[發(fā)明專利]測試結(jié)構(gòu)和測試方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910578847.0
• 申請日: 2019-06-28
• 公開（公告）號: CN112230112A
• 公開（公告）日: 2021-01-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 簡紅;楊曉蕾;王明;任云翔
• 申請（專利權(quán)）人: 中電海康集團(tuán)有限公司
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 趙囡囡

本申請?zhí)峁┝艘环N測試結(jié)構(gòu)和測試方法，其中，該測試結(jié)構(gòu)包括：至少一個待測試器件組，待測試器件組包括多個串聯(lián)待測試的阻變器件；多個第一開關(guān)，第一開關(guān)一一對應(yīng)地與阻變器件并聯(lián)；至少兩個測試電極，待測試器件組的兩端分別電連接一個測試電極。解決了現(xiàn)有技術(shù)中需要對MTJ等阻變器件逐個進(jìn)行測試時，導(dǎo)致的測試效率較低的技術(shù)難題。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請涉及存儲器領(lǐng)域，具體而言，涉及一種測試結(jié)構(gòu)和測試方法。

背景技術(shù)

近年來發(fā)展迅速的磁性隨機(jī)存儲器MRAM具有優(yōu)異的特性：克服了SRAM面積大，尺寸微縮后漏電大的缺點(diǎn)；克服了DRAM需要一直進(jìn)行數(shù)據(jù)刷新且功耗大的缺點(diǎn)；讀寫時間短和可讀寫次數(shù)較多，這兩個性能比Flash memory的這兩個性能優(yōu)越幾個數(shù)量級。

MTJ是磁性隨機(jī)存儲器MRAM的核心存儲元件，MRAM的讀寫次數(shù)與MTJ器件的壽命直接相關(guān)。在研發(fā)階段為了獲取MRAM的耐用時間的可靠性分布，確保量產(chǎn)階段產(chǎn)品的可靠性，需要對大量的MTJ器件進(jìn)行測試。

目前，我們采用的方法是逐個對MTJ器件進(jìn)行測試，對于大量器件的測試，需要耗費(fèi)很長的時間。

在背景技術(shù)部分中公開的以上信息只是用來加強(qiáng)對本文所描述技術(shù)的背景技術(shù)的理解，因此，背景技術(shù)中可能包含某些信息，這些信息對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說并未形成在本國已知的現(xiàn)有技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容

本申請的主要目的在于提供一種測試結(jié)構(gòu)和測試方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中對需要對MTJ等阻變器件逐個進(jìn)行測試導(dǎo)致的測試效率較低的問題。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本申請的一個方面，提供了一種測試結(jié)構(gòu)，其中，測試結(jié)構(gòu)包括：至少一個待測試器件組，待測試器件組包括多個串聯(lián)待測試的阻變器件；多個第一開關(guān)，第一開關(guān)一一對應(yīng)地與阻變器件并聯(lián)；至少兩個測試電極，待測試器件組的兩端分別電連接一個測試電極。

進(jìn)一步的，測試結(jié)構(gòu)還包括：多個第一控制電極，第一控制電極與一個第一開關(guān)電連接或者分別與多個第一開關(guān)電連接，第一控制電極用于控制第一開關(guān)的開關(guān)狀態(tài)，在第一控制電極與多個第一開關(guān)電連接的情況下，與一個第一控制電極電連接的任意兩個第一開關(guān)與不同的待測試器件組中的阻變器件電連接。

進(jìn)一步的，待測試器件組有一個，測試電極有兩個，第一控制電極與第一開關(guān)一一對應(yīng)電連接。

進(jìn)一步的，待測試器件組有多個，測試電極有兩個，第一控制電極分別與多個第一開關(guān)電連接。

進(jìn)一步的，測試結(jié)構(gòu)還包括：多個第二開關(guān)，一個第二開關(guān)電連接在一個測試電極與一個待測試器件組之間，第二開關(guān)與待測試器件組一一對應(yīng)電連接；至少一個第二控制電極，第二控制電極與第二開關(guān)電連接以控制第二開關(guān)的開關(guān)狀態(tài)。

進(jìn)一步的，第二控制電極有一個，且第二控制電極控制各第二開關(guān)的開關(guān)狀態(tài)。

進(jìn)一步的，第一開關(guān)和第二開關(guān)獨(dú)立地選自NMOS管、PMOS管、傳輸門或三極管。

進(jìn)一步的，測試電極為信號地結(jié)構(gòu)。

進(jìn)一步的，阻變器件為MTJ。