管,包括:基底和設(shè)于所述基底上的有源層,
所述有源層背離所述基底的表面上設(shè)有凹槽。
可選地,薄膜晶體管還包括第一電極、第二電極,所述有源層包括分別與所述第一電極和所述第二電極對應(yīng)接觸的兩個接觸部以及位于兩所述接觸部之間的中間部;
所述凹槽均設(shè)置在所述中間部。
可選地,所述凹槽為條狀,具有長度方向,所述長度方向垂直于從所述第一電極指向所述第二電極的方向;
所述凹槽槽底靠近所述基底的一側(cè)設(shè)置有導(dǎo)電增強(qiáng)結(jié)構(gòu),所述導(dǎo)電增強(qiáng)結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電性能大于所述中間部的其它部分的導(dǎo)電性能。
可選地,所述導(dǎo)電增強(qiáng)結(jié)構(gòu)在垂直所述基底的方向上貫穿所述有源層。
可選地,所述導(dǎo)電增強(qiáng)結(jié)構(gòu)為導(dǎo)體化的半導(dǎo)體材料。
可選地,薄膜晶體管還包括設(shè)于所述有源層遠(yuǎn)離所述基底一側(cè)的柵絕緣層,設(shè)于所述柵絕緣層遠(yuǎn)離所述基底一側(cè)的柵極;
所述柵極在所述基底上的正投影與所述凹槽在所述基底上的正投影不交疊。
可選地,所述有源層設(shè)有多個凹槽,所述多個凹槽沿從所述第一電極指向所述第二電極的方向間隔排布。
可選地,所述凹槽具有與所述長度方向垂直的寬度方向,所述凹槽在所述寬度方向上的尺寸為8nm至500nm。
可選地,薄膜晶體管還包括:
設(shè)于所述有源層遠(yuǎn)離所述基底一側(cè)的柵絕緣層,設(shè)于所述柵絕緣層遠(yuǎn)離所述基底一側(cè)的柵極,部分所述柵絕緣層位于所述凹槽內(nèi)。
可選地,形成所述柵絕緣層的材料包含高致密材料,所述柵絕緣層的厚度為5nm至50nm。
可選地,所述凹槽內(nèi)填充有有機(jī)絕緣膜。
本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板,包括多個薄膜晶體管,
所述薄膜晶體管為上述的薄膜晶體管。
可選地,所述基底為可彎折基底并具有預(yù)定彎折方向,在平行所述基底方向上,所述凹槽為條狀,具有長度方向,且所述長度方向垂直于所述預(yù)定彎折方向。
本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示裝置,包括上述的陣列基板。
本發(fā)明實(shí)施例提供一種薄膜晶體管的制備方法,包括:
提供一基底;
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H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的





