[發明專利]薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板、顯示裝置

有效

• 申請號: 201910579865.0
• 申請日: 2019-06-28
• 公開（公告）號: CN110289308B
• 公開（公告）日: 2022-08-26
• 發明（設計）人: 朱夏明
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L29/41
• 分類號: H01L29/41;H01L21/336;H01L29/786
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 柴亮;張天舒

1.一種薄膜晶體管，包括：基底和設于所述基底上的有源層，其特征在于，

所述有源層背離所述基底的表面上設有凹槽；

所述薄膜晶體管還包括第一電極、第二電極，所述有源層包括分別與所述第一電極和所述第二電極對應接觸的兩個接觸部以及位于兩所述接觸部之間的中間部；

所述凹槽均設置在所述中間部；

所述薄膜晶體管還包括設于所述有源層遠離所述基底一側的柵絕緣層，設于所述柵絕緣層遠離所述基底一側的柵極；

所述柵極在所述基底上的正投影與所述凹槽在所述基底上的正投影不交疊。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述凹槽為條狀，具有長度方向，所述長度方向垂直于從所述第一電極指向所述第二電極的方向；

所述凹槽槽底靠近所述基底的一側設置有導電增強結構，所述導電增強結構的導電性能大于所述中間部的其它部分的導電性能。

3.根據權利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，

所述導電增強結構在垂直所述基底的方向上貫穿所述有源層。

4.根據權利要求3所述的薄膜晶體管，其特征在于，

所述導電增強結構為導體化的半導體材料。

5.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，

所述有源層設有多個凹槽，所述多個凹槽沿從所述第一電極指向所述第二電極的方向間隔排布。

6.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，

所述凹槽具有與長度方向垂直的寬度方向，所述凹槽在所述寬度方向上的尺寸為8nm至500nm。

7.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，還包括：

設于所述有源層遠離所述基底一側的柵絕緣層，設于所述柵絕緣層遠離所述基底一側的柵極，部分所述柵絕緣層位于所述凹槽內。

8.根據權利要求7所述的薄膜晶體管，其特征在于，

形成所述柵絕緣層的材料包含高致密材料，所述柵絕緣層的厚度為5nm至50nm。

9.根據權利要求7所述的薄膜晶體管，其特征在于，

所述凹槽內填充有有機絕緣膜。

10.一種陣列基板，包括多個薄膜晶體管，其特征在于，

所述薄膜晶體管為權利要求1至9中任一所述的薄膜晶體管。

11.根據權利要求10所述的陣列基板，其特征在于，

所述基底為可彎折基底并具有預定彎折方向，在平行所述基底方向上，所述凹槽為條狀，具有長度方向，且所述長度方向垂直于所述預定彎折方向。

12.一種顯示裝置，包括如權利要求10或11所述的陣列基板。

13.一種薄膜晶體管的制備方法，包括：

提供一基底；

在所述基底上形成有源層，其特征在于，在所述有源層背離所述基底的表面形成有凹槽;

所述制備方法還包括形成薄膜晶體管的第一電極、第二電極和柵極的步驟；其中，

所述有源層包括分別與所述第一電極和所述第二電極對應接觸的兩個接觸部以及位于兩所述接觸部之間的中間部；所述凹槽均設置在所述中間部；

在所述有源層遠離所述基底一側形成有的柵絕緣層，所述柵極形成于所述柵絕緣層遠離所述基底一側；所述柵極在所述基底上的正投影與所述凹槽在所述基底上的正投影不交疊。

14.根據權利要求13所述的制備方法，其特征在于，

所述凹槽通過納米壓印工藝形成。