[發明專利]測試結構和測試方法

在審

• 申請號: 201910578847.0
• 申請日: 2019-06-28
• 公開（公告）號: CN112230112A
• 公開（公告）日: 2021-01-15
• 發明（設計）人: 簡紅;楊曉蕾;王明;任云翔
• 申請（專利權）人: 中電?？导瘓F有限公司
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 趙囡囡

1.一種測試結構，其特征在于，包括：

至少一個待測試器件組(10)，所述待測試器件組(10)包括多個串聯待測試的阻變器件(11)；

多個第一開關(20)，所述第一開關(20)一一對應地與所述阻變器件(11)并聯；

至少兩個測試電極(30)，所述待測試器件組(10)的兩端分別電連接一個所述測試電極(30)。

2.根據權利要求1所述的測試結構，其特征在于，所述測試結構還包括：

多個第一控制電極(40)，所述第一控制電極(40)與一個所述第一開關(20)電連接或者分別與多個所述第一開關(20)電連接，所述第一控制電極(40)用于控制所述第一開關(20)的開關狀態，在所述第一控制電極(40)與多個所述第一開關(20)電連接的情況下，與一個所述第一控制電極(40)電連接的任意兩個所述第一開關(20)與不同的所述待測試器件組(10)中的所述阻變器件(11)電連接。

3.根據權利要求2所述的測試結構，其特征在于，所述待測試器件組(10)有一個，所述測試電極(30)有兩個，所述第一控制電極(40)與所述第一開關(20)一一對應電連接。

4.根據權利要求2所述的測試結構，其特征在于，所述待測試器件組(10)有多個，所述測試電極(30)有兩個，所述第一控制電極(40)分別與多個所述第一開關(20)電連接。

5.根據權利要求4所述的測試結構，其特征在于，所述測試結構還包括：

多個第二開關(50)，一個所述第二開關(50)電連接在一個所述測試電極(30)與一個所述待測試器件組(10)之間，所述第二開關(50)與所述待測試器件組(10)一一對應電連接；

至少一個第二控制電極(60)，所述第二控制電極(60)與所述第二開關(50)電連接以控制所述第二開關(50)的開關狀態。

6.根據權利要求5所述的測試結構，其特征在于，所述第二控制電極(60)有一個，且所述第二控制電極(60)控制各所述第二開關(50)的開關狀態。

7.根據權利要求5所述的測試結構，其特征在于，所述第一開關(20)和所述第二開關(50)獨立地選自NMOS管、PMOS管、傳輸門或三極管。

8.根據權利要求1至7中任一項所述的測試結構，其特征在于，所述測試電極(30)為信號地結構。

9.根據權利要求1至7中任一項所述的測試結構，其特征在于，所述阻變器件(11)為MTJ。

10.一種采用權利要求1至9中任一項所述測試結構的測試方法，其特征在于，包括：

步驟S1，控制各第一開關為關斷狀態，向一個待測試器件組兩端的兩個測試電極施加脈沖信號，檢測所述待測試器件組的電阻；

步驟S2，依次重復執行所述步驟S1，直到檢測到的所述待測試器件組的電阻與前一次檢測到的電阻的差值大于第一預定閾值的情況下，停止施加所述脈沖信號；

步驟S3，依次控制所述待測試器件組的各阻變器件電連接的所述第一開關處于關斷狀態，其他的所述阻變器件電連接的所述第一開關處于閉合狀態，檢測各所述阻變器件的電阻，在所述阻變器件的電阻小于第二預定閾值的情況下，確定所述阻變器件已經損壞；

步驟S4，根據所述步驟S2和所述步驟S3的檢測結果，確定所述待測試器件組中的一個或多個所述阻變器件的耐用次數；

步驟S5，重復執行所述步驟S1至所述步驟S4，直到所述待測試器件組中所有的所述阻變器件均損壞，或者直到所述脈沖信號的施加次數等于預定次數。