[發(fā)明專利]相移器件以及包括該相移器件的色差光學(xué)器件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910579002.3
• 申請(qǐng)日: 2019-06-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111323863A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-06-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李政燁;金梨香;辛鍾和;梁基延;金容誠(chéng);金材官;李昌承;N.韓
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社;韓國(guó)科學(xué)技術(shù)院
• 主分類(lèi)號(hào): G02B5/30
• 分類(lèi)號(hào): G02B5/30;G02B5/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 王新華

1.一種相移器件，包括：

堆疊結(jié)構(gòu)，包括金屬層和第一電介質(zhì)層，所述金屬層和所述第一電介質(zhì)層在第一方向上交替地堆疊；和

第二電介質(zhì)層，在第二方向上設(shè)置在所述堆疊結(jié)構(gòu)的側(cè)表面上，

其中所述第一電介質(zhì)層包括具有第一介電常數(shù)的第一材料，所述第二電介質(zhì)層包括具有第二介電常數(shù)的第二材料，并且

其中所述第二介電常數(shù)大于所述第一介電常數(shù)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相移器件，其中所述堆疊結(jié)構(gòu)包括至少兩個(gè)金屬層，并且

其中所述第一電介質(zhì)層設(shè)置在所述至少兩個(gè)金屬層中的兩個(gè)相鄰的金屬層之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相移器件，還包括：

氧化物層，設(shè)置在所述堆疊結(jié)構(gòu)的所述側(cè)表面與所述第二電介質(zhì)層之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相移器件，其中所述堆疊結(jié)構(gòu)的寬度與所述第二電介質(zhì)層的寬度之和小于入射光的波長(zhǎng)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相移器件，其中所述堆疊結(jié)構(gòu)的寬度與所述第二電介質(zhì)層的寬度之和小于入射光的波長(zhǎng)的1/3。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相移器件，其中所述堆疊結(jié)構(gòu)的寬度等于或大于所述第二電介質(zhì)層的寬度。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相移器件，包括：

多個(gè)所述堆疊結(jié)構(gòu)和設(shè)置在所述多個(gè)堆疊結(jié)構(gòu)之間的多個(gè)所述第二電介質(zhì)層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的相移器件，其中所述多個(gè)堆疊結(jié)構(gòu)中的每個(gè)和所述多個(gè)第二電介質(zhì)層中的每個(gè)在第三方向上延伸，并且所述多個(gè)堆疊結(jié)構(gòu)和所述多個(gè)第二電介質(zhì)層在分別垂直于所述第一方向和所述第三方向的所述第二方向上交替地設(shè)置。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的相移器件，其中所述多個(gè)堆疊結(jié)構(gòu)包括在所述金屬層的寬度、所述金屬層的厚度和所述第一電介質(zhì)層的厚度中的至少一個(gè)上彼此不同的第一堆疊結(jié)構(gòu)和第二堆疊結(jié)構(gòu)。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的相移器件，其中所述多個(gè)堆疊結(jié)構(gòu)的寬度在所述第二方向上逐漸增大或減小。

11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的相移器件，其中所述相移器件具有基于所述金屬層與所述第一電介質(zhì)層之間的界面處的表面等離子體共振的第一共振波長(zhǎng)帶和基于相鄰的兩個(gè)堆疊結(jié)構(gòu)的金屬層之間的磁共振的第二共振波長(zhǎng)帶，并且

其中所述相移器件在所述第一共振波長(zhǎng)帶與所述第二共振波長(zhǎng)帶之間的波長(zhǎng)帶中具有4或更大的折射率。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的相移器件，其中所述相移器件在所述第一共振波長(zhǎng)帶與所述第二共振波長(zhǎng)帶之間的所述波長(zhǎng)帶內(nèi)具有0.3或更小的折射率差。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相移器件，其中所述相移器件包括二維地設(shè)置的多個(gè)所述堆疊結(jié)構(gòu)，并且

其中所述第二電介質(zhì)層具有圍繞所述多個(gè)堆疊結(jié)構(gòu)的側(cè)表面的格子形狀。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的相移器件，其中每個(gè)所述堆疊結(jié)構(gòu)的水平截面具有正方形形狀、矩形形狀、橢圓形形狀、三角形形狀、圓形形狀、平行四邊形形狀、梯形形狀、菱形形狀和至少五邊形的多邊形形狀中的一種。

15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的相移器件，其中所述多個(gè)堆疊結(jié)構(gòu)包括在所述金屬層的寬度、所述金屬層的厚度和所述第一電介質(zhì)層的厚度中的至少一個(gè)上彼此不同的第一堆疊結(jié)構(gòu)和第二堆疊結(jié)構(gòu)。

16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的相移器件，其中設(shè)置在不同位置的所述堆疊結(jié)構(gòu)具有不同的寬度和/或厚度，并且

其中所述相移器件具有基于所述相移器件中的所述堆疊結(jié)構(gòu)的位置的不同折射率。